专利名称：参考电压的产生电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种参考电压的产生电路，特别是涉及一种用于影像感测器(影像传感器)的参考电压的产生电路。
背景技术：
越来越多的电子产品均内建摄影功能，例如移动电话、个人数字助理(PDA)及玩具等。为了适应各种不同需求，尤其是针对移动装置的需求，我们需要低耗电及高画质的影像感测器(影像传感器)(image sensor)。请参阅图1A所示，是典型影像感测器(影像传感器)的方块图。该典型影像感测器，包括像素阵列(像素数组)(pixel array)110、列驱动器及电压产生器(row driver & voltage reference)120、像素取样电路(sample & holdcolumn circuit)130、讯号增益放大器(gain stage)140以及模拟/数位转换器(类比/数位转换器)(pipeline A/D converter)150。列驱动器及电压产生器120提供各列驱动讯号121以及各种参考电压122，及参考电压VCL。像素阵列110中各列电极(图中未示出)分别接收对应的列驱动讯号121，像素阵列感测影像后依列驱动讯号121的时序输出各行(column)的像素讯号(pixel signal)111。像素取样电路130同时接收、取样(sample)并保持(hold)各行的像素讯号111，然后依序将保持其中的各像素讯号以串行形式(cascade)输出像素讯号131。讯号增益放大器140接收并进行放大像素讯号131后产生像素讯号141。模拟/数位转换器150通常为管线式模拟/数位转换器，依参考电压122将模拟形式的像素讯号141转换为数位形式的像素讯号151，以利后续电路(图中仅以控制逻辑电路160代表)处理及运用。
在影像感测器读出电路中，产生模拟参考电压的过程为影像感测器读出电路的主要电力消耗原因。在此以互补式金氧半场效晶体管(CMOS)影像感测器中像素取样电路130为例进行说明。请参阅图1B所示，是CMOS影像感测器的像素取样电路示意图。为方便说明，像素阵列110仅以像素112代表阵列中各像素。另外，像素取样电路130中具有多组取样/保持电路，图中亦以其中一组为代表进行说明。CMOS影像感测器通常需取样像素电压(pixel signal value)以及重置电压(pixel reset value)，而在取样过程即需要参考电压VCL。在取样像素电压期间，感控开关clamp及samp_sig导通，而使感控开关samp_rst、cb及col_addr断路，此时将像素电压与参考电压VCL所形成的电位差储存于电容CS1。在取样重置电压期间，感控开关clamp及samp_rst导通，而致使感控开关samp_sig、cb及col_addr断路，此时将重置电压与参考电压VCL所形成的电位差储存于电容CS2。当完成取样后，使感控开关clamp、samp_sig及samp_rst断路，然后将感控开关cb导通，此期间即为保持期间。在保持期间各行的像素讯号111分别被保存于对应的取样/保持电路其中一组，各组取样/保持电路依时序轮流导通感控开关col_addr，以串行形式输出像素讯号至讯号增益放大器140。
如上述的像素取样电路130，其中所需的参考电压VCL是由电压产生器120供给。电压产生器120除提供像素取样电路130所需参考电压之外，亦同时提供各种不同的参考电压给影像感测器的其它电路使用，例如讯号增益放大器140及模拟/数位转换器150等。而参考电压必须是稳定的固定电压。以参考电压VCL为例，请继续参阅图1B所示，如上所述，在取样重置电压期间电容CS2的右端耦接参考电压VCL，而电容CS2的左端则耦接至像素112以接收重置电压。在重置电压对电容CS2充电之初时，因电容的瞬时响应而使得电容CS2的右端产生一脉冲电压。该脉冲电压将会暂时改变参考电压VCL的准位，必须由电压产生器120吸收该脉冲电压且再次调整参考电压VCL使其回归原准位。像素取样电路130必需等待参考电压VCL回归原准位且电容稳定后才能进入保持期间。随着像素阵列越来越大，便需要更多组取样/保持电路，亦即代表参考电压VCL的负载加大，导致参考电压准位维持不易。例如，前述由电容的瞬时响应所产生的脉冲造成参考电压准位变动过大。现有习知的参考电压产生电路对于前述因电路操作过程中造成的参考电压准位变动过大，时序上需要较长时间等待其回归原准位。此缺点在像素阵列愈大时愈是明显，从而造成影像感测(取样)速度无法提升。
