专利名称：表面声波器件的频率调节方法、表面声波器件及电子设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及使用准纵漏表面声波的表面声波器件的频率调节方法、表面声波器件、和具有表面声波器件的电子设备。
背景技术：
一般情况下，表面声波元件的谐振频率取决于IDT电极或反射器电极(以下将两者统称为电极)的实效膜厚，如果电极膜厚变薄则频率上升，如果变厚则频率下降，这是公知的。以往利用该原理进行表面声波器件的频率调节。
例如在专利文献1中公开了将电极削薄来调节频率的方法。并且，作为其它的频率调节方法，已经公知有代替将电极加厚的方法，以电极为掩模来修整基板，看上去使电极膜厚增加的方法(例如专利文献2)。
近年来，伴随通信设备的使用扩大，期望表面声波器件的高频化和频率调节精度的高精度化。特别是关于表面声波器件的高频化，发展了泄漏表面声波理论，使基板表面的变位几乎全由纵波成分构成，期望利用在向压电基板内部放射两个横波成分的同时以较快的相位速度传输的准纵漏表面声波来作为体波。特别期望着通过把机电耦合系数大的钽酸锂(LiTaO3)、铌酸锂(LiNbO3)、四硼酸锂(Li2B4O7)作为基板材料，来实现表面声波器件的高频化。
专利文献1特开昭62-274081专利文献2特开昭61-92011这样，在以往的表面声波的频率调节中，通过使用蚀刻等方法修整电极或形成有电极的面的基板来进行，但是，对应于蚀刻量的频率变化大，很难高精度地进行频率调节。特别是在使用准纵漏表面声波实现高频化的表面声波器件中，对应于蚀刻量的频率变化更大，频率调节的高精度化成为实际应用时的难题。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种在使用准纵漏表面声波的表面声波器件中，能够高精度地进行频率调节的表面声波器件的频率调节方法。
并且，本发明的另一目的在于，提供一种能利用该频率调节方法高精度地调节频率的表面声波器件、及具有表面声波器件的电子设备。
为了解决上述课题，本发明是如下构成的。
第一发明的表面声波器件的频率调节方法，该表面声波器件具有钽酸锂基板或铌酸锂基板或四硼酸锂基板；和IDT电极，其形成于该钽酸锂基板或铌酸锂基板或四硼酸锂基板上，激励准纵漏表面声波，其特征在于，通过从在厚度方向上与所述IDT电极的形成面相对的面对所述钽酸锂基板或铌酸锂基板或四硼酸锂基板的厚度进行调节，从而进行频率调节。
通过从在厚度方向上与IDT电极的形成面相对的面开始调节压电基板的厚度，与调节压电基板的电极或形成有电极的面的基板来进行频率调节时相比，对应于蚀刻量的频率变动较小，所以能够进行高精度的频率调节。
并且，第二发明是根据第一发明的表面声波器件的频率调节方法，其特征在于，利用干法蚀刻对所述钽酸锂基板或铌酸锂基板或四硼酸锂基板在厚度方向上与所述IDT电极的形成面相对的面进行修整，从而进行所述频率调节。
这样，与湿式蚀刻相比，可以利用能够控制微小量的蚀刻量的干法蚀刻，对在厚度方向上与电极形成面相对的面进行修整，能够以更良好的精度进行频率调节。
并且，第三发明是根据第一和第二发明的表面声波器件的频率调节方法，其特征在于，在所述频率调节之前，修整所述钽酸锂基板或铌酸锂基板或四硼酸锂基板的IDT电极形成面的基板表面和所述IDT电极的表面中的至少一方，从而进行预备频率调节。
