一种中大功率led驱动芯片的esop8引线框架的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体器件领域，尤其是一种中大功率LED驱动芯片的ESOP8引线框架。
【背景技术】
[0002]SOP8的封装是一种非常普及的小型贴片式形式，它被目前的半导体芯片封装所普遍采用。目前基于SOP8封装形式且内置有一个MOSFET芯片的LED驱动芯片均采用双基岛的设计方案，其一基岛的上方放置一个控制芯片，另一个基岛上放置一个MOSFET芯片，如图1所示。相对于小功率的LED驱动芯片，中大功率的LED驱动芯片就需要在基岛上使用一个带有更大导通电流的MOSFET芯片。当LED驱动芯片在工作时，由于其上大导通电流的MOSFET芯片存在，因此产生的热能会较多，但由于S0P8的体积和封装结构的限制，其所产生的热能无法迅速地散入周围的空气中，容易造成器件的表面温度超过业界的要求温度(在室温的条件下，业界要求的封装体表面温升不得大于60°C)。面对这个问题，目前几乎所有的厂家都采用了最简单的办法，就是直接选择体积更大DIP8的封装形式来解决这个问题，如图2所示。但是与S0P8封装形式相比，DIP8具有高成本、低生产效率以及应用在PCB板上无法小型化的显著缺点。目前也有人提出了使用ES0P8封装结构来解决散热的问题，如图3 (a)和3 (b)所示。但是目前所有的ES0P8的设计都是单基岛设计，无法在一个基岛上放置两个芯片(控制芯片和MOSFET芯片)。尽管人们也做了许多尝试，如采用非导电的固化胶来固定控制芯片，但是由于目前材料的局限性，ES0P8封装方式仍无法实现在一个基岛上同时放置两种芯片的方案。
【实用新型内容】
[0003]为了解决上述技术问题，本实用新型的目的是:提供一种成本低、体积小、能同时放置两种芯片和散热性能好的，中大功率LED驱动芯片的ES0P8引线框架。
[0004]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:
[0005]一种中大功率LED驱动芯片的ES0P8引线框架，包括引脚、侧连筋、用于承载控制芯片的第一基岛和用于承载MOSFET芯片的第二基岛，所述第一基岛的一侧通过侧连筋)与框架外部连接体相连作为第一基岛的一个支撑点，所述第一基岛的另一侧直接与I个引脚相连结作为第一基岛的另外一个支撑点；所述第二基岛的一侧通过侧连筋与框架外部连接体相连作为第二基岛的一个支撑点，所述第一基岛的另一侧直接与两个引脚相连结作为第二基岛的另外一个支撑点；所述第一基岛的高度高于第二基岛的高度。
[0006]进一步，所述第一基岛的宽度尺寸小于第二基岛的宽度尺寸。
[0007]进一步，所述第一基岛宽度尺寸的范围为0.8-1.2_，所述第二基岛宽度尺寸的范围为 2_2.5mm。
[0008]进一步，所述引脚和第一基岛均设置有塑封锁孔5，所述塑封锁孔位于引脚和第一基岛的远脚端。
[0009]进一步，还包括塑封锁定沟槽，所述塑封锁定沟槽位于塑封后裸露的第二基岛的背面。
[0010]进一步，所述塑封锁定沟槽的塑封深度在框架厚度的三分之一到二分之一的范围内。
[0011]进一步，所述MOSFET芯片为VDM0SFET芯片或C00LM0SFET芯片。
[0012]本实用新型的有益效果是:继承了 SOP8封装结构成本低和体积小的优点，并在传统ESOP8封装结构的基础上，把现有的I个裸露基岛改为第一基岛和第二基岛这两个高度不同的独立基岛，使独立基岛的数量由I个变为2个，解决了 ESOP8封装结构无法同时放置两种芯片的问题；第一基岛的高度高于第二基岛的高度，即用于承载MOSFET芯片的第二基岛高度较低，使第二基岛的底部在封装后露在固化塑封材料的外部，以令MOSFET芯片工作产生的热量可以直接传入空气中，避免了 LED驱动芯片的整体温度上升，散热性能较好。进一步，第一基岛的宽度尺寸小于第二基岛的宽度尺寸，增加了第二基岛最大承载的MOSFET芯片尺寸，适用范围广。进一步，引脚和第一基岛的远脚端均设置有的塑封锁孔，能在塑封固化后将引脚和第一基岛牢牢锁住，避免了在封装的切筋成型工序中，因成型模具异常产生额外的拉拔力造成引脚或第一基岛的表面与塑封料之间产生分层。进一步，还包括位于第二基岛背面的塑封锁定沟槽，使塑封料与第二基岛在第二基岛的底部边缘形成勾锁式连接，保证了塑封料与第二基岛间的连接强度，降低了第二基岛侧面与塑封体分离的几率。