由此可见，上述现有的参考电压的产生电路仍存在有缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决参考电压的产生电路存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。
有鉴于上述现有的参考电压的产生电路存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及其专业知识，积极加以研究创新，以期创设一种新型的参考电压的产生电路，能够改进一般现有的参考电压的产生电路，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。
发明内容
本发明的目的在于，克服现有的参考电压的产生电路存在的缺陷，而提供一种新的参考电压的产生电路，所要解决的技术问题是使其可以供应影像感测器所需的该参考电压。利用钳位电路使因电路操作过程中造成的参考电压准位变动过大时，可以在较短时间内即可回归原准位；并且利用钳位电路，在参考电压需要大驱动电流时打开电流通路，否则关闭该电流通路，使该电路在其它操作状态时不致产生不必要的耗电，因此可以提供低功率参考电压，从而更加适于实用，且具有产业上的利用价值。
本发明的另一目的在于，提供一种参考电压的产生电路，所要解决的技术问题是使其除了上述诸目的外，更以电压随耦器以及钳位电路组成简单电路而产生低功率参考电压，而可供应影像感测器所需，从而更加适于实用。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种参考电压的产生电路，用于提供一影像感测器所需的该参考电压，该产生电路包括一讯差放大器，用于接收并比较一偏压电压及该参考电压，依比较结果输出一第一电压；一增益放大器，耦接至该讯差放大器，用于接收该第一电压，并输出一第二电压；一源极随耦器，耦接至该增益放大器，用于接收该第二电压并输出该参考电压；以及一钳位电路，耦接至该源极随耦器，用于接收该参考电压并将该参考电压限制在一钳位电压以下。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的参考电压的产生电路，其中所述的钳位电路包括一第一二极管，该第一二极管的阳极耦接至源极随耦器的输出端并接收该参考电压；以及一第二二极管，该第二二极管的阳极耦接至该第一二极管的阴极，该第二二极管的阴极耦接至一接地准位。
前述的参考电压的产生电路，其中所述钳位电路更包括一感控开关，该感控开关耦接至该第二二极管与该接地准位之间。
前述的参考电压的产生电路，其中所述的钳位电路包括一第一N型晶体管，该第一N型晶体管的闸极与该第一N型晶体管的第一源/汲极耦接至该源极随耦器的输出端并接收该参考电压；以及一第二N型晶体管，该第二N型晶体管的闸极与该第二N型晶体管的第一源/汲极耦接至该第一N型晶体管的第二源/汲极，该第二N型晶体管的第二源/汲极耦接至一接地准位。
前述的参考电压的产生电路，其中所述钳位电路更包括一感控开关，该感控开关耦接至该第二N型晶体管与该接地准位之间。
前述的参考电压的产生电路，其中所述的影像感测器是一互补式金氧半场效晶体管(CMOS)影像感测器。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种参考电压的产生电路，用于提供一影像感测器所需的该参考电压，该产生电路包括一电压随耦器，用于接收一偏压电压及该参考电压，并输出该参考电压；以及一钳位电路，耦接至该电压随耦器，用于接收该参考电压，并将该参考电压限制在一钳位电压以下。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的参考电压的产生电路，其中所述的钳位电路包括一第一二极管，该第一二极管的阳极耦接至电压随耦器的输出端并接收该参考电压；以及一第二二极管，该第二二极管的阳极耦接至该第一二极管的阴极，该第二二极管的阴极耦接至一接地准位。