这样，在需要较大地调节频率时，首先通过湿法蚀刻等对电极形成面的基板表面和电极中的至少一方进行修整，进行频率的粗调节(预备调节)，然后，通过蚀刻等从与电极形成面相对的面开始调节基板厚度，可以进行精度良好的频率调节(微调节)。因此，与仅蚀刻与电极形成面相对的面来调节频率的情况相比，能够在短时间内进行频率调节。
第四发明的表面声波器件的频率调节方法，该表面声波器件具有钽酸锂基板或铌酸锂基板或四硼酸锂基板；和IDT电极，其形成于该钽酸锂基板或铌酸锂基板或四硼酸锂基板上，激励准纵漏表面声波，该表面声波器件的所述钽酸锂基板或铌酸锂基板或四硼酸锂基板被收容在收容容器内，把该表面声波器件放置在导入蚀刻气体的腔室内，其特征在于，一面对所述表面声波器件的输入输出特性进行检测，一面对所述钽酸锂基板或铌酸锂基板或四硼酸锂基板在厚度方向上与所述IDT电极的形成面相对的面进行蚀刻，直到获得所期望的频率，由此进行频率调节。
这样，在把形成有IDT电极的压电基板安装在封装上之后，可以蚀刻压电基板的与电极形成面相对的面，能够高精度地调节表面声波器件的频率。
并且，第五发明是根据第四发明的表面声波器件的频率调节方法，其特征在于，在所述频率调节之前，修整所述钽酸锂基板或铌酸锂基板或四硼酸锂基板的IDT电极形成面的基板表面和所述IDT电极的表面中的至少一方，从而进行预备频率调节。
这样，在需要较大地调节频率时，首先通过湿法蚀刻等对电极形成面的基板表面和电极中的至少一方进行修整，进行频率的粗调节(预备频率调节)，然后，对与电极形成面相对的面进行蚀刻，从而可以进行精度良好的频率调节(微调节)。因此，与仅蚀刻与电极形成面相对的面来调节频率的情况相比，能够在短时间内进行频率调节。
第六发明的表面声波器件的特征在于，利用上述第一～第五发明的频率调节方法调节了频率。
这样，可以提供使用准纵漏表面声波、并且高精度地调节了频率的表面声波器件。
第七发明的电子设备包含表面声波器件作为滤波器或谐振器等，其特征在于，所述表面声波器件是利用上述第一至第五发明的频率调节方法进行了频率调节的表面声波器件。
这种结构的电子设备具有高精度地调节了频率的表面声波器件，因而能够提供具有良好性能的电子设备。
图1是本发明的实施方式的表面声波元件的概略结构图。
图2是使用本发明的频率调节方法的表面声波器件的剖面图。
图3是被封装后的表面声波器件的剖面图。
图4是表示基于频率调节方法的蚀刻量和频率变动之间的关系的曲线图。
图5是表示基于基板材料的基板蚀刻量和频率变动之间的关系的曲线图。
图6是本实施方式的蚀刻装置的概略结构图。
图7是说明本实施方式的频率调节方法的步骤的流程图。
图8是说明本实施方式的频率调节方法的步骤的流程图。
图9是使用本发明的频率调节方法的其它表面声波器件的剖面图。
图10是使用本发明的频率调节方法的其它表面声波器件的剖面图。
图11是使用本发明的频率调节方法的其它表面声波器件的剖面图。
图12是使用本发明的频率调节方法的其它表面声波器件的剖面图。
图13是本实施方式的电子设备的结构图。
具体实施例方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。
(第1实施方式)图1(a)是表示本实施方式的表面声波元件的概略结构的立体图，图1(b)是该图(a)的A-A剖面图。
作为表面声波器件的表面声波元件10a具有包含钽酸锂基板、铌酸锂基板或四硼酸锂基板的压电基板1，形成在该压电基板1的表面上的IDT电极2和反射器电极3a、3b。
在图1中，t表示压电基板1的厚度，P表示IDT电极2的间距，λ表示IDT波长，h表示IDT电极2和反射器电极3a、3b的厚度。
