技术总结
本实用新型公开一种用于GaN功率集成模块的欠压封锁电路，包括3个电压检测电阻、1个偏置电阻、1个电压钳位二极管、1个滤波电容C1、8个NMOS管和8个PMOS管；该欠压封锁电路可以自动检测驱动电压高低，当电压过低时自动关断GaN FETs器件，并且可以滤除高侧和低侧电源电压上出现的尖峰毛刺信号的干扰，保证GaN FETs的工作特性处于安全区。
技术研发人员：胡一波;黄伟;程德明;胡文新;丁士凤;许晶晶
受保护的技术使用者：黄山市祁门新飞电子科技发展有限公司
技术研发日：2018.11.27
技术公布日：2019.06.11