前述的参考电压的产生电路，其中所述钳位电路更包括一感控开关，该感控开关耦接至该第二二极管与该接地准位之间。
前述的参考电压的产生电路，其中所述的钳位电路包括一第一N型晶体管，该第一N型晶体管的闸极与该第一N型晶体管的第一源/汲极耦接至该电压随耦器的输出端并接收该参考电压；以及一第二N型晶体管，该第二N型晶体管的闸极与该第二N型晶体管的第一源/汲极耦接至该第一N型晶体管的第二源/汲极，该第二N型晶体管的第二源/汲极耦接至一接地准位。
前述的参考电压的产生电路，其中所述钳位电路更包括一感控开关，该感控开关耦接至该第二二极管与该接地准位之间。
前述的参考电压的产生电路，其中所述的影像感测器是一互补式金氧半场效晶体管(CMOS)影像感测器。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上技术方案可知，为了达到前述发明目的，本发明的主要技术内容如下本发明提出一种参考电压的产生电路，该产生电路是用于提供影像感测器所需的参考电压，该参考电压的产生电路包括讯差放大器、增益放大器、源极随耦器以及钳位电路。讯差放大器接收并比较偏压电压以及参考电压，依比较结果输出第一电压。增益放大器耦接至讯差放大器，用于接收第一电压并输出第二电压。源极随耦器耦接至增益放大器，用于接收第二电压并输出参考电压。钳位电路耦接至源极随耦器，用于将参考电压限制在钳位电压以下。
依照本发明的较佳实施例所述参考电压的产生电路，上述的钳位电路包括第一二极管以及第二二极管。第一二极管的阳极耦接至源极随耦器的输出端并接收参考电压。第二二极管的阳极耦接至第一二极管的阴极，第二二极管的阴极则耦接至接地准位。
依照本发明的较佳实施例所述参考电压的产生电路，上述的钳位电路包括第一N型晶体管以及第二N型晶体管。第一N型晶体管的闸极与第一N型晶体管的汲极耦接至源极随耦器的输出端并接收该参考电压。第二N型晶体管的闸极与第二N型晶体管的汲极耦接至第一N型晶体管的源极，第二N型晶体管的源极耦接至接地准位。
依照本发明的较佳实施例所述参考电压的产生电路，上述的钳位电路更包括感控开关，该感控开关耦接至第二N型晶体管与接地准位之间。
本发明另外提出一种参考电压的产生电路，该产生电路是用于供应影像感测器所需的参考电压，该参考电压的产生电路包括电压随耦器以及钳位电路。电压随耦器接收偏压电压及参考电压，并输出参考电压。钳位电路耦接至电压随耦器，用于将参考电压限制在钳位电压以下。
依照本发明的较佳实施例所述参考电压的产生电路，上述的钳位电路包括第一二极管以及第二二极管。第一二极管的阳极耦接至电压随耦器的输出端并接收参考电压。第二二极管的阳极耦接至第一二极管的阴极，第二二极管的阴极则耦接至接地准位。
依照本发明的较佳实施例所述的参考电压的产生电路，上述的钳位电路包括第一N型晶体管以及第二N型晶体管。第一N型晶体管的闸极与第一N型晶体管的汲极耦接至电压随耦器的输出端，同时接收参考电压。第二N型晶体管的闸极与第二N型晶体管的汲极耦接至第一N型晶体管的源极，第二N型晶体管的源极则耦接至接地准位。
依照本发明的较佳实施例所述参考电压的产生电路，上述的钳位电路更包括感控开关，该感控开关耦接至第二N型晶体管与接地准位之间。
经由上述可知，本发明是关于一种参考电压的产生电路，该产生电路是用于提供影像感测器所需的参考电压，该参考电压的产生电路包括讯差放大器、增益放大器、源极随耦器以及钳位电路。讯差放大器接收并比较偏压电压以及参考电压，依比较结果输出第一电压。增益放大器耦接至讯差放大器，用于接收第一电压并输出第二电压。源极随耦器耦接至增益放大器，用于接收第二电压并输出参考电压。钳位电路耦接至源极随耦器，用于接收参考电压并将参考电压限制在钳位电压以下。