压电基板1以与各个压电材料相对应的切角被切出，并且厚度t被调节为预定厚度，以便激励准纵漏表面声波。
IDT电极2和反射器电极3a、3b由以铝为主成分的金属构成，并且形成于压电基板1上。该IDT电极2具有通过供给驱动电压来激励准纵漏表面声波，并输出预定频率的振动的功能。反射器电极3a、3b形成为夹持IDT电极2，并且具有对IDT电极2所激励的准纵漏表面声波向外部的传播进行反射，把表面声波能量限制在IDT电极2中的功能。
图2是把上述表面声波元件10a收容在收容容器中的表面声波器件的概略剖面图。
表面声波器件10b具有收容容器14和表面声波元件10a。利用陶瓷等形成的收容容器14的一面敞开而设有凹部。在该凹部中，把由压电基板1构成的表面声波元件10a通过金凸块13安装在收容容器14内，使IDT电极2朝下，同时实现电连接和机械连接。在该表面声波器件10b中，在该状态下蚀刻压电基板1的与电极形成面相对的面1b，调节压电基板1的厚度t以达到目标中心频率。
并且，如图3所示，在收容容器14的上面加封盖体15并将内部保持成真空氛围或惰性气体氛围，形成封装后的表面声波器件10c。
下面，在说明本实施方式的表面声波器件的频率调节方法之前，说明频率调节的原理。
一般情况下，表面声波器件的频率取决于IDT电极或反射器电极(以下将两者统称为电极)的实效膜厚，如果电极膜厚变薄则频率上升，如果变厚则频率下降。利用该原理，在实际应用中取代通过蚀刻电极来提高频率的方法或加厚电极的方法，利用以电极为掩模来修整基板，看上去使电极膜厚增加来降低频率的方法，进行表面声波元件的频率调节。
并且，在使用准纵漏表面声波元件的表面声波器件中，该准纵漏表面声波是一面在弹性体(压电体)的深度(厚度)方向放射能量一面传播的表面声波，所以可以通过调节基板厚度来改变中心频率。即，蚀刻在厚度方向上与形成有电极的面相对的面，使基板厚度变薄，由此可以提高频率。
图4是表示使用准纵漏表面声波元件的表面声波器件的各频率调节方法中的蚀刻量和频率变动的概略说明图。
在蚀刻电极表面使电极膜厚变薄的情况下，如点划线所示，对应于电极的蚀刻量，频率的变动量较大，频率在上升方向变化。并且，在以电极为掩模蚀刻压电基板时，如虚线所示，对应于压电基板的蚀刻量，频率的变动量较大，频率在下降方向变化。对此，在蚀刻与形成有电极的面相对的基板面时，如实线所示，对应于压电基板的蚀刻量，频率的变动量较小，频率在上升方向变化。由此可知该方法适合于高精度的频率调节，特别适合频率高、IDT波长短的表面声波器件的频率调节。
图5是表示使用钽酸锂基板、铌酸锂基板或四硼酸锂基板作为压电基板，在蚀刻与形成有IDT电极和反射器电极的面相对的基板面(基板背面)时的蚀刻量和频率变动量的关系的曲线图。
这样，在使用上述各种基板材料时，对应于基板背面的蚀刻量，频率变动量较小，能够实现高精度的频率调节。
因此，本发明的表面声波器件的频率调节方法着重于上述各点，通过蚀刻压电基板背面，可以进行高精度的频率调节。
作为蚀刻该压电基板背面的方法，可以使用湿法蚀刻和干法蚀刻，最好使用可以控制微小量的蚀刻量的干法蚀刻。
以下，说明本实施方式使用的蚀刻装置(频率调节装置)。图6是蚀刻装置的概略结构图。
蚀刻装置40构成为具有腔室41，可以将腔室41内抽真空，也可以向腔室41内导入气体。并且，在该腔室41内配置有上部电极42a和下部电极42b。上部电极42a接地，下部电极42b通过电容43连接RF电源(高频电源)44。在下部电极42b上设有支撑台45，在该支撑台45上可以放置在收容容器中安装了表面声波元件的表面声波器件10b。
