开关电源过压保护电路的制作方法

文档序号:14679957发布日期:2018-06-12 22:05阅读:来源:国知局
开关电源过压保护电路的制作方法

技术特征:

1.开关电源过压保护电路,包括串联型MOS管稳压电路(1)和RCD吸收电路(2),其特征在于,还增设有高压使能电路(3),所述的高压使能电路(3)包括第二二极管(VD2)和第五电阻(R5),所述的第二二极管(VD2)连接串联型MOS管稳压电路(1),第五电阻(R5)一端连接由RCD吸收电路(2)产生的开关电源变压器的漏感电压以及二次侧耦合到一次侧的电压。

2.根据权利要求1所述的开关电源过压保护电路,其特征在于,所述的第二二极管(VD2)的负极连接串联型MOS管稳压电路(1),第二二极管(VD2)的正极连接第五电阻(R5)的一端,第五电阻(R5)的另一端连接由RCD吸收电路(2)产生的开关电源变压器的漏感电压以及二次侧耦合到一次侧的电压。

3.根据权利要求2所述的开关电源过压保护电路,其特征在于,所述的串联型MOS管稳压电路(1)包括第一MOS管(V1)、第一压敏电阻(RV1)、第一电阻(R1)、第一电容(C1)、第一二极管(VD1)、第三电阻(R3)、第一瞬变电压抑制二极管(TVS1)、第二瞬变电压抑制二极管(TVS2)。

4.根据权利要求3所述的开关电源过压保护电路,其特征在于,所述的第一电阻(R1)的一端连接三相四线整流输入,所述的第一MOS管(V1)的1脚连接第一电阻(R1)的另一端,所述的第一电容(C1)一端连接第一MOS管(V1)的3脚,另一端连接第一电阻(R1)的另一端,所述的、第一二极管(VD1)一端连接第一MOS管(V1)的3脚,另一端连接第一电阻(R1)的另一端,所述的第一压敏电阻(RV1)一端连接第一MOS管(V1)的2脚,另一端连接第一MOS管(V1)的3脚,所述的第三电阻(R3)一端与第一电阻(R1)的另一端相连接,另一端与第一瞬变电压抑制二极管(TVS1)的一端,第一瞬变电压抑制二极管(TVS1)另一端连接第二瞬变电压抑制二极管(TVS2)的一端,第二瞬变电压抑制二极管(TVS2)的另一端连接三相四线整流输入,并且接地。

5.根据权利要求4所述的开关电源过压保护电路,其特征在于,所述的RCD吸收电路(2)包括第二电容(C2)、第二电阻(R2)、第一电感(FR1)、二极管(D1)、变压器(Np)。

6.根据权利要求5所述的开关电源过压保护电路,其特征在于,所述的第二电容(C2)的一端连接串联型MOS管稳压电路(1),另一端连接第二电阻(R2)的另一端,第二电阻(R2)的一端与第二电容(C2)的一端连接,第二电阻(R2)的另一端连接第一电感(FR1)的一端,第一电感(FR1)的另一端连接二极管(D1)的负极,二极管(D1)的正极连接变压器(Np)的一端,变压器(Np)的另一端连接第二电容(C2)的一端。

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