【附图说明】
[0013]下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。
[0014]图1为典型LED驱动芯片S0P8封装形式的框架；
[0015]图2为S0P8封装形式与DIP8封装形式的关键尺寸对比图；
[0016]图3 (a)为ES0P8封装引线框架的示意图；
[0017]图3 (b)为ES0P8封装的外形示意图；
[0018]图4为本实用新型一种中大功率LED驱动芯片的ES0P8引线框架的正面示意图；
[0019]图5为本实用新型一种中大功率LED驱动芯片的ES0P8引线框架的侧面示意图；
[0020]图6为本实用新型一种中大功率LED驱动芯片的ES0P8引线框架的背面示意图。
[0021]附图标记:11、21和1.引脚；12.右基岛；13.左基岛；14、23和4.侧连筋；22.裸露基岛；24.外露基板；5.塑封锁孔；6.塑封锁定沟槽。
【具体实施方式】
[0022]参照图4和图5，一种中大功率LED驱动芯片的ES0P8引线框架，包括引脚1、侧连筋4、用于承载控制芯片的第一基岛2和用于承载MOSFET芯片的第二基岛3，所述第一基岛2的一侧通过侧连筋4与框架外部连接体相连作为第一基岛2的一个支撑点，所述第一基岛2的另一侧直接与I个引脚I相连结作为第一基岛2的另外一个支撑点；所述第二基岛3的一侧通过侧连筋4与框架外部连接体相连作为第二基岛3的一个支撑点，所述第一基岛2的另一侧直接与两个引脚I相连结作为第二基岛3的另外一个支撑点；所述第一基岛2的高度高于第二基岛3的高度。
[0023]进一步作为优选的实施方式，所述第一基岛2的宽度尺寸小于第二基岛3的宽度尺寸。
[0024]进一步作为优选的实施方式，所述第一基岛2宽度尺寸的范围为0.8-1.2mm，所述第二基岛3宽度尺寸的范围为2-2.5_。
[0025]其中，第二基岛3的宽度尺寸大，通常在2-2.5_的范围内，足以容下一个中功率的2N或3N VDMOSFET芯片；如果采用COOLMOSFET芯片，3_6N COOLMOSFET芯片也可以放置在第二基岛3上。
[0026]参照图4，进一步作为优选的实施方式，所述引脚I和第一基岛2均设置有塑封锁孔5，所述塑封锁孔5位于引脚I和第一基岛2的远脚端。
[0027]参照图6，进一步作为优选的实施方式，还包括塑封锁定沟槽6，所述塑封锁定沟槽6位于塑封后裸露的第二基岛3的背面。
[0028]进一步作为优选的实施方式，所述塑封锁定沟槽6的塑封深度在框架厚度的三分之一到二分之一的范围内。
[0029]进一步作为优选的实施方式，所述MOSFET芯片为VDMOSFET芯片或COOLMOSFET芯片。
[0030]下面结合说明书附图和具体实施例对本实用新型作进一步详细说明。
[0031]实施例一
[0032]参照图4、图5和图6，本实用新型的第一实施例:
[0033]针对现有技术的ES0P8封装结构无法放置两种不同芯片的问题，本实用新型设计了一种全新的S0P8引线框架，既可以使用成本低和生产效率高的ES0P8的封装形式，又能放置两种不同芯片。
[0034]本实用新型的新引线框架设计把ES0P8封装结构一个独立的基岛分为两个独立的大小不一的独立基岛。通过这种设计上的改动，使得第一基岛2的一侧通过侧连筋来与框架外部连接体相连，并起到一个支撑点的作用；而另一侧与其中的一个引脚直接相连结，并起到另外一个支撑点的作用。第一基岛的宽度尺寸小，通常在0.8-1.2mm的范围内，但是足以容下一个控制芯片。基岛的上下两端的局部镀银，这样会确保Down bond(线绑的一种方式，把线从die pad打到leadframe