并且，在支撑台45上设有测量端子47，其用于测量从表面声波器件10b产生的准纵漏表面声波的频率。该测量端子47通过电缆48连接到频率测量仪49。
频率测量仪49把所测量到的中心频率供给RF电源控制部46。RF电源控制部46对所供给的测量中心频率和目标值进行比较，从而控制RF电源44的动作等。
在使用该蚀刻装置40进行表面声波器件10b的频率调节时，如图2所示，把将压电基板1的与IDT电极2的形成面相对的面(基板背面1b)朝上安装的表面声波器件10b放置在支撑台45上。
然后，利用频率测量仪49开始测量表面声波器件10b的中心频率。因此，一面对容器41内部抽真空，一面向容器41内导入蚀刻气体，在预定的低压下产生等离子体。
此时，利用RF电源44向上部电极42a和下部电极42b之间施加高频电压，所以在等离子体中生成的离子通过电场被加速，对压电基板1的背面1b进行蚀刻。由此，通过该蚀刻，使测量到的中心频率变化并接近目标值。
在该蚀刻中，频率测量仪49对表面声波器件10b的中心频率进行测量，把测量值供给RF电源控制部46。RF电源控制部46将该测量值与预先设定的目标值进行比较，在达到目标值时停止RF电源44的工作。由此，上述蚀刻停止，频率调节结束。
参照图7的流程图对使用这种蚀刻装置40的表面声波器件的频率调节方法进行说明。
首先，在步骤S1中进行设定，使形成于压电基板1上的IDT电极2的厚度h比目标厚度略厚，使中心频率略低于目标值。然后，把表面声波器件10b设置在蚀刻装置40的腔室41内，向IDT电极2施加电压，开始中心频率的测量(输入输出测量)(步骤S2)。然后，进入步骤S3，进行压电基板1的基板背面1b的蚀刻。这样，通过该蚀刻，使所测量到的中心频率逐渐上升而接近目标值。在后面的步骤S4中，如果中心频率不是目标值，则返回到步骤S3，继续蚀刻，如果达到目标值，则进入步骤S5并停止蚀刻。即，一面蚀刻一面反复测量中心频率，并继续蚀刻直到达到目标值。
根据以上所述的频率调节方法，通过蚀刻对应于蚀刻量频率变动量较小的压电基板1的基板背面1b，可以高精度地把中心频率调节为目标值。
这样，能够利用干法蚀刻对压电基板1的基板背面1b进行频率调节，所以能够防止利用等离子体等蚀刻压电基板1的表面时成为问题的由残留铝引起的调节后的频率变动。
并且，可以在完全不破坏压电基板1上形成的电极的情况下进行频率调节，所以中心频率随时间的变化较小，能够实现长期稳定工作的表面声波器件。
下面，参照图8对另一个频率调节方法进行说明。
该方法是形成于表面声波器件的压电基板上的IDT电极的厚度等具有较大的制造偏差而需要进行高精度的频率调节时很有用的方法。
首先，向IDT电极2施加电压，开始测量中心频率(步骤S11)。然后，判定该测量中心频率是小于目标值还是大于目标值(步骤S12)。
在该判断结果为测量中心频率小于目标值时，进入步骤S13，在测量中心频率大于目标值时，进入步骤S19。另外，在测量中心频率与目标值一致时，不需要调节频率，所以结束调节。
在步骤S13中，一面确认测量频率一面例如通过湿法蚀刻来对IDT电极2的表面进行蚀刻。这样，通过该蚀刻，使所测量的中心频率在短时间内上升。然后，继续该蚀刻，直到该测量中心频率达到被设定得略低于中心频率目标值的“临时目标值”(步骤S13、S14)，在其达到“临时目标值”时停止该蚀刻(步骤S15)。以上步骤S13、S14的处理为频率的粗调节(预备频率调节)。