借由上述技术方案，本发明至少具有下列优点本发明参考电压的产生电路因使用钳位电路来限制参考电压的准位，因此在电路操作过程中造成的参考电压准位变动过大时，可在最短时间使参考电压回归原准位。还可以藉由钳位电路在参考电压需要大驱动电流时自行打开电流通路，否则关闭该电流通路，使该电路在其它操作状态时避免不必要的耗电，因此可以提供低功率参考电压而达到省电的目的。
本发明更以电压随耦器以及钳位电路组成简单电路而产生低功率参考电压，而可供应影像感测器所需，从而更加适于实用。
综上所述，本发明特殊结构的参考电压的产生电路，具有上述诸多的优点及实用价值，并在同类产品中未见有类似的结构设计公开发表或使用而确属创新，其不论在结构上或功能上皆有较大的改进，在技术上有较大的进步，并产生了好用及实用的效果，且较现有的参考电压的产生电路具有增进的多项功效，从而更加适于实用，而具有产业的广泛利用价值，诚为一新颖、进步、实用的新设计。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
图1A是典型影像感测器的方块图。
图1B是CMOS影像感测器的像素取样电路示意图。
图2是依照本发明较佳实施例所绘示的一种参考电压产生电路图。
图3是依照本发明较佳实施例所绘示的一种参考电压仿真时序图。
110像素阵列(像素数组) 111行(column)的像素讯号112像素 120列驱动器与电压产生器121列驱动讯号 122、VCL、250参考电压130像素取样电路 131、141像素讯号140讯号增益放大器 150模拟/数位转换器(类比/数位转换器)151数位像素讯号 160控制逻辑电路210讯差放大器 220增益放大器230源极随耦器 240钳位电路260偏压电压 270电压随耦器M1～M4、M7P型晶体管 M5～M6、M8～M13N型晶体管t安定时间(settle time)具体实施方式
以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的参考电压的产生电路其具体实施方式
、结构、特征及其功效，详细说明如后。
请参阅图2所示，是依照本发明的较佳实施例所绘示的一种参考电压产生电路图。本发明的讯差放大器210接收并比较偏压电压260以及参考电压250，依比较结果输出电压211。偏压电压260在本实施例中譬如是为在1.3伏特至1.5伏特之间。增益放大器220耦接至讯差放大器210，增益放大器220接收电压211并输出电压221。源极随耦器230耦接至增益放大器220，源极随耦器230接收电压221并输出参考电压250。钳位电路240耦接至源极随耦器230，钳位电路240接收并以预定的钳位电压(本实施例中譬如约为1.6伏特)限制参考电压250的最高准位。该参考电压250输出并提供影像感测器(影像传感器)的所需，例如图1A中提供像素取样电路130所需的参考电压VCL。
上述钳位电路240可参考本实施例施作之，包括N型晶体管M11、N型晶体管M12以及N型晶体管M13。N型晶体管M11的汲极与闸极皆耦接至参考电压250。N型晶体管M12的汲极与闸极皆耦接至N型晶体管M11的源极。N型晶体管M13的汲极耦接至N型晶体管M12的源极，N型晶体管M13的源极耦接至接地准位AGND，N型晶体管M13的闸极则耦接至致能讯号enable。本实施例藉由N型晶体管M13可以视需要选择使钳位电路240致能或是禁能。当选择使钳位电路240致能，在参考电压需要大驱动电流时钳位电路240即自行打开电流通路，否则关闭该电流通路，使该电路在其它操作状态时避免不必要的耗电。N型晶体管M13可依照本发明而以其它形式的开关取代。特别强调的是，N型晶体管M13可以省略而使N型晶体管M12的源极直接耦接至接地准位AGND，其结果亦符合本发明的精神。另外，本实施例是以二级串接的N型晶体管M11与M12构成钳位电路，亦可以二级串接的二极管(图中未示)取代N型晶体管M11与M12。本实施例虽以N型晶体管或二极管实施钳位电路240，但凡是熟悉此技艺者均知，尚可依其它方式完成钳位电路240，其结果亦属于本发明技术方案的范畴。
