1.一种提高主电路断开响应速度的保护电路，包括主电路，其特征在于在所述主电路上依次串联连接有电流采样器、切断开关和负载；在所述电流采样器的两端连接有保护电路，所述保护电路包括将从所述电流采样器转化后的电压信号进行放大滤波的信号调理模块，所述信号调理模块分别与单路或者多路并联连接的比较器串联，所述比较器分别与或门串联连接；一MOSFET驱动管串联在所述或门与所述切断开关之间，为所述切断开关提供开关切断的电信号；
所述切断开关包括上盖、下盖及设置在所述上盖和下盖之间的与所述主电路连接的导电板，在所述上盖中设置有气体发生装置及位于气体发生装置下方的用于断开所述导电板的活塞；所述气体发生装置包括点火装置，所述MOSFET驱动管与所述点火装置串联连接为其提供点火电信号。
2.根据权利要求1所述的提高主电路断开响应速度的保护电路，其特征在于在所述活塞的冲击端端面上设置有冲击尖端，对应所述冲击尖端的所述导电板上对应开设有使所述导电板易断开的断裂凹槽。
3.根据权利要求1所述的提高主电路断开响应速度的保护电路，其特征在于所述点火装置包括发热丝，所述发热丝与所述MOSFET驱动管串联。
4.根据权利要求1所述的提高主电路断开响应速度的保护电路，其特征在于所述比较器的电流阈值设定一端串联有电流阈值调节电阻。
5.根据权利要求1所述的提高主电路断开响应速度的保护电路，其特征在于在所述或门与所述MOSFET驱动管之间串联有限流电阻。
6.根据权利要求1所述的提高主电路断开响应速度的保护电路，其特征在于在所述MOSFET驱动管间的栅极与源极间设置有放电电阻并接地。
7.根据权利要求1所述的提高主电路断开响应速度的保护电路，其特征在于所述电流采样器为锰铜分流器。
8.根据权利要求7所述的提高主电路断开响应速度的保护电路，其特征在于所述锰铜分流器包括位于两端的接线端，在所述接线端之间倾斜平行间隔设置有若干分流电阻。
9.根据权利要求1所述的提高主电路断开响应速度的保护电路，其特征在于在所述电流采样器与所述负载之间还设置与所述切断开关并联的单个或者多个灭弧用熔体熔断型熔断器。