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[0019]图2为本发明的宽脉冲触发电路结构示意图。
【具体实施方式】
[0020]下面结合实施例对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
[0021]实施例
[0022]如图1所示，本发明由整流滤波电路与该整流滤波电路相连接的触发电路，与触发电路相连接的升压电路，与升压电路相连接的移相处理电路，与移相处理电路相连接的两级低通滤波放大电路，以及设置在升压电路和移相处理电路之间的宽脉冲触发电路组成。
[0023]所述的移相处理电路由移相芯片Ul，三极管VT4，三极管VT3，一端与移相芯片Ul的VCC+管脚相连接、另一端与移相芯片Ul的INl管脚相连接的电阻R10，负极经电阻Rll后与移相芯片Ul的INl管脚相连接、正极与移相芯片Ul的IN2管脚相连接的极性电容C10，正极经电阻R9后与移相芯片Ul的NC管脚相连接、负极与三极管VT3的集电极相连接的极性电容C8，正极与移相芯片Ul的OUT管脚相连接、负极接地的极性电容C9，一端与移相芯片Ul的OUT管脚相连接、另一端与三极管VT4的集电极相连接的电位器R8，P极与移相芯片Ul的OFFl管脚相连接、N极与三极管VT3的基极相连接的二极管D3，以及P极与移相芯片Ul的0FF2管脚相连接、N极与三极管VT4的发射极相连接的二极管D4组成。
[0024]实施时，所述移相芯片Ul的VCC+管脚与升压电路相连接、VCC-管脚接地、OUT管脚与电位器R8的滑动端相连接，三极管VT3的发射极与三极管VT4的基极相连接，三极管VT4的集电极与宽脉冲触发电路相连接，电容ClO的负极与两级低通滤波放大电路相连接。
[0025]本发明采用移相处理电路，其可以让电路在输出大功率的同时还能保证高稳定性。为了保证实施效果，所述的移相芯片Ul优选为LM741集成芯片来实现。
[0026]所述的整流滤波电路由整流电路和滤波电路组成。整流电路包括桥式整流器U，熔断器FU，电阻R1，以及极性电容Cl。连接时，该熔断器FU和电阻Rl分别串接在桥式整流器U的两个输入极上、其正极输出端经极性电容Cl后接地、负极输出端则与滤波电路输入端相连。当输入电压过高时，该熔断器FU则会熔断，从而可以保护本发明。
[0027]该滤波电路则由三极管VT1，P极经电阻R3后与三极管VTl的集电极相连接、N极同时与桥式整流器U的负极输出端以及触发电路相连接的二极管D1，一端与二极管Dl的N极相连接、另一端与三极管VTl的集电极相连的电阻R2，一端与三极管VTl的基极相连接、另一端与触发电路相连接的电感LI，以及正极与三极管VTl的发射极相连接、负极与触发电路相连接的同时接地的极性电容C2组成。
[0028]所述的触发电路包括电阻R4，电阻R5，三极管VT2，触发芯片K，极性电容C4，电阻R6。连接时，该三极管VT2的基极需经电阻R4后与二极管Dl的N极相连接、集电极经电阻R5后同时与二极管Dl的N极以及升压电路相连接、发射极与触发芯片K的VCCl管脚相连接，三极管VT2的基极与触发芯片K的RST管脚相连，极性电容C4的负极经电阻R6后分别与触发芯片K的SCLK管脚和X2管脚连接、正极与触发芯片K的I/O管脚连接。所述触发芯片K的Xl管脚与极性电容C2的负极相连接、VCC2管脚与升压电路连接，极性电容C4的负极还与升压电路相连接。所述三极管VT2的基极还经电感LI后与三极管VTl的基极相连接。
[0029]所述的升压电路由变压器Tl，设置在变压器Tl原边的原边电路，以及设置在变压器Tl副边的副边电路组成。所述的副边电路由设置在变压器Tl副边的电感线圈L4，一端与该电感线圈L4的非同名端连接、另一端顺次经极性电容C5和极性电容C6以及极性电容C7后接地的电阻R7，以及P极与电感线圈L4的非同名端连接、N极与极性电容C5和极性电容C6的连接点相连接的晶闸管D2的组成。所述电感线圈L4的同名端则与极性电容C6和C7的连接点相连接；而移相芯片Ul的VCC+管脚则与电感线圈L4的同名端相连接。该晶闸管D2的N极还需与宽脉冲触发电路相连接。
