发送电路和电源电路的制作方法

文档序号:18735979发布日期:2019-09-21 01:11阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种发送电路,所述发送电路被设计为在包括变压器的电子转换器中发送反馈信号,所述变压器具有初级绕组和次级绕组,所述发送电路包括:

第一n-MOSFET,被配置为向所述次级绕组选择性地传送能量以便发送所述反馈信号;

第二n-MOSFET,具有连接到所述第一n-MOSFET的栅极的漏极和连接到所述第一n-MOSFET的源极的源极;以及

驱动器电路,被配置为驱动所述第二n-MOSFET,其中所述驱动器电路包括:

电荷累积电容器,连接到所述第二n-MOSFET的栅极;

充电电路,被配置为从所述第一n-MOSFET的漏极汲取能量并且利用所汲取的能量对所述电荷累积电容器充电;以及

去耦合电容器,具有第一端子和第二端子,所述第一端子被耦合到所述次级绕组的端子,所述第二端子被耦合到所述电荷累积电容器以及所述第二n-MOSFET的栅极。

2.根据权利要求1所述的发送电路,其中所述驱动器电路还包括连接在所述去耦合电容器的所述第二端子与所述电荷累积电容器之间的第一二极管。

3.根据权利要求2所述的发送电路,其中所述驱动器电路还包括连接在基准电压节点与所述去耦合电容器的所述第二端子之间的第二二极管。

4.根据权利要求1所述的发送电路,其中所述驱动器电路还包括与所述电荷累积电容器并联连接的钳位二极管。

5.根据权利要求1所述的发送电路,其中所述驱动器电路还包括晶体管开关,所述晶体管开关用于根据所述反馈信号选择性地激活和去激活所述电荷累积电容器的充电。

6.一种电源电路,包括:

切换级,包括:

a)具有初级绕组和次级绕组的变压器;

b)设置在所述变压器的初级侧上的至少一个电子开关,用于通过所述初级绕组向所述次级绕组选择性地传送能量;以及

c)设置在所述变压器的次级侧上的蓄能器,其中所述蓄能器由向所述至少一个次级绕组传送的所述能量充电;

监视电路,被配置用于监视在所述变压器的所述次级侧上的至少一个信号并且根据所述至少一个信号生成反馈信号;以及

发送电路,设置在所述变压器的所述次级侧上,其中所述发送电路包括:

a)第一MOSFET开关,其漏极连接到所述次级绕组的端子,并且被配置用于从所述蓄能器向所述次级绕组选择性地传送能量以便发送所述反馈信号;

b)第二MOSFET开关,其漏极连接到所述第一MOSFET开关的栅极,其中第一MOSFET开关的源极连接到所述第二MOSFET开关的源极;以及

c)用于驱动所述第二MOSFET开关的栅极的驱动器电路,其中所述驱动器电路包括:

电荷累积电容器,被配置为存储用于施加到所述第二MOSFET开关的所述栅极的控制电压;以及

充电电路,被配置用于从所述次级绕组汲取能量并且通过所汲取的能量对所述电荷累积电容器充电。

7.根据权利要求6所述的电源电路,其中所述充电电路包括连接到所述次级绕组的所述端子的去耦合电容器。

8.根据权利要求7所述的电源电路,其中所述充电电路包括布置在所述去耦合电容器与所述电荷累积电容器之间的多个二极管,用于将在所述次级绕组的所述端子上的电压的上升转变传送到所述电荷累积电容器上。

9.根据权利要求7所述的电源电路,其中所述充电电路包括布置在所述去耦合电容器与所述电荷累积电容器之间的多个二极管,用于将在所述次级绕组的所述端子上的电压的下降转变传送到所述电荷累积电容器上。

10.根据权利要求6所述的电源电路,其中所述驱动器电路包括晶体管开关,所述晶体管开关用于根据所述反馈信号选择性地激活和去激活所述电荷累积电容器的充电。

11.根据权利要求6所述的电源电路,其中所述驱动器电路包括用于限制跨所述电荷累积电容器的电压的钳位电路。

12.根据权利要求6所述的电源电路,其中所述切换级是反激转换器,所述反激转换器包括连接在所述次级绕组与所述蓄能器之间的输出二极管,用于通过向所述次级绕组传送的所述能量对所述蓄能器充电。

13.根据权利要求12所述的电源电路,其中所述输出二极管的阳极连接到所述蓄能器的第一端子,并且所述输出二极管的阴极连接到所述次级绕组的所述端子,并且其中所述充电电路被配置用于从所述次级绕组的所述端子汲取能量。

14.根据权利要求6所述的电源电路,其中所述第一MOSFET开关和所述第二MOSFET开关是n型MOSFET。

15.一种发送电路,用于在包括变压器的电子转换器中发送反馈信号,所述变压器具有初级绕组和次级绕组,所述发送电路包括:

第一MOSFET开关,具有连接到所述次级绕组的端子的导电端子,并且被配置为控制向所述次级绕组的能量的选择性传送,以便发送所述反馈信号;

第二MOSFET开关,具有连接到所述第一MOSFET开关的栅极的导电端子,并且被配置用于控制所述第一MOSFET开关的启动;以及

驱动器电路,被配置为驱动所述第二MOSFET的栅极,其中所述驱动器电路包括:

电荷累积电容器,连接到所述第二MOSFET开关的栅极;以及

充电电路,被配置为从所述次级绕组的所述端子取能量并且利用所汲取的能量对所述电荷累积电容器充电。

16.根据权利要求15所述的发送电路,其中所述驱动器电路还包括:去耦合电容器,具有第一端子和第二端子,所述第一端子被耦合到所述次级绕组的所述端子,所述第二端子被耦合到所述电荷累积电容器以及所述第二MOSFET开关的栅极。

17.根据权利要求16所述的发送电路,其中所述驱动器电路还包括连接在所述去耦合电容器的所述第二端子与所述电荷累积电容器之间的第一二极管。

18.根据权利要求17所述的发送电路,其中所述驱动器电路还包括连接在基准电压节点与所述去耦合电容器的所述第二端子之间的第二二极管。

19.根据权利要求15所述的发送电路,其中所述驱动器电路还包括与所述电荷累积电容器并联连接的钳位二极管。

20.根据权利要求15所述的发送电路,其中所述驱动器电路还包括晶体管开关,所述晶体管开关用于根据所述反馈信号选择性地激活和去激活所述电荷累积电容器的充电。

21.根据权利要求15所述的发送电路,被实现为集成电路。

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