高压输出级集成电路的制作方法

文档序号:11291391阅读:362来源:国知局
高压输出级集成电路的制造方法与工艺

本发明涉及电路技术领域,特别是涉及高压输出级集成电路。



背景技术:

目前,集成电路在工厂以及日常生活中应用非常广泛,可是高压集成电路的电压不稳,利用稳压器能够将电压稳定,却不能有效地滤除杂波,以及异常电压的调控,高压集成电路的输出电压一旦不稳或杂波不能滤除,都会对整个集成电路芯片的功能效果带来很大的影响,甚至会损坏集成电路芯片。

所以本发明提供一种新的方案来解决此问题。



技术实现要素:

针对上述情况,为克服现有技术之缺陷,本发明之目的在于提供高压输出级集成电路,具有构思巧妙、人性化设计的特性,有效地解决了高压集成电路的输出电压的稳定和滤波且能有效的调控异常电压的问题。

其解决的技术方案是,高压输出级集成电路,包括滤波电路和调幅电路,所述滤波电路串联rc电路滤去中高频杂波,同时利用运放器稳压和比例放大后输入调幅电路,调幅电路利用晶闸管和三端可控硅调幅输出稳定的电压;

所述调幅电路采用晶闸管d4和d6的负极分两路接收滤波电路的电压,分别串联电容c4和c5,通过控制三端可控硅q1和q2截止和导通,实现电压的调幅。

优选地,所述调幅电路包括晶闸管d4和d6,晶闸管d4的正极接电容c4的一端,电容c4的另一端接晶闸管d5的负极和三端可控硅q1的控制极,三端可控硅q1的阴极接晶闸管d8的正极,晶闸管d6的正极接电容c5的一端,电容c5的另一端接晶闸管d7的负极和三端可控硅q2的控制极,三端可控硅q2的阴极接晶闸管d8的负极和晶闸管d9的正极,三端可控硅q1和q2的阳极以及晶闸管d5和d7的正极接地,晶闸管d9的负极接电压输出端口。

由于以上技术方案的采用,本发明与现有技术相比具有如下优点;

1,采用晶闸管d4和d6的负极分两路接收接收滤波电路的电压,一路串联电容c4,利用电容c4通交隔直的特性滤去交流电压中的直流电压,电容c4的另一端接晶闸管d5的负极和三端可控硅q1的控制极,晶闸管d5起到保护电路的作用,三端可控硅q1的控制极电位过高(异常过高电压)则会反相导通接地,电位过低(异常过低电压)不会使三端可控硅q1触发导通,同理并联了同样的电路由晶闸管d6、d7和电容c5以及三端可控硅q2,达到调幅的效果,有效地解决了高压集成电路的输出电压的稳定和滤波且能有效的调控异常电压。

2,利用电阻r1、r2和r3分压,由于电压输入端口接收的是高压信号,经过分压处理后才能经过rc电路滤波,达到滤除中高频谐波的效果,为了保护电路又设计了二极管d1~d3保护电路,为了保证电压的频率和幅值不变,又设计了运放器ar1和ar2比例放大,保持电压的频率和幅值不变,达到滤波的效果,具有很大的实用价值和推广价值。

附图说明

图1为本发明高压输出级集成电路的电路原理图。

图2为本发明高压输出级集成电路的调幅电路原理图。

具体实施方式

有关本发明的前述及其他技术内容、特点与功效,在以下配合参考附图1至附图2对实施例的详细说明中,将可清楚的呈现。以下实施例中所提到的结构内容,均是以说明书附图为参考。

下面将参照附图描述本发明的各示例性的实施例。

实施例一,高压输出级集成电路,包括滤波电路和调幅电路,所述滤波电路串联rc电路滤去中高频杂波,同时利用运放器稳压和比例放大后输入调幅电路,调幅电路利用晶闸管和三端可控硅调幅输出稳定的电压;

所述调幅电路采用晶闸管d4和d6的负极分两路接收接收滤波电路的电压,一路串联电容c4,利用电容c4通交隔直的特性滤去交流电压中的直流电压,电容c4的另一端接晶闸管d5的负极和三端可控硅q1的控制极,晶闸管d5起到保护电路的作用,三端可控硅q1的控制极电位过高则会反相导通接地,电位过低不会使三端可控硅q1触发导通,同理并联了同样的电路由晶闸管d6、d7和电容c5以及三端可控硅q2,达到调幅的效果;所述调幅电路包括晶闸管d4和d6,晶闸管d4的正极接电容c4的一端,电容c4的另一端接晶闸管d5的负极和三端可控硅q1的控制极,三端可控硅q1的阴极接晶闸管d8的正极,晶闸管d6的正极接电容c5的一端,电容c5的另一端接晶闸管d7的负极和三端可控硅q2的控制极,三端可控硅q2的阴极接晶闸管d8的负极和晶闸管d9的正极,三端可控硅q1和q2的阳极以及晶闸管d5和d7的正极接地,晶闸管d9的负极接电压输出端口。

