1.一种基于gaashemt工艺的电源调制器，其特征在于：包括施密特触发器、电阻负载型反相器、晶体管fet4、晶体管dfet1、电阻rl，施密特触发器的输出端连接至电阻负载型反相器的输入端，所述电阻负载型反相器的输出端连接至晶体管fet4的栅极，晶体管fet4的源极经电阻rl接电源输入负端vss；晶体管fet4的漏极连接晶体管dfet1的源极，晶体管dfet1的漏极连接电源输入正端vdd；晶体管dfet1的栅极连接输出电源调整端adj；晶体管fet4的源极连接电源输出端out。
2.如权利要求1所述的一种基于gaashemt工艺的电源调制器，其特征在于：所述施密特触发器包括晶体管fet1、fet2以及电阻r1、r2、r3、r4，使能输入端en经电阻r1连接至晶体管fet1的栅极；晶体管fet1的栅极经电阻r2连接至晶体管fet2的漏极；晶体管fet2的漏极经电阻r3连接至晶体管fet2的源极，晶体管fet2的源极接电源输入负端vss；晶体管fet1的漏极经电阻r4连接至电源输入正端vdd；晶体管fet2的栅极与晶体管fet1的漏极连接；晶体管fet1的源极接电源输入负端vss；晶体管fet1的漏极或晶体管fet2的栅极引出施密特触发器的输出端，用于连接至电阻负载型反相器的输入端。
3.如权利要求1或2所述的一种基于gaashemt工艺的电源调制器，其特征在于：所述电阻负载型反相器包括晶体管fet3、电阻r5，晶体管fet3的栅极连接至施密特触发器的输出端，晶体管fet3的漏极经电阻r5连接至电源输入正端vdd；晶体管fet3的源极接电源输入负端vss；晶体管fet3的漏极引出电阻负载型反相器的输出端，用于连接至晶体管fet4的栅极。
4.如权利要求1所述一种基于gaashemt工艺的电源调制器，其特征在于：所述晶体管fet4为增强型场效应晶体管，所述晶体管dfet1为耗尽型场效应晶体管。
5.如权利要求3所述的一种基于gaashemt工艺的电源调制器，其特征在于：所述晶体管fet1、fet2、fet3均为增强型场效应晶体管。
6.如权利要求1所述的一种基于gaashemt工艺的电源调制器，其特征在于：所述电源调制器还包括电阻r7、r8，电阻r7两端分别连接至电源输入正端vdd、输出电源调整端adj；电阻r8两端分别连接电源输入负端vss、输出电源调整端adj，电阻r7、r8组成分压电路，用于调节输入至晶体管dfet1栅极的电压。