然后，使用蚀刻装置40进行压电基板1的基板背面1b的蚀刻。在该蚀刻中，一面确认测量频率一面进行(步骤S16)。这样，通过该蚀刻，使所测量到的中心频率逐渐上升而接近目标值。并且，继续蚀刻直到中心频率达到目标值(步骤S16、S17)，在其达到目标值时停止蚀刻(步骤S18)。以上步骤S16、S17的处理为频率的微调节。
另一方面，在步骤S19中，蚀刻(例如湿法蚀刻)压电基板1的IDT电极形成面的基板表面。在该蚀刻中，一面确认测量频率一面进行。这样，通过该蚀刻，使所测量的中心频率在短时间内下降。并且，继续该蚀刻，直到该测量中心频率达到被设定得略低于中心频率的目标值的“临时目标值”(步骤S19、S20)，在其达到“临时目标值”时停止该蚀刻(步骤S21)。以上步骤S19、S20的处理为频率的粗调节(预备频率调节)。
然后，使用蚀刻装置40进行压电基板1的基板背面1b的蚀刻。在该蚀刻中，一面确认测量频率一面进行(步骤S22)。这样，通过该蚀刻，使所测量的中心频率逐渐上升并接近目标值。并且，继续蚀刻直到中心频率达到目标值(步骤S22、S23)，在其达到目标值时停止蚀刻(步骤S24)。以上步骤S22、S23的处理为频率的微调节。
根据这种频率调节方法，即使在中心频率的目标值存在偏差的情况下，通过压电基板1的表面或IDT电极2的表面的蚀刻，也能在短时间内进行频率的粗调节，然后，通过压电基板1的基板背面1b的蚀刻进行频率的微调节，由此可以整体上在短时间内进行高精度的频率调节。
并且，特别是在频率调节前的中心频率高于目标值时，在基板背面1b的蚀刻中，由于是中心频率上升趋势的调节，所以不能进行频率调节。此时，通过蚀刻压电基板1的基板表面，使中心频率降低到目标值以下，然后通过基板背面1b的蚀刻提高中心频率，可以把中心频率调节为目标值。这样，在上述频率调节方法中，通过组合压电基板1的基板表面蚀刻和压电基板1的基板背面蚀刻，即使在频率调节前的中心频率高于目标值时也能够调节，其结果，可以获得成品率良好的频率调节方法。
另外，对IDT电极2的表面或压电基板1的表面，通过湿法蚀刻进行频率的粗调节，对压电基板1的基板背面1b，通过干法蚀刻进行微调节，所以能够防止利用等离子体等蚀刻压电基板1的表面时成为问题的、因残留铝引起的调节后的频率变动。因此，可以在完全不破坏压电基板1上形成的电极的情况下进行频率调节，所以中心频率随时间的变化较小，能够实现长期稳定工作的表面声波器件。
另外，在上述示例中，通过压电基板1的表面蚀刻(步骤S19、S20)或IDT电极2的表面蚀刻(步骤S13、S14)，进行频率的粗调节，然后，通过压电基板1的基板背面1b的蚀刻，进行频率的微调节，但也可以采用下述调节方法。
即，在步骤S11的频率测量结果为该中心频率在“临时目标值”的允许范围内时，马上进入压电基板1的基板背面1b的蚀刻处理(步骤S16或步骤S22)。
并且，根据需要，首先进行IDT电极2的表面蚀刻，然后进行压电基板1的表面蚀刻，最后进行压电基板1的基板背面1b的蚀刻，也能够将中心频率调节为目标值。
另外，在上述实施方式中，说明了把表面声波器件10b安装在收容容器中的状态下的频率调节，但是同样也能够在图1所示的表面声波元件10a的状态下进行频率调节。此时，将表面声波元件10a的中心频率调节为目标值，然后安装于收容容器中并密封收容容器。并且，也可以在表面声波元件10a的状态下进行频率的粗调节(预备频率调节)，然后安装在收容容器上，进行达到目标值的频率微调节。(使用了本发明的频率调节方法的表面声波器件的方式)。