[0030]该原边电路则由串接在变压器Tl原边的电感线圈L2和电感线圈L3，以及串接在电感线圈L2同名端和非同名端之间的极性电容C3组成。
[0031]其中，该电感线圈L3的同名端分别与触发芯片K的VCC2管脚和电感线圈L2的非同名端相连接，其非同名端则与极性电容C4的负极相连接，而电感线圈L2的同名端则与二极管Dl的N极相连接。
[0032]所述两级低通滤波放大电路包括放大器Pl，放大器P2，三极管VT5，三极管VT6，正极与电容ClO的负极相连接、负极接地的极性电容C11，一端与放大器Pl的正相输入端相连接、另一端与电容Cll的正极相连接的电阻R12，正极经电阻R13后与放大器Pl反相输入端相连接、负极与极性电容C11的负极相连接的极性电容C12，负极与放大器PI的输出端相连接、正极与放大器Pl的反相输入端相连接的电容C13。
[0033]同时，为了达到更好的滤波效果，该两级低通滤波放大电路还设置有负极与放大器Pl的输出端相连接、正极与三极管VT5的基极相连接的极性电容C14，一端与三极管VT5的集电极相连接、另一端与三极管VT6的发射极相连接的电阻R14，正极经电阻R15后与三极管VT6的基极相连接、负极与极性电容C13的负极相连接的同时接地的极性电容C15，一端与极性电容C15的正极相连接、另一端与放大器P2的反相输入端相连接的电阻R16，与电阻R16相并联的电阻R17，串接在放大器P2的输出端和反相输入端之间的极性电容C16，以及串接在放大器P2的正相输入端和输出端之间的电阻R18。所述三极管VT5的发射极与极性电容C13的负极相连接，三极管VT6的集电极与放大器P2的正相输入端相连接。
[0034]该宽脉冲触发电路则为本发明的重点，如图2所示，其包括三极管VT7，三极管VT8，单向晶闸管D9，场效应管MOS1，N极顺次经二极管D7和二极管D8后与三极管VT7的发射极相连接、P极则顺次经二极管D6和电阻R21后与三极管VT7的集电极相连接的稳压二极管D5，一端与稳压二极管D5的N极相连接、另一端则经电阻R20后与稳压二极管D5的P极相连接的电位器R19，负极分别与稳压二极管D5的P极以及晶闸管D2的N极相连接、正极则与场效应管MOSl的栅极相连接的极性电容C17。
[0035]为了使其拥有更宽的触发脉冲，以提高本发明的负载能力，该宽脉冲触发电路还设置有一端与三极管VT7的基极相连接、另一端则接地的电阻R22，一端与场效应管MOSl的源极相连接、另一端则与单向晶闸管D9的N极相连接的电阻R23，以及一端与单向晶闸管D9的P极相连接、另一端则与三极管VT4的集电极相连接的电阻R24组成。
[0036]连接时，该场效应管MOSl的栅极分别与极性电容C17的正极以及三极管VT7的集电极相连接、其漏极则与三极管VT7的基极相连接、而其源极则与单向晶闸管D9的控制极相连接。所述三极管VT8的基极与稳压二极管D5的P极相连接、其集电极则与场效应管MOSl的栅极相连接、其发射极接地。所述电位器R19的滑动端则与稳压二极管D5的N极相连接。
[0037]当电压输入进来后，稳压二极管D5对电压进行稳压处理，再由电位器R19和电阻R20向极性电容C17进行充电。当极性电容C17上的充电电压尚未达到场效应管MOSl的峰点电压时，该三极管VT7的基极电位较高，这时三极管VT7截止。当极性电容C17上的充电电压达到场效应管MOSl的峰点电压时，这时场效应管MOSl则导通，同时三极管VT7基极上的电位急剧下降，这时三极管VT7则导通。同时，电压通过二极管D7和二极管D8以及三极管VT7向极性电容C17充电，使极性电容C17上的电位维持在场效应管MOSl的峰点电压之上，直至电压过零时才关断，这样则加宽了触发脉冲，从而使本发明的负载能力更强。
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