1.一种用于GaN功率集成模块的欠压封锁电路，其特征是：包括3个电压检测电阻、1个偏置电阻、1个电压钳位二极管、1个滤波电容C1、8个NMOS管和8个PMOS管；
所述用于GaN功率集成模块的欠压封锁电路的连接关系为：第一电压检测电阻R1的上端接高侧电压VCC，第一电压检测电阻R1的下端接第二电压检测电阻R2的上端、滤波电容C1的上端和第一NMOS管M1的栅端；第二电压检测电阻R2的下端接第三电压检测电阻R3的上端和第十六NMOS管M16的漏端；第三电压检测电阻R3和滤波电容C1的下端均接低侧电压COM；第一NMOS管M1的漏端连接到第三PMOS管M3的漏端和栅端，还连接到第四PMOS管的M4的栅端；第一NMOS管M1的源端连接到第二NMOS管M2的源端；第二NMOS管M2的栅端连接到钳位二极管DZ1的正端和第六PMOS管M6的漏端，第二NMOS管M2的漏端连接到第四PMOS管的M4的漏端和第九PMOS管M9的栅端；第五NMOS管M5的漏端连接到第一NMOS管M1的源端和第二NMOS管M2的源端，第五NMOS管M5的栅端连接到第十NMOS管M10的和第十一NMOS管M11的栅端，第五NMOS管M5的栅端还连接到第十NMOS管M10的漏端和第八PMOS管M8的漏端；第六PMOS管M6的栅端连接到第七PMOS管M7的栅端和漏端，以及偏置电阻R4的上端；第六PMOS管M6的栅端还连接到第八PMOS管M8的栅端；第十一NMOS管M11的漏端连接到第九PMOS管M9的漏端，还连接到第十三NMOS管M13和第十二PMOS管M12的栅端；第十三NMOS管M13和第十二PMOS管M12的漏端相连，还连接到第十五NMOS管M15和第十四PMOS管M14的栅端；第十五NMOS管M15和第十四PMOS管M14的漏端相连，还连接到第十六NMOS管M16的栅端；除第一NMOS管M1的源端和第二NMOS管M2之外的其他NMOS管的源端均连接到低侧电压COM，所有NMOS管的衬底端均连接到低侧电压COM，所有PMOS管的源端均连接到高侧电压VCC，所有PMOS管的衬底端均连接到高侧电压VCC。
2.根据权利要求1所述的用于GaN功率集成模块的欠压封锁电路，其特征是：R4、DZ1、M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9、M10和M11构成的电路为一个迟滞电压比较器，比较器的负端为M1的栅端电压，比较器的正端电压为参考电压。