一种电子产品低功耗升压电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种升压电路，具体是一种电子产品低功耗升压电路。
【背景技术】
[0002]手机等便携式设备的广泛应用，对电源管理形成大量新的需求，为了支持日益复杂的系统电源要求和新功能，各大芯片设计公司提出了先进的、各具特色和尺寸越来越小的电源管理解决方案，但小尺寸封装的散热能力不及大尺寸封装产品，迫使提高器件的转换效率，因此开关调节器正在取代线性调节器，以延长工作的时间，但手机等便携式设备的可工作时间还是不能满足人们的使用需求，且噪声和电磁干扰的问题也随之而来。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于提供一种电路结构简单、低电磁干扰的电子产品低功耗升压电路，以解决上述【背景技术】中提出的问题。
[0004]为实现上述目的，本发明提供如下技术方案:
一种电子产品低功耗升压电路，包括上拉电路和下拉电路，所述上拉电路包括PMOS管Pl和PMOS管P2，所述下拉电路包括NMOS管NI和NMOS管N2 ；
所述PMOS管Pl的G极连接UP信号输入端，PMOS管Pl的S极分别连接电源Vdd、PM0S管P3的S极、PMOS管P4的S极和PMOS管P5的S极，所述PMOS管Pl的D极分别连接PMOS管P2的S极、PMOS管P2的D极、PMOS管P3的D极、PMOS管P3的G极、PMOS管P4的G极、PMOS管P5的D极、电容C和NMOS管N5的D极并接地，所述NMOS管N5的S极接地，所述PMOS管P5的G极、所述NMOS管N5的G极和PMOS管Pl的G极均连接UP信号输入端，所述PMOS管P4的D极分别连接输出电压Vc和NMOS管N4的D极，NMOS管N4的S极分别连接NMOS管N2的S极、NMOS管N3的S极和NMOS管N6的S极并接地，所述NMOS管N4的G极分别连接NMOS管N3的G极、PMOS管P6的D极、NMOS管N3的D极、NMOS管NI的S极、NMOS管NI的G极、NMOS管NI的D极、NMOS管N2的D极、PMOS管P6的S极、电容C另一端、NMOS管N6的D极和电源Vdd，所述NMOS管N2的G极、NMOS管N6的G极和PMOS管P6的G极均连接DOWN信号输入端。
[0005]作为本发明进一步的方案:所述DOWN信号为高电平时，NMOS管N2截止，NMOS管N3导通，电路工作在低压下，NMOS管NI不导通，电容C放电。
[0006]作为本发明再进一步的方案:所述DOWN信号为高电平时，NMOS管N2导通，NMOS管NI进入饱和态工作，NMOS管N4中的电流近似为O。
[0007]与现有技术相比，本发明的有益效果是:本发明在不需要外接电感元件的情况下能实现一定的升压，由于无电感元件，克服了基于电感的功率源可能带来的EMI问题，产生电磁干扰低，不仅效率高、电路结构简单、所占面积小、功耗低，而且在电源低电压状况下依然能高效的工作。
【附图说明】
[0008]图1为电子产品低功耗升压电路的电路图。
【具体实施方式】
[0009]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0010]请参阅图1，本发明实施例中，一种电子产品低功耗升压电路，包括上拉电路和下拉电路，上拉电路包括PMOS管Pl和PMOS管P2，所述下拉电路包括NMOS管NI和NMOS管
N2o
[0011]所述PMOS管Pl的G极连接UP信号输入端，PMOS管Pl的S极分别连接电源Vdd、PMOS管P3的S极、PMOS管P4的S极和PMOS管P5的S极，所述PMOS管Pl的D极分别连接PMOS管P2的S极、PMOS管P2的D极、PMOS管P3的D极、PMOS管P3的G极、PMOS管P4的G极、PMOS管P5的D极、电容C和NMOS管N5的D极并接地，所述NMOS管N5的S极接地，所述PMOS管P5的G极、所述NMOS管N5的G极和PMOS管Pl的G极均连接UP信号输入端，所述PMOS管P4的D极分别连接输出电压Vc和NMOS管N4的D极，NMOS管N4的S极分别连接NMOS管N2的S极、NMOS管N3的S极和NMOS管N6的S极并接地，所述NMOS管N4的G极分别连接NMOS管N3的G极、PMOS管P6的D极、NMOS管N3的D极、NMOS管NI的S极、NMOS管NI的G极、NMOS管NI的D极、NMOS管N2的D极、PMOS管P6的S极、电容C另一端、NMOS管N6的D极和电源Vdd，所述NMOS管N2的G极、NMOS管N6的G极和PMOS管P6的G极均连接DOWN信号输入端。
