一种升压电路及电源开关的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电子电路领域，尤其涉及一种升压电路及电源开关。
【背景技术】
[0002]根据现今电子电路领域的工艺水平，N型金属氧化物半导体薄膜场效应晶体管(N-Mental-Oxide-Semiconductor，NMOS)的通态电阻比P型金属氧化物半导体薄膜场效应晶体管(N-Mental-Oxide-Semiconductor，PM0S)的通态电阻低，因此，在电流较大的电子开关应用场合，普遍采用NMOS场效应晶体管做电源的电子开关。
[0003]对NMOS场效应晶体管形成的电源开关而言，要求GS (栅极-源极)电压大于开启电压，这就意味着，栅极电平要高于其所控制的电源电平。现有技术中，往往需要一组更高电平的电源，经芯片的通用输入/输出(General Purpose Input Output, GP10)端口控制后引入到NMOS的栅极，从而实现电子开关功能。这种做法的缺点是，需要更高电平的电源，投资的成本较高。
[0004]具体
【发明内容】
[0005]本发明实施例提供了一种升压电路及电源开关，在NMOS场效应晶体管作为电源开关的电路中，在NMOS场效应晶体管输出端口，通过增加少数外围元器件即可对NMOS场效应晶体管的输出端产生一个高电平，从而实现电源的开关驱动，不需要单独的一组高电平的电源，减少了投资成本，且使用电容对电容进行充电，电荷损失小，效率高。
[0006]本发明实施例第一方面提供了一种升压电路，升压电路包括:
[0007]至少第一升压子电路及第二升压子电路，所述第一升压子电路与所述第二升压子电路包括相同的元件且元件之间的连接关系相同，所述第一升压子电路包括第一输入端、第二输入端、第一参考电压端、第一输出端、第一电容、第二电容、第一单向导通单元及第二单向导通单元，所述第一单向导通单元及所述第二单向导通单元分别包括正极和负极，且在所述正极电压大于所述负极电压时导通，在所述正极电压小于所述负极电压时截止，所述第一输入端及所述第二输入端分别用于接收第一电压及第二电压，所述第一参考电压端用于接收第一参考电压，所述第一输入端连接所述第一电容至所述第二单向导通单元的正极，所述第二单向导通单元的负极连接所述第一输出端，所述第二输入端电连接所述第一单向导通单元的正极，所述第一单向导通单元的负极电连接所述第二单向导通单元的正极，所述第一参考电压端电连接所述第二电容至所述第一输出端，所述第二升压子电路包括第一输入端、第二输入端及第一输出端，所述第二升压子电路的第一输入端及第二输入端分别连接所述第一升压子电路的第一输入端及第一输出端，所述第二升压子电路的第一输出端作为所述升压电路的输出端以输出输出电压。
[0008]结合第一方面，在第一种可能的实现方式中，所述第一单向导通单元及所述第二单向导通单元为二极管，所述第一单向导通单元及所述第二单向导通单元的正极为所述二极管的正极，所述第一单向导通单元及所述第二单向导通单元的负极为所述二极管的负极。
[0009]结合第一方面，在第二种可能的实现方式中，所述第一输入端接收的所述第一电压可以由矩形信号、锯齿波信号、三角波信号中的一种或几种组合信号产生。
[0010]结合第一方面的第二种可能的实现方式，在第一方面的第三种可能的实现方式中，所述矩形信号的占空比为50 %。
[0011]本发明实施例第二方面公开了一种电源开关，电源开关包括:
[0012]升压电路及场效应晶体管，所述升压电路包括至少第一升压子电路及第二升压子电路，所述第一升压子电路与所述第二升压子电路包括相同的元件且元件之间的连接关系相同，所述第一升压子电路包括第一输入端、第二输入端、第一参考电压端、第一输出端、第一电容、第二电容、第一单向导通单元及第二单向导通单元，所述第一单向导通单元及所述第二单向导通单元分别包括正极和负极，且在所述正极电压大于所述负极电压时导通，在所述正极电压小于所述负极电压时截止，所述第一输入端及所述第二输入端分别用于接收第一电压及第二电压，所述第一参考电压端用于接收第一参考电压，所述第一输入端连接所述第一电容至所述第二单向导通单元的正极，所述第二单向导通单元的负极连接所述第一输出端，所述第二输入端电连接所述第一单向导通单元的正极，所述第一单向导通单元的负极电连接所述第二单向导通单元的正极，所述第一参考电压端电连接所述第二电容至所述第一输出端，所述第二升压子电路包括第一输入端、第二输入端及第一输出端，所述第二升压子电路的第一输入端及第二输入端分别连接所述第一升压子电路的第一输入端及第一输出端，所述第二升压子电路的第一输出端作为所述升压电路的输出端以输出输出电压，所述输出电压用于控制所述场效应晶体管的导通或截止。
[0013]结合第二方面，在第一种可能的实现方式中，所述第一单向导通单元及所述第二单向导通单元为二极管，所述第一单向导通单元及所述第二单向导通单元的正极为所述二极管的正极，所述第一单向导通单元及所述第二单向导通单元的负极为所述二极管的负极。
[0014]结合第二方面，在第二种可能的实现方式中，所述第一输入端接收的所述第一电压可以由矩形信号、锯齿波信号、三角波信号中的一种或几种组合信号产生。
[0015]结合第二方面的第二种可能的实现方式，在第二方面的第三种可能的实现方式中，所述矩形信号的占空比为50 %。
[0016]结合第二方面，在第四种可能的实现方式中，所述场效应晶体管包括栅极、源极及漏极，所述栅极电连接至所述升压电路的输出端。
[0017]结合第二方面，在第五种可能的实现方式中，所述场效应晶体管为N型金属氧化物半导体薄膜场效应晶体管。
[0018]采用本发明实施例，具有以下有益效果:在NMOS场效应晶体管作为电源开关的电路中，在NMOS场效应晶体管输出端口，通过增加少数外围元器件即可对NMOS场效应晶体管的输出端产生一个高电平，从而实现电源的开关驱动，不需要单独的一组高电平的电源，减少了投资成本，且使用电容对电容进行充电，电荷损失小，效率高。
【附图说明】
[0019]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例、描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1为本发明实施例提供的一种升压电路的结构示意图；
[0021]图2为本发明实施例提供的一种电源开关的结构示意图。
[0022]实施方式
[0023]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