1.一种包括能够控制脉冲宽度调制的多个开关器件的转换器控制装置,所述转换器控制装置包括:
效率确定器,其被配置为可变地改变栅极端子的电阻,其中基于流过所述转换器的电流的量,将用于控制所述开关器件的脉冲宽度调制的脉冲宽度调制信号施加到栅极端子。
2.根据权利要求1所述的转换器控制装置,其中所述效率确定器包括:
负载量确定器,其被配置为:
检测流过所述转换器的所述电流的量;
将流过所述转换器的所述电流的量与预设参考值进行比较;以及
确定所述转换器的负载的量是重负载还是轻负载;以及
栅极电阻设置单元,其被配置为:
当由所述负载量确定器确定的所述转换器的负载的量是所述重负载时,增加所述栅极端子的电阻;以及
当由所述负载量确定器确定的所述转换器的负载的量是所述轻负载时,减小所述栅极端子的电阻。
3.根据权利要求2所述的转换器控制装置,其中所述负载量确定器包括:
电流变换器,其被配置为输出对应于流过所述转换器的电流的量的电流;
电阻器,其被配置为产生对应于所述电流变换器输出的电流的量的检测电压;以及
比较器,其被配置为输出所述检测电压与所述预设参考电压之间的比较结果。
4.根据权利要求2所述的转换器控制装置,其中所述栅极电阻设置单元包括:
第一电阻器,其中所述第一电阻器的一端连接到所述栅极端子,并且所述脉冲宽度调制信号被输入到所述第一电阻器的另一端;
第二电阻器,其中所述第二电阻器串联连接到开关,并且所述第二电阻器和所述开关之间的串联连接并联连接到所述第一电阻器;以及
开关,其中基于所述负载量确定器确定的所述转换器的负载的量是所述重负载还是所述轻负载来将所述开关确定为短路或开路。
5.根据权利要求4所述的转换器控制装置,其中当由所述负载量确定器确定的所述转换器的负载的量是所述重负载时,所述开关被开路;以及
当由所述负载量确定器确定的所述转换器的负载的量是所述轻负载时,所述开关短路。
6.根据权利要求5所述的转换器控制装置,其中:
所述开关为p-MOSFET,所述p-MOSFET的漏极和源极分别连接到所述第一电阻器和所述第二电阻器;以及
所述栅极电阻设置单元包括:
第一晶体管,包括:
集电极,其连接到所述p-MOSFET的栅极;以及
发射极,其中负电压值被施加到所述发射极;以及
第二晶体管,包括:
集电极,其连接到所述第一晶体管的基极;
接地的发射极;以及
基极,其中由所述负载量确定器确定的所述转换器的所述负载的量被施加到所述基极。
7.根据权利要求1所述的转换器控制装置,进一步包括:
控制器,其被配置为控制所述效率确定器以便以预定周期重复地改变所述栅极端子的所述电阻,而与流过所述转换器的所述电流的量无关。
8.根据权利要求4所述的转换器控制装置,进一步包括:
控制器,其被配置为控制所述开关,其中所述开关以预定周期被重复地短路或开路,而与流过所述转换器的所述电流的量无关。
9.一种包括多个开关器件的转换器控制装置,其中用于控制所述开关器件的脉冲宽度调制的脉冲宽度调制信号被施加到栅极端子,所述转换器控制装置包括:
负载量确定器,包括:
电流变换器,其被配置为输出对应于流过所述转换器的电流的量的电流;
电阻器,其被配置为生成对应于由所述电流变换器输出的电流的量的检测电压;以及
比较器,其被配置为输出所述检测电压和预设参考电压之间的比较结果;以及
第一电阻器,所述第一电阻器的一端连接到所述栅极端子,并且所述脉冲宽度调制信号被输入到所述第一电阻器的另一端;
第二电阻器,其中所述第二电阻器串联连接到开关,并且所述第二电阻器和所述开关之间串联连接后并联连接到所述第一电阻器;以及
开关,其中基于所述比较器的所述比较结果将所述开关确定为短路或开路。
10.根据权利要求9所述的转换器控制装置,其中:
当所述检测电压大于所述参考值时,所述比较器被配置为输出第一确定信号,并且当所述检测电压小于所述参考值时,所述比较器被配置为输出第二确定信号;以及
当所述比较器输出所述第一确定信号时,所述开关被开路,并且当所述比较器输出所述第二确定信号时,所述开关短路。
11.根据权利要求10所述的转换器控制装置,其中:
所述开关为p-MOSFET,其中所述p-MOSFET的漏极和源极分别连接到所述第一电阻器和所述第二电阻器;以及
所述栅极电阻设置单元包括:
第一晶体管,包括:
集电极,其连接到所述p-MOSFET的栅极;以及
发射极,其中负电压值被施加到所述发射极;以及
第二晶体管,包括:
集电极,其连接到所述第一晶体管的基极;
接地的发射极;以及
基极,其中所述第一确定信号或所述第二确定信号被施加到所述基极。
12.一种包括多个开关器件的转换器控制装置,其中用于控制所述开关器件的脉冲宽度调制的脉冲宽度调制信号被施加到栅极端子,所述转换器控制装置包括:
栅极电阻设置单元,包括:
第一电阻器,其中所述第一电阻器的一端连接到所述栅极端子,并且所述脉冲宽度调制信号被输入到所述第一电阻器的另一端;
第二电阻器,其中所述第二电阻器串联连接到开关;以及
开关,其中所述第二电阻器与所述开关之间串联连接后并联连接到所述第一电阻器;以及
控制器,其被配置为控制所述开关,其中所述开关以预定周期重复地短路或开路。
13.根据权利要求12所述的转换器控制装置,其中:
所述开关为p-MOSFET,其中所述p-MOSFET的漏极和源极分别连接到所述第一电阻器和所述第二电阻器;以及
所述栅极电阻设置单元包括:
第一晶体管,包括:
集电极,其连接到所述p-MOSFET的栅极;以及
发射极,其中负电压值被施加到所述发射极;以及
第二晶体管,包括:
集电极,其连接到所述第一晶体管的基极;
接地的发射极;以及
基极,其中所述控制器的控制信号被输入到所述基极。