芯片大功率器件管脚结构的制作方法
【专利摘要】芯片大功率器件管脚结构，包括漏极管脚（1）、源极管脚（2）、与源极管脚连接的第一金属电极（3）、与漏极管脚连接的第二金属电极（4）、其特征在于，所述源极管脚和漏极管脚分别位于功率管阱（5）相对的一对边界，所述第一金属电极和第二金属电极属于同一金属层，第一金属电极与第二金属电极成互补的锯齿形状。采用本发明所述芯片大功率器件管脚结构，金属电极为交错式锯齿设计，在整个功率管阱源漏电流交错分布，提高了电流均匀性，并对功率管的散热有利，提高了功率管的工作性能。
【专利说明】芯片大功率器件管脚结构
【技术领域】
[0001]本发明属于半导体制造领域，涉及一种芯片大功率器件管脚结构。
【背景技术】
[0002]在放大电路中担任末级输出的管子叫功率管，现有集成电路工艺中，多数已经能将较大功率的功率管集成在集成电路芯片中并进行整体封装。
[0003]由于功率管一般来说功率远大于芯片中的其他器件，因此功率管的结构需要特别设计以适应其独特的要求，特别是功率管在工作时流过的大电流对器件的各层布局连线提出了很高要求，在整个电流通过上，都能够满足电流要求一直是功率管的设计难点，希望利用更少的金属层设计具有足够电流能力的器件。
[0004]现有技术多采用直通式设计，采用直通式设计虽然简单，但电流能力实际受限于功率管的一半面积，并且直通式设计由于源漏电流过于集中，对散热及电流均匀性均有不利影响。
[0005]
【发明内容】
[0006]为克服现有技术的功率管散热不佳，电流均匀性不好的技术缺陷，本发明提供一种芯片大功率器件管脚结构。
[0007]本发明所述芯片大功率器件管脚结构，包括漏极管脚、源极管脚、与源极管脚连接的第一金属电极、与漏极管脚连接的第二金属电极、所述源极管脚和漏极管脚分别位于功率管讲相对的一对边界，所述第一金属电极和第二金属电极属于同一金属层，第一金属电极与第二金属电极成互补的锯齿形状，所述第一金属电极和第二金属电极为芯片顶层金属。
[0008]优选的，所述锯齿形状为矩形锯齿。
进一步的，所述矩形锯齿为分级矩形锯齿。
[0009]更进一步的，所述分级矩形锯齿每级的延展宽度为10至20微米。
[0010]优选的，所述漏极管脚、源极管脚的数量相同，且都至少两个。
[0011]采用本发明所述芯片大功率器件管脚结构，金属电极为交错式锯齿设计，在整个功率管阱源漏电流交错分布，提高了电流均匀性，并对功率管的散热有利，提高了功率管的工作性能。
【专利附图】
【附图说明】
[0012]图1示出本发明一种【具体实施方式】的示意图；
各图中附图标记为1-漏极管脚2-源极管脚3-第一金属电极4-第二金属电极5-功
率管阱。【具体实施方式】
[0013]下面结合附图，对本发明的【具体实施方式】作进一步的详细说明。
[0014]本发明所述芯片大功率器件管脚结构，包括漏极管脚、源极管脚、与源极管脚连接的第一金属电极、与漏极管脚连接的第二金属电极、所述源极管脚和漏极管脚分别位于功率管讲相对的一对边界，所述第一金属电极和第二金属电极属于同一金属层，第一金属电极与第二金属电极成互补的锯齿形状，所述第一金属电极和第二金属电极为芯片顶层金属。
[0015]金属电极为交错式锯齿设计，在整个功率管阱源漏电流交错分布，提高了电流均匀性，并对功率管的散热有利。
[0016]优选的，所述锯齿形状为矩形锯齿。矩形锯齿符合普遍的条状功率管员胞设计。 进一步的，所述矩形锯齿为分级矩形锯齿。更利于电流均匀分布。
[0017]更进一步的，所述分级矩形锯齿每级的延展宽度为10至20微米。
[0018]所述第一金属电极和第二金属电极为顶层金属。与管脚实际上采用一层，且顶层金属通常较厚，可以取得更好的发明效果。
[0019]优选的，所述漏极管脚、源极管脚的数量相同，且都至少两个。如图2所示，源极管脚和漏极管脚均为两个，利于电流均匀流入流出。
[0020]采用本发明所述芯片大功率器件管脚结构，金属电极为交错式锯齿设计，在整个功率管阱源漏电流交错分布，提高了电流均匀性，并对功率管的散热有利，提高了功率管的工作性能。
[0021]以上所述的仅为本发明的优选实施例，所述实施例并非用以限制本发明的专利保护范围，因此凡是运用本发明的说明书及附图内容所作的等同结构变化，同理均应包含在本发明的保护范围内。
【权利要求】
1.芯片大功率器件管脚结构，包括漏极管脚(I)、源极管脚(2)、与源极管脚连接的第一金属电极(3)、与漏极管脚连接的第二金属电极(4)、其特征在于，所述源极管脚和漏极管脚分别位于功率管讲(5)相对的一对边界,所述第一金属电极和第二金属电极属于同一金属层，第一金属电极与第二金属电极成互补的锯齿形状，所述第一金属电极和第二金属电极为芯片顶层金属。
2.一种如权利要求1所述芯片大功率器件管脚结构，其特征在于，所述锯齿形状为矩形锯齿。
3.—种如权利要求2所述芯片大功率器件管脚结构，其特征在于，所述矩形锯齿为分级矩形锯齿。
4.一种如权利要求3所述芯片大功率器件管脚结构，其特征在于，所述分级矩形锯齿每级的延展宽度为10至20微米。
5.一种如权利要求1所述芯片大功率器件管脚结构，其特征在于:所述漏极管脚、源极管脚的数量相同，且都至少两个。
【文档编号】H01L23/49GK104517923SQ201310453488
【公开日】2015年4月15日 申请日期:2013年9月29日 优先权日:2013年9月29日
【发明者】谢超 申请人:谢超