上述的讯差放大器210可以参照本实施例施作之，包括P型晶体管M1～M4以及N型晶体管M5～M6。P型晶体管M1的源极耦接至系统电压Vdd，晶体管M1的闸极耦接至控制讯号vlp_amps。P型晶体管M2的源极耦接至晶体管M1的汲极，晶体管M2的闸极耦接至控制讯号pwr_en，而晶体管M2的汲极则同时耦接至晶体管M3的源极与晶体管M4的源极。晶体管M2是用于不使用讯差放大器210时切断电源以节省耗电。P型晶体管M3的闸极耦接至参考电压250，而P型晶体管M4的闸极则耦接至偏压电压260。由N型晶体管M5与N型晶体管M6组成NMOS电流源(currentsource)则当作讯差放大器210的有源式负载(active load)。即由晶体管M5的汲极同时耦接至晶体管M5的闸极、晶体管M6的闸极与晶体管M3的汲极，晶体管M5的源极则耦接至接地准位AGND。晶体管M6的源极耦接至接地准位AGND，晶体管M6的汲极则耦接至晶体管M4的汲极并引接输出为电压211。
上述的增益放大器220可以参照本实施例施作之，其包括P型晶体管M7、N型晶体管M8、电容C以及电阻R。晶体管M7的源极耦接至系统电压Vdd，晶体管M7的闸极耦接至控制讯号vlp_amps。电阻R的一端同时耦接至电压211及晶体管M8的闸极，电阻R的另一端则耦接至电容C的一端。在本实施例中，电阻R的阻值譬如为5K欧姆，而电容C的电容值譬如为2p法拉。晶体管M8的源极耦接至接地准位AGND，晶体管M8的汲极则同时耦接至晶体管M7的汲极以及电容C的另一端并引接输出为电压221。
上述的源极随耦器230可以参照本实施例施作之，包括N型晶体管M9以及M10。晶体管M9的闸极耦接至电压221，晶体管M9的汲极耦接至系统电压Vdd。晶体管M10的闸极耦接至控制讯号vln_sf，晶体管M10的源极耦接至接地准位AGND，晶体管M10的汲极则耦接至晶体管M9的源极并引接输出为参考电压250。
兹以图1A中提供像素取样电路130所需的参考电压VCL为例，以方便说明本发明的功效。图3是依照本发明的较佳实施例所绘示的一种参考电压仿真时序图。请同时参阅图1B、图2及图3所示。图3下方的电压对时间的关系图中标示二方块，分别为取样像素电压以及取样重置电压，其分别表示为图1B中像素取样电路130的取样像素电压期间以及取样重置电压期间。此二期间对应于图3中间的参考电压VCL(在本实施例中譬如为图2的参考电压250)对时间的关系图(或图3上方的参考电压VCL的电流Iclamp对时间的关系图)时我们可以发现，当进行取样像素电压初期因电容CS1的瞬时响应使得参考电压VCL产生负脉冲(negative pulse)，此时晶体管M10关闭并且由晶体管M9提供所需的电流，而使得参考电压VCL迅速回归原位准。当进行取样重置电压的初期，因电容CS2的瞬时响应使得参考电压VCL产生正脉冲(positive pulse)，此时晶体管M9关闭并且由晶体管M10吸收正脉冲的电流，而使参考电压VCL回归原位准。然而因为省电考量，通常晶体管M10被设计为较小电流驱动值，使得参考电压VCL需要较长时间才能回归原位准，因此造成现有习知技术的缺点。本实施例即使用钳位电路240以限制参考电压250，当参考电压VCL产生正脉冲时，钳位电路240即自行开启电流通路以吸收正脉冲的电流(此时晶体管M13须为导通状态)，而使参考电压VCL得以及时回归原位准，因此可解决习知技术的缺点。图3中时间t表示自正脉冲发生起至回归稳态(指与原位准相差小于1毫伏特)所需时间(settle time)，依本实施例的模拟结果时间t约为1.6微秒。本实施例中钳位电路240是使用二个N型晶体管串接构成，其形成的电压降大约为1.6伏，该串接的级数可依需求而定，其结果亦为本发明技术方案的范畴。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案的范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或者修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
