一种改变充电方式的高磁通隔磁片的制作方法

本发明涉及磁芯领域，具体涉及一种改变充电方式的高磁通隔磁片。

背景技术：

隔磁片广泛应用于无线充电、近距离无线通讯(nfc)和射频识别(rfid)技术领域，可制成无线充电器中的导磁片、nfc和rfid设备中的隔磁片。

目前所使用的隔磁片都是经过高温烧结而成的磁性薄片，但是由于现有的无线通讯的技术愈发成熟，实现远距离的无线充电已经变成可能，但是现有的铁氧体隔磁片已经无法满足要求，即隔磁片无法实现高磁通量，给充电器交感磁场提供回路，造成效率低，另外隔磁片产生的热量无法影响线路主板，使充电器不能正常工作。

技术实现要素：

本发明提供一种改变充电方式的高磁通隔磁片，结构合理简单，具有良好的高磁性能、良好的导热性能。

为实现上述目的，本一种改变充电方式的高磁通隔磁片包括高分子基层、磁片层和隔磁层；

高分子基层、磁片层和隔磁层从下往上依次铺设，磁片层包括上磁层和下磁层，所述上磁层下端设有多个上凹的第一凹槽，多个第一凹槽左右布置，下磁层上端设有多个下凹的第二凹槽，多个第二凹槽左右布置，并与多个第一凹槽对应设置，形成多个腔体，腔体内设有纳米层；

所述隔磁层包括铜板层和石墨层，石墨层通过双面胶铺设在铜板层上端。

进一步的，所述第一凹槽与第二凹槽均为半圆柱结构。

进一步的，所述纳米层为四氧化三铁纳米磁粉。

进一步的，所述上磁层厚度为20-200μm，所述下磁层厚度为20-200μm。

进一步的，所述腔体直径为10-100μm。

进一步的，所述隔磁层还包括树脂层，树脂层铺设在石墨层的上方，并且厚度为40-200μm。

进一步的，所述铜板层厚度为0.5-1.8μm。

与现有技术相比，本一种改变充电方式的高磁通隔磁片由于磁片层由上磁层和下磁层组成，并且之间设有纳米材料，纳米材料在腔体中定向移动，增加高磁通量，使得本隔磁片具有良好的电磁性能，磁损小、高磁通量，另外设置隔磁层，通过铜板层和石墨层不仅实现对其电磁的隔离，而且有效进行导热。

附图说明

图1是本发明的整体示意图；

图中：1、高分子基层，21、下磁层，22、上磁层，23、纳米层，3、铜板层，4、石墨层，5、树脂层。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步说明。

如图1所示，本一种改变充电方式的高磁通隔磁片包括高分子基层1、磁片层和隔磁层；

高分子基层1、磁片层和隔磁层从下往上依次铺设，高分子基层1可以为pet单面胶，方便将磁片层固定在其上；

磁片层包括上磁层22和下磁层21，所述上磁层22下端设有多个上凹的第一凹槽，多个第一凹槽左右布置，下磁层21上端设有多个下凹的第二凹槽，多个第二凹槽左右布置，并与多个第一凹槽对应设置，形成多个腔体，腔体内设有纳米层23；

所述隔磁层包括铜板层3和石墨层4，石墨层4通过双面胶铺设在铜板层3上端；

进一步的，所述第一凹槽与第二凹槽均为半圆柱结构；因此腔体为圆柱形结构，将纳米材料放置在圆柱形腔体中，使得纳米材料在圆柱形腔体中定向移动，增加高磁通量；

进一步的，所述纳米层23为四氧化三铁纳米磁粉。

进一步的，所述上磁层22厚度为20-200μm，所述下磁层21厚度为20-200μm；

进一步的，所述腔体直径为10-100μm；

进一步的，所述隔磁层还包括树脂层5，树脂层5铺设在石墨层4的上方，并且厚度为40-200μm；

进一步的，所述铜板层3厚度为0.5-1.8μm；

本一种改变充电方式的高磁通隔磁片使用时，由于磁片层由上磁层22和下磁层21组成，并且之间设有纳米材料，使得本隔磁片具有良好的电磁性能，磁损小、高磁通量，并且隔磁层，通过铜板层3和石墨层4不仅实现对其电磁的隔离，而且有效进行导热。

技术特征：

1.一种改变充电方式的高磁通隔磁片，其特征在于，包括高分子基层(1)、磁片层和隔磁层；

高分子基层(1)、磁片层和隔磁层从下往上依次铺设，磁片层包括上磁层(22)和下磁层(21)，所述上磁层(22)下端设有多个上凹的第一凹槽，多个第一凹槽左右布置，下磁层(21)上端设有多个下凹的第二凹槽，多个第二凹槽左右布置，并与多个第一凹槽对应设置，形成多个腔体，腔体内设有纳米层(23)；

所述隔磁层包括铜板层(3)和石墨层(4)，石墨层(4)通过双面胶铺设在铜板层3上端。

2.根据权利要求1所述的一种改变充电方式的高磁通隔磁片，其特征在于，所述第一凹槽与第二凹槽均为半圆柱结构。

3.根据权利要求1或2所述的一种改变充电方式的高磁通隔磁片，其特征在于，所述纳米层(23)为四氧化三铁纳米磁粉。

4.根据权利要求3所述的一种改变充电方式的高磁通隔磁片，其特征在于，所述上磁层(22)厚度为20-200μm，所述下磁层(21)厚度为20-200μm。

5.根据权利要求1所述的一种改变充电方式的高磁通隔磁片，其特征在于，所述腔体直径为10-100μm。

6.根据权利要求1所述的一种改变充电方式的高磁通隔磁片，其特征在于，所述隔磁层还包括树脂层(5)，树脂层(5)铺设在石墨层(4)的上方，并且厚度为40-200μm。

7.根据权利要求1所述的一种改变充电方式的高磁通隔磁片，其特征在于，所述铜板层(3)厚度为0.5-1.8μm。

技术总结
本发明公开了一种改变充电方式的高磁通隔磁片，包括高分子基层、磁片层和隔磁层；高分子基层、磁片层和隔磁层从下往上依次铺设，磁片层包括上磁层和下磁层，所述上磁层下端设有多个上凹的第一凹槽，多个第一凹槽左右布置，下磁层上端设有多个下凹的第二凹槽，多个第二凹槽左右布置，并与多个第一凹槽对应设置，形成多个腔体，腔体内设有纳米层；隔磁层包括铜板层和石墨层，石墨层通过双面胶铺设在铜板层上端。本改变充电方式的高磁通隔磁片，结构合理简单，具有良好的高磁性能、良好的导热性能。

技术研发人员：刘孝军;朱仁胜;朱国栋;朱国辉
受保护的技术使用者：徐州远洋磁性材料有限公司
技术研发日：2019.07.29
技术公布日：2019.12.20