1.一种低漏电流充电泵电路，其特征在于，该低漏电流充电泵电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第一反相器、第二反相器、电容、运算放大器、第一电流源、第一电流镜电路以及第二电流镜电路；
所述第一晶体管的栅极连接至所述第一反相器的输入端，并作为Vsp控制信号输入端；
所述第一晶体管的漏极分别连接至所述第三晶体管的漏极、所述电容的正极端以及所述运算放大器的正输入端，并作为Vcp信号输出端；
所述第一晶体管的源极分别连接至所述第二晶体管的源极和所述第一电流镜电路的输出端，所述第一晶体管的衬底分别连接至所述第二晶体管的衬底、所述第五晶体管的源极以及所述第一电流源的输出端；
所述第二晶体管的栅极连接至所述第一反相器的输出端，所述第二晶体管的漏极分别连接至所述第四晶体管的漏极、所述第五晶体管的栅极、所述运算放大器的负输入端以及所述运算放大器的输出端；
所述第三晶体管的栅极连接至所述第二反相器的输入端，并作为Vsn控制信号输入端；
所述第三晶体管的源极分别连接至所述第四晶体管的源极和所述第二电流镜电路的输出端；
所述第三晶体管的衬底、所述第四晶体管的衬底、所述第五晶体管的漏极以及所述电容的负极端均连接至接地；
所述第四晶体管的栅极连接至所述第二反相器的输出端；
所述第五晶体管的衬底和所述第一电流源的输入端分别连接至电源电压；
所述第一电流镜电路和所述第二电流镜电路均为提供镜像电流的模拟电路。
2.根据权利要求1所述的低漏电流充电泵电路，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管及所述第五晶体管均为PMOS管，所述第三晶体管和所述第四晶体管均为NMOS管。
3.根据权利要求1所述的低漏电流充电泵电路，其特征在于，所述第一电流镜电路包括第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管以及第二电流源；
所述第六晶体管的源极、所述第六晶体管的衬底、所述第七晶体管的源极、所述第七晶体管的衬底、所述第八晶体管的衬底以及所述第九晶体管的衬底均连接至电源电压；
所述第六晶体管的栅极分别连接至所述第六晶体管的漏极、所述第七晶体管的栅极以及所述第八晶体管的源极；
所述第七晶体管的漏极连接至所述第九晶体管的源极；
所述第八晶体管的栅极分别连接至所述第八晶体管的漏极、所述第九晶体管的栅极以及所述第二电流源的输入端；
所述第九晶体管的漏极作为所述第一电流镜电路的输出端；
所述第二电流源的输出端连接至接地。
4.根据权利要求3所述的低漏电流充电泵电路，其特征在于，所述第六晶体管、所述第七晶体管、所述第八晶体管以及所述第九晶体管均为PMOS管。
5.根据权利要求1所述的低漏电流充电泵电路，其特征在于，所述第二电流镜电路包括第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管、第十三晶体管以及第三电流源；
所述第十晶体管的源极、所述第十晶体管的衬底、所述第十一晶体管的源极、所述第十一晶体管的衬底、所述第十二晶体管的衬底以及所述第十三晶体管的衬底均连接至接地；
所述第十晶体管的栅极分别连接至所述第十晶体管的漏极、所述第十一晶体管的栅极以及所述第十二晶体管的源极；
所述第十一晶体管的漏极连接至所述第十三晶体管的源极；
所述第十二晶体管的栅极分别连接至所述第十二晶体管的漏极、所述第十三晶体管的栅极以及所述第三电流源的输出端；
所述第十三晶体管的漏极作为所述第二电流镜电路的输出端；
所述第三电流源的输入端连接至电源电压。
6.根据权利要求5所述的低漏电流充电泵电路，其特征在于，所述第十晶体管、所述第十一晶体管、所述第十二晶体管以及所述第十三晶体管均为PMOS管。