一种限流保护控制电路的制作方法

文档序号:11343284阅读:374来源:国知局
一种限流保护控制电路的制造方法与工艺

本实用新型涉及限流保护控制电路,具体涉及一种用于单片机的限流保护控制电路。



背景技术:

目前,电源给多个设备供电时,每个设备都需要在额定的功率下才能正常运行。若运行过程中某个设备短路或功耗突然增大,将导致电源对其输出增加,从而影响其它设备的运行。为了避免上述情况的发生,应在电源和设备之间增加限流保护装置。

附图1所示得目前的一种限流保护电路,其工作原理为,当电流小于设定值时,由R11提供Q11的偏置电流,Q11饱和导通,对电流不起控制作用;当电流大于或等于设定值时,R31上的压降增大,R31上的压降与三极管结压的和接近R21的压降,于是开始限制Q11通过的电流,这样就把电流限制在一定的水平。这种电路存在的问题为,通过的电流很小,使用电阻R21限流不精确,当电流持续过大时三极管有烧坏的风险,不能彻底断开电源与负载的连接,当限流保护后也不能延时一段时间再启动供电。



技术实现要素:

本实用新型针对上述问题,提供一种限流保护控制电路,包括限流保护电路、继电器控制电路;所述限流保护电路与外部输入电源相连;所述继电器控制电路一端连接限流保护电路,另一端连接输出端子,通过单片机控制闭合或断开;

所述限流保护电路包括电阻R1 、R2 、R3,三极管Q1,稳压管Z1,PMOS管T1;所述三极管Q1的发射极连接电阻R1的一端,基极连接电阻R2的一端,集电极连接稳压管Z1的阳极;所述电阻R1的一端连接稳压管Z1的阴极;所述电阻R2的一端连接稳压管Z1的阴极;所述电阻R3的一端连接稳压管Z1的阳极,另一端连接电源地;所述PMOS管的栅极连接稳压管Z1的阳极,源极连接稳压管的阴极,漏极连接继电器控制电路输入端;

所述继电器控制电路包括继电器K1、三极管Q2、电阻R4、二极管D1;所述继电器K1的线圈一端连接24V电源正,另一端连接三极管Q2的集电极;所述二极管D1的负极连接继电器线圈的正端,正极连接继电器线圈的负端;所述三极管Q2的集电极连接继电器K1线圈的负端,基极连接电阻R4的一端,发射极连接电源地;所述电阻R4的一端连接三极管Q2的基极,另一端连接单片机的IO口。

进一步地,所述电阻R1阻值为0.1欧姆。

更进一步地,所述电阻R2阻值为1千欧姆。

更进一步地,所述电阻R3阻值为100千欧姆。

更进一步地,所述电阻R4阻值为10千欧姆。

本实用新型的优点:

本实用新型的单片机限流保护控制电路,通过PMOS管的导通特性和单片机控制继电器的闭合、断开,实现电源与负载之间的完全隔离。同时,能够延时再次开启继电器重新给负载供电,有效的保证其它负载的正常工作。

除了上面所描述的目的、特征和优点之外,本实用新型还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图,对本实用新型作进一步详细的说明。

附图说明

构成本申请的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解,本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的不当限定。

图1是目前的限流保护电路的原理图;

图2是本实用新型实施例的限流保护控制电路原理图 。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。

参考图2,如图2所示的一种限流保护控制电路,包括限流保护电路、继电器控制电路;所述限流保护电路与外部输入电源相连;实现过流保护功能;所述继电器控制电路一端连接限流保护电路,另一端连接输出端子,通过单片机控制闭合或断开;

所述限流保护电路包括电阻R1 、R2 、R3,三极管Q1,稳压管Z1,PMOS管T1;所述三极管Q1的发射极连接电阻R1的一端,基极连接电阻R2的一端,集电极连接稳压管Z1的阳极;所述电阻R1的一端连接稳压管Z1的阴极;所述电阻R2的一端连接稳压管Z1的阴极;所述电阻R3的一端连接稳压管Z1的阳极,另一端连接电源地;所述PMOS管的栅极连接稳压管Z1的阳极,源极连接稳压管的阴极,漏极连接继电器控制电路输入端;

所述继电器控制电路包括继电器K1、三极管Q2、电阻R4、二极管D1;所述继电器K1的线圈一端连接24V电源正,另一端连接三极管Q2的集电极;所述二极管D1的负极连接继电器线圈的正端,正极连接继电器线圈的负端;所述三极管Q2的集电极连接继电器K1线圈的负端,基极连接电阻R4的一端,发射极连接电源地;所述电阻R4的一端连接三极管Q2的基极,另一端连接单片机的IO口。

所述电阻R1阻值为0.1欧姆。

所述电阻R2阻值为1千欧姆。

所述电阻R3阻值为100千欧姆。

所述电阻R4阻值为10千欧姆。

优选的,所述PMOS管T1的型号为IRF5305。

优选的,所述三极管Q1型号为CS9015, 三极管Q2型号为CS9014,二极管D1型号为LBAS16LT1,稳压管Z1型号为LBZX84C12V5。

本实施例单片机限流保护控制电路的具体工作过程:当电路输出端Vout与GND短路时,通过电阻R1的电流增大,R1两端电压值也相应增加。三极管Q1的发射极与基极电压超过其开启电压而导通。三极管导通后,因为PMOS的栅极电压不再小于源极,所以PMOS管截止。单片机采集输出电压降低,则控制继电器断开。

本实用新型的单片机限流保护控制电路,通过PMOS管的导通特性和单片机控制继电器的闭合、断开,实现电源与负载之间的完全隔离。同时,能够延时再次开启继电器重新给负载供电,有效的保证其它负载的正常工作。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

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