[0012]DOWN信号为高电平时，NMOS管N2截止，NMOS管N3导通，电路工作在低压下，NMOS管NI不导通，电容C放电。
[0013]DOWN信号为高电平时，NMOS管N2导通，NMOS管NI进入饱和态工作，NMOS管N4中的电流近似为O。
[0014]对于PMOS管P6和NMOS管N6所组成的电路，其作用是对b点电压Vb进行预充电处理从而保证电荷栗电路的高速，同时优化了输出电压Vc在放电阶段的线性度，当Vb在高低电平间切换时，将会对电容C进行充放电，PMOS管P6和NMOS管N6所组成的电路结构会提尚此效率。
[0015]同理可以推得上拉部分电路的工作机理，其中，PMOS管P5和NMOS管N5对上拉电路中a点电压Va的影响尤其明显，因为PMOS管空穴载流子的速度较低，在没有PMOS管P5和NMOS管N5时，当UP信号由I到O跳变时，Va电压需要长时间充电才能达到高电平。
[0016]本电路正常工作时，信号UP和信号DOWN是同相的，避免了因时序上不匹配而引起的输出电压的扰动，可以减小相应锁相环的相位抖动。
[0017]本电路结构十分适合低压低功耗高速锁相环电路使用，基于0.18μπι工艺实现时，不仅降低了电池的功耗，而且在电源电压不足时仍能高速高性能工作，又电路中没有采用电感元件，所以造成的电磁干扰较小。
【主权项】
1.一种电子产品低功耗升压电路，包括上拉电路和下拉电路，其特征在于，所述上拉电路包括PMOS管Pl和PMOS管P2，所述下拉电路包括NMOS管NI和NMOS管N2 ； 所述PMOS管Pl的G极连接UP信号输入端，PMOS管Pl的S极分别连接电源Vdd、PM0S管P3的S极、PMOS管P4的S极和PMOS管P5的S极，所述PMOS管Pl的D极分别连接PMOS管P2的S极、PMOS管P2的D极、PMOS管P3的D极、PMOS管P3的G极、PMOS管P4的G极、PMOS管P5的D极、电容C和NMOS管N5的D极并接地，所述NMOS管N5的S极接地，所述PMOS管P5的G极、所述NMOS管N5的G极和PMOS管Pl的G极均连接UP信号输入端，所述PMOS管P4的D极分别连接输出电压Vc和NMOS管N4的D极，NMOS管N4的S极分别连接NMOS管N2的S极、NMOS管N3的S极和NMOS管N6的S极并接地，所述NMOS管N4的G极分别连接NMOS管N3的G极、PMOS管P6的D极、NMOS管N3的D极、NMOS管NI的S极、NMOS管NI的G极、NMOS管NI的D极、NMOS管N2的D极、PMOS管P6的S极、电容C另一端、NMOS管N6的D极和电源Vdd，所述NMOS管N2的G极、NMOS管N6的G极和PMOS管P6的G极均连接DOWN信号输入端。2.根据权利要求1所述的电子产品低功耗升压电路，其特征在于，所述DOWN信号为高电平时，NMOS管N2截止，NMOS管N3导通，电路工作在低压下，NMOS管NI不导通，电容C放电。3.根据权利要求1所述的电子产品低功耗升压电路，其特征在于，所述DOWN信号为高电平时，NMOS管N2导通，NMOS管NI进入饱和态工作，NMOS管N4中的电流近似为O。
【专利摘要】本发明公开了一种电子产品低功耗升压电路，包括上拉电路和下拉电路，上拉电路包括PMOS管P1和PMOS管P2，所述下拉电路包括NMOS管N1和NMOS管N2，PMOS管P1的G极连接UP信号输入端，PMOS管P1的S极分别连接电源Vdd、PMOS管P3的S极、PMOS管P4的S极和PMOS管P5的S极。本发明在不需要外接电感元件的情况下能实现一定的升压，由于无电感元件，克服了基于电感的功率源可能带来的EMI问题，产生电磁干扰低，不仅效率高、电路结构简单、所占面积小、功耗低，而且在电源低电压状况下依然能高效的工作。
【IPC分类】H02M3/155, H02M3/07
【公开号】CN105186865
【申请号】CN201510595389
【发明人】樊露
【申请人】成都米戈科技有限公司
【公开日】2015年12月23日
【申请日】2015年9月17日