技术总结
本实用新型公开了一种新型同步整流电路，包括整流MOS管和续流MOS管；所述的整流MOS管串接在变压器次级下端，栅极通过第一RC模块连接变压器次级上端；所述的续流MOS管反向串接变压器次级上端，栅极通过第二RC模块连接变压器次级下端。优点在于，同步整流的所有MOS管是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DC/DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。
技术研发人员：邱子键
受保护的技术使用者：广东金莱特电器股份有限公司
文档号码：201621300848
技术研发日：2016.11.30
技术公布日：2017.05.31