权利要求
1.一种参考电压的产生电路，用于提供一影像感测器所需的该参考电压，其特征在于该产生电路包括一讯差放大器，用于接收并比较一偏压电压及该参考电压，依比较结果输出一第一电压；一增益放大器，耦接至该讯差放大器，用于接收该第一电压，并输出一第二电压；一源极随耦器，耦接至该增益放大器，用于接收该第二电压并输出该参考电压；以及一钳位电路，耦接至该源极随耦器，用于接收该参考电压并将该参考电压限制在一钳位电压以下。
2.根据权利要求1所述的参考电压的产生电路，其特征在于其中所述的钳位电路包括一第一二极管，该第一二极管的阳极耦接至该源极随耦器的输出端并接收该参考电压；以及一第二二极管，该第二二极管的阳极耦接至该第一二极管的阴极，该第二二极管的阴极耦接至一接地准位。
3.根据权利要求2所述的参考电压的产生电路，其特征在于其中所述的钳位电路更包括一感控开关，该感控开关耦接至该第二二极管与该接地准位之间。
4.根据权利要求1所述的参考电压的产生电路，其特征在于其中所述的钳位电路包括一第一N型晶体管，该第一N型晶体管的闸极与该第一N型晶体管的第一源/汲极耦接至该源极随耦器的输出端并接收该参考电压；以及一第二N型晶体管，该第二N型晶体管的闸极与该第二N型晶体管的第一源/汲极耦接至该第一N型晶体管的第二源/汲极，该第二N型晶体管的第二源/汲极耦接至一接地准位。
5.根据权利要求4所述的参考电压的产生电路，其特征在于其中所述的钳位电路更包括一感控开关，该感控开关耦接至该第二N型晶体管与该接地准位之间。
6.根据权利要求1所述的参考电压的产生电路，其特征在于其中所述的影像感测器是一互补式金氧半场效晶体管(CMOS)影像感测器。
7.一种参考电压的产生电路，用于提供一影像感测器所需的该参考电压，其特征在于该产生电路包括一电压随耦器，用于接收一偏压电压及该参考电压，并输出该参考电压；以及一钳位电路，耦接至该电压随耦器，用于接收该参考电压，并将该参考电压限制在一钳位电压以下。
8.根据权利要求7所述的参考电压的产生电路，其特征在于其中所述的钳位电路包括一第一二极管，该第一二极管的阳极耦接至该电压随耦器的输出端并接收该参考电压；以及一第二二极管，该第二二极管的阳极耦接至该第一二极管的阴极，该第二二极管的阴极耦接至一接地准位。
9.根据权利要求8所述的参考电压的产生电路，其特征在于其中所述的钳位电路更包括一感控开关，该感控开关耦接至该第二二极管与该接地准位之间。
10.根据权利要求7所述的参考电压的产生电路，其特征在于其中所述的钳位电路包括一第一N型晶体管，该第一N型晶体管的闸极与该第一N型晶体管的第一源/汲极耦接至该电压随耦器的输出端并接收该参考电压；以及一第二N型晶体管，该第二N型晶体管的闸极与该第二N型晶体管的第一源/汲极耦接至该第一N型晶体管的第二源/汲极，该第二N型晶体管的第二源/汲极耦接至一接地准位。
11.根据权利要求10所述的参考电压的产生电路，其特征在于其中所述的钳位电路更包括一感控开关，该感控开关耦接至该第二二极管与该接地准位之间。
12.根据权利要求7所述的参考电压的产生电路，其特征在于其中所述的影像感测器是一互补式金氧半场效晶体管(CMOS)影像感测器。
全文摘要
本发明是关于一种参考电压的产生电路，该产生电路是用于提供影像感测器所需的参考电压，该参考电压的产生电路包括讯差放大器、增益放大器、源极随耦器以及钳位电路。讯差放大器接收并比较偏压电压以及参考电压，依比较结果输出第一电压。增益放大器耦接至讯差放大器，用于接收第一电压并输出第二电压。源极随耦器耦接至增益放大器，用于接收第二电压并输出参考电压。钳位电路耦接至源极随耦器，用于接收参考电压并将参考电压限制在钳位电压以下。
文档编号H03F1/00GK1652578SQ20041000311
公开日2005年8月10日 申请日期2004年2月4日 优先权日2004年2月4日
发明者丹尼尔·凡·布勒克姆, 杨孟璋 申请人:凌阳科技股份有限公司