图9是使用了本发明的频率调节方法的表面声波器件10d的剖面图。
表面声波器件10d把形成有IDT电极22等的压电基板21通过粘接剂24粘接在利用陶瓷等形成的收容容器26内，使IDT电极22朝上。另外，压电基板21上的电极通过接合线25连接收容容器26的电极。
沿着压电基板21的背面侧外周部设置有加强部28，利用该加强部28在压电基板21的背面侧形成凹部23。该凹部23形成为至少对应压电基板21上的IDT电极22的形成范围。通过蚀刻调节该凹部23中的压电基板21的厚度t，调节为目标中心频率。
为了进行该频率调节，在收容容器26的底部设置对应于压电基板21的凹部23的开口部27。并且，在把压电基板21粘接在收容容器26内后，通过该开口部27蚀刻石英基板21的背面，由此可以调节凹部23的压电基板21的厚度t。并且，在调节频率后，堵塞开口部27，并且密封收容容器26。
根据这种表面声波器件10d，可以安装成使压电基板21的IDT电极22的形成面朝上，所以能够使用引线接合进行电路连接，并且能够高精度地调节为目标频率。
图10是使用了本发明的频率调节方法的表面声波器件10e的剖面图。
该表面声波器件10e通过金凸块52把具有驱动电路和放大电路等的IC芯片51连接在收容容器53内的底部，同时进行电连接和机械连接。在IC芯片51上通过金凸块54连接压电基板58，使IDT电极59朝下，从而使IC芯片51和IDT电极59电连接。这样，IC芯片51形成为被压电基板58覆盖的状态。
在这样构成的表面声波器件10e中，蚀刻压电基板58的与电极形成面相对的面58b，调节压电基板58的厚度t以达到目标中心频率。并且，在调节频率后，密封陶瓷封装体53。
在该表面声波器件10e中，配置成利用压电基板58覆盖IC芯片51，所以在进行频率调节的等离子蚀刻时，形成利用压电基板58保护IC芯片51的状态，可以防止等离子对IC芯片51的破坏。
图11是使用了本发明的频率调节方法的表面声波器件10f的剖面图。
该表面声波器件10f在收容容器61内的底部设置凹部62，在该凹部62内收容IC芯片63，并且使该IC芯片63通过金凸块64连接凹部62内的底部，同时进行电连接和机械连接。
在凹部62的开口部周围形成安装部65，在被该安装部65包围的部分嵌装着压电基板68，并使其IDI电极69朝下。在该状态下，压电基板68通过密封材料66被接合在凹部62的开口部周缘，并且通过金凸块67连接IC芯片63。从而，IC芯片63被收容在凹部62内，并且该凹部62内部形成密封状态。
在这样构成的表面声波器件10f中，蚀刻压电基板68的与电极形成面相对的面68b，调节压电基板68的厚度t以达到目标中心频率。并且，在调节频率后，密封收容容器61。
在该表面声波器件10f中，把IC芯片63密封在凹部62内，所以在进行频率调节的等离子蚀刻时，形成利用压电基板68保护IC芯片63的状态，可以防止等离子对IC芯片63的破坏。
图12是使用了本发明的频率调节方法的表面声波器件10g的剖面图。该表面声波器件10g在收容容器71内的底部设置凹部72，把IC芯片73收容在该凹部72内，并且使该IC芯片73通过金凸块74连接凹部72内的底部，同时进行电连接和机械连接。