实施例二,在实施例一的基础上,所述滤波电路利用电阻r1、r2和r3分压,由于电压输入端口接收的是高压信号,经过分压处理后才能经过rc电路滤波,达到滤除中高频谐波的效果,为了保护电路又设计了二极管d1~d3保护电路,为了保证电压的频率和幅值不变,又设计了运放器ar1和ar2比例放大,保持电压的频率和幅值不变;电阻r1的一端接电阻r3的一端和电压输入端口,电阻r1的另一端接电阻r2和电容c1的一端以及二极管d1的负极,二极管d1的正极接二极管d2的正极,二极管d2的负极接运放器ar1的正相输入端,运放器ar1的反相输入端接电阻r5的一端,运放器ar1的输出端接电阻r4的一端和二极管d3的负极,电阻r4的另一端接电阻r3的另一端和电容c2、c3的一端以及电阻r6的一端,二极管d3的正极接电容c2和电阻r6的另一端以及电阻r7的一端以及运放器ar2的正相输入端,运放器ar2的反相输入端接电阻r8的一端,运放器ar2的输出端接电阻r7和电容c3的另一端以及电阻r9的一端,电阻r9的另一端接晶闸管d4的负极,电阻r8、r5、r2的另一端和电容c1的另一端共端点接地。

本发明具体使用时,高压输出级集成电路,包括滤波电路和调幅电路,所述滤波电路串联rc电路滤去中高频杂波,同时利用运放器稳压和比例放大后输入调幅电路,调幅电路利用晶闸管和三端可控硅调幅输出稳定的电压;所述滤波电路利用电阻r1、r2和r3分压,由于电压输入端口接收的是高压信号,经过分压处理后才能经过rc电路滤波,达到滤除中高频谐波的效果,为了保护电路又设计了二极管d1~d3保护电路,为了保证电压的频率和幅值不变,又设计了运放器ar1和ar2比例放大,保持电压的频率和幅值不变;所述调幅电路采用晶闸管d4和d6的负极分两路接收接收滤波电路的电压,一路串联电容c4,利用电容c4通交隔直的特性滤去交流电压中的直流电压,电容c4的另一端接晶闸管d5的负极和三端可控硅q1的控制极,晶闸管d5起到保护电路的作用,三端可控硅q1的控制极电位过高(异常过高电压)则会反相导通接地,电位过低(异常过低电压)不会使三端可控硅q1触发导通,同理并联了同样的电路由晶闸管d6、d7和电容c5以及三端可控硅q2,达到调幅的效果,有效地解决了高压集成电路的输出电压的稳定和滤波且能有效的调控异常电压。

以上所述是结合具体实施方式对本发明所作的进一步详细说明,不能认定本发明具体实施仅局限于此;对于本发明所属及相关技术领域的技术人员来说,在基于本发明技术方案思路前提下,所作的拓展以及操作方法、数据的替换,都应当落在本发明保护范围之内。



技术特征:

技术总结
本发明公开了高压输出级集成电路,包括滤波电路和调幅电路,滤波电路串联RC电路滤去中高频杂波,同时利用运放器稳压和比例放大后输入调幅电路,调幅电路利用晶闸管和三端稳压管调幅输出稳定的电压;采用晶闸管D4和D6的负极分两路接收接收滤波电路的电压,一路串联电容C4,利用电容C4通交隔直的特性滤去交流电压中的直流电压,电容C4的另一端接晶闸管D5的负极和三端可控硅Q1的控制极,晶闸管D5起到保护电路的作用,三端可控硅Q1的控制极电位过高则会反相导通接地,电位过低不会使三端可控硅Q1触发导通,同理并联了同样的电路由晶闸管D6、D7和电容C5以及三端可控硅Q2,有效地解决了高压集成电路的输出电压的稳定和滤波且能有效的调控异常电压。

技术研发人员:李迪;费春龙;杨银堂;周歧发;柴常春;李娅妮
受保护的技术使用者:西安电子科技大学
技术研发日:2017.07.25
技术公布日:2017.09.22
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