本实用新型涉及一种电子电路，尤其涉及一种新型同步整流电路。
背景技术：
随着社会的发展和技术进步，多种电子产品和多种电子消费品大量出现，进入到人们日常生活和生产工作中。电子技术的发展，使得电路的工作电压越来越低、电流越来越大。低电压工作有利于降低电路的整体功率消耗，但也给电源设计提出了新的难题。开关电源的损耗主要由3部分组成:功率开关管的损耗，高频变压器的损耗，输出端整流管的损耗。在低电压、大电流输出的情况下，整流二极管的导通压降较高，输出端整流管的损耗尤为突出，这就导致整流损耗增大，电源效率降低。因此，传统的二极管整流电路已无法满足实现低电压、大电流开关电源高效率及小体积的需要，成为制约DC/DC变换器提高效率的瓶颈。
技术实现要素：
为了解决上述技术问题，本实用新型目的在于提供一种新型同步整流电路。
本实用新型所述的一种新型同步整流电路，其特征在于，包括整流MOS管和续流MOS管；所述的整流MOS管串接在变压器次级下端，栅极通过第一RC模块连接变压器次级上端；所述的续流MOS管反向串接变压器次级上端，栅极通过第二RC模块连接变压器次级下端。
优选的，所述的整流MOS管栅极与漏极之间串接第一负载电阻，所述第一负载电阻用于泄放整流MOS管截止时内部结电容储存的能量。
优选的，所述的续流MOS管栅极与源极之间串接第二负载电阻，所述第二负载电阻用于泄放续流MOS管截止时内部结电容储存的能量。
优选的，所述的第一RC模块与地之间串接第一稳压管，所述第一稳压管用于防止整流MOS管栅极电压过高。
优选的，所述的第二RC模块与地之间串接第二稳压管，所述第二稳压管用于防止续流MOS管栅极电压过高。
优选的，所述的所述的整流MOS管源极与漏极两端并联第一削尖峰电路。
优选的，所述的所述的续流MOS管源极与漏极两端并联第二削尖峰电路。
本实用新型优点在于，同步整流的所有MOS管是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DC/DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。
附图说明
图1是本实用新型所述电路的结构示意图。
具体实施方式
本实用新型所述的新型同步整流电路，如图1所示包括变压器T1，电阻R1～R9、电容C1～C4、MOS管Q1、Q2、稳压二极管Z1、Z2。所述的变压器T1次级上端4连接MOS管Q1漏极，MOS管Q1源极接地；上端4还依次通过电容C2、电阻R5、R7连接MOS管Q2栅极，电R6并联在电容C2与电阻R5两端。变压器T1次级下端3连接MOS管Q2源极，MOS管Q2漏极接地；下端3还依次通过电阻R4、R2连接MOS管Q1栅极，电容C3与电阻R4并联。
其工作原理是：当变压器T1次级上端4为正时，电流经电容C2、电阻R5、R6、R7使MOS管Q2导通，电路构成回路，其中MOS管Q2为整流MOS管；MOS管Q1栅极由于处于反偏而截止。当变压器T1次级下端3为正时，电流经C3、电阻R4、R2使MOS管Q1导通，电路构成回路，其中MOS管Q1为续流MOS管；Q2栅极由于处于反偏而截止。
为了泄放MOS管Q1、Q2截止时内部结电容储存的能量，分别设置两个负载电阻R3和R8。所述的负载电阻R3一端连接MOS管Q1源极，另外一端连接电阻R2与R4的连接点。所述的负载电阻R8一端连接MOS管Q2漏极，另外一端连接电阻R5与R7的连接点。
为了防止MOS管Q1、Q2的栅极电压过高而烧坏，分别设置两个稳压二极管Z1和Z2。所述的稳压二极管Z1正极连接MOS管Q1源极，负极连接电阻R2与R4的连接点。所述的稳压二极管Z2正极连接MOS管Q2漏极，负极连接电阻R5与R7的连接点。
为了更好的获得整流效果，分别在两个MOS管Q1、Q2两端并联一个由电阻与电容串接而成的削尖峰电路。所述的MOS管Q1漏极通过电阻R1、电容C1连接MOS管Q1源极；所述的MOS管Q2源极通过电阻R9、电容C4连接MOS管Q2漏极。
对于本领域的技术人员来说，可根据以上描述的技术方案以及构思，做出其它各种相应的改变以及变形，而所有的这些改变以及变形都应该属于本实用新型权利要求的保护范围之内。