在凹部72的开口部周围的一部分(在该例中为其周围的一端侧)设置安装部75，压电基板78的IDT电极79朝下，并且其至少一边支撑在该安装部75上。并且，在该状态下，压电基板78的至少一边利用导电性粘接剂76粘接固定在凹部72的开口部周缘上。另外，压电基板78和IC芯片73通过设在收容容器71上的通孔77电连接。
因此，由于压电基板78为堵塞凹部72的状态，所以凹部72内的IC芯片73处于被压电基板78覆盖的状态。
在这样构成的表面声波器件10g中，蚀刻压电基板78的与电极形成面相对的面78b，调节压电基板78的厚度t以达到目标中心频率。并且，在调节频率后，密封收容容器71。
在该表面声波器件10g中，利用压电基板78覆盖IC芯片73，所以在上述等离子蚀刻时，形成由压电基板78保护IC芯片73的状态，可以防止等离子对IC芯片73的破坏。
(第2实施方式)下面，说明本发明的表面声波器件的实施方式。
该实施方式的表面声波器件如图1、图3、图9～图12所示，利用上述的频率调节方法进行了调节。
根据该表面声波器件，可以提供使用准纵漏表面声波、并且高精度地调节了频率的表面声波器件。
(第3实施方式)下面，说明本发明的电子设备的实施方式。
图13是表示电子设备的结构图。电子设备80具有利用上述频率调节方法调节后的表面声波器件90。作为该实施方式的电子设备，例如可以列举移动电话和无键入口系统等。
在移动电话的情况下，把图1、图3、图9所示的表面声波器件用作移动电话的频率选择滤波器。另外，在无键入口系统的情况下，把表面声波器件用作图10～图12所示的振荡器的谐振器。
这样，该实施方式的电子设备包括使用准纵漏表面声波的表面声波器件作为滤波器、谐振器或振荡器。
这样构成的电子设备具有高精度地调节了频率的表面声波器件，能够提供具有良好性能的电子设备。
权利要求
1.一种表面声波器件的频率调节方法，该表面声波器件具有钽酸锂基板或铌酸锂基板或四硼酸锂基板；和IDT电极，其形成于该钽酸锂基板或铌酸锂基板或四硼酸锂基板上，激励准纵漏表面声波，其特征在于，通过从在厚度方向上与所述IDT电极的形成面相对的面对所述钽酸锂基板或铌酸锂基板或四硼酸锂基板的厚度进行调节，从而进行频率调节。
2.根据权利要求1所述的表面声波器件的频率调节方法，其特征在于，利用干法蚀刻对所述钽酸锂基板或铌酸锂基板或四硼酸锂基板在厚度方向上与所述IDT电极的形成面相对的面进行修整，从而进行所述频率调节。
3.根据权利要求1或2所述的表面声波器件的频率调节方法，其特征在于，在所述频率调节之前，修整所述钽酸锂基板或铌酸锂基板或四硼酸锂基板的IDT电极形成面的基板表面和所述IDT电极的表面中的至少一方，从而进行预备频率调节。
4.一种表面声波器件的频率调节方法，该表面声波器件具有钽酸锂基板或铌酸锂基板或四硼酸锂基板；和IDT电极，其形成于该钽酸锂基板或铌酸锂基板或四硼酸锂基板上，激励准纵漏表面声波，该表面声波器件的所述钽酸锂基板或铌酸锂基板或四硼酸锂基板被收容在收容容器内，把该表面声波器件放置在导入蚀刻气体的腔室内，其特征在于，一面对所述表面声波器件的输入输出特性进行检测，一面对所述钽酸锂基板或铌酸锂基板或四硼酸锂基板在厚度方向上与所述IDT电极的形成面相对的面进行蚀刻，直到获得所期望的频率，由此进行频率调节。
5.根据权利要求4所述的表面声波器件的频率调节方法，其特征在于，在所述频率调节之前，修整所述钽酸锂基板或铌酸锂基板或四硼酸锂基板的IDT电极形成面的基板表面和所述IDT电极的表面中的至少一方，从而进行预备频率调节。
6.一种表面声波器件，其特征在于，利用权利要求1～5中任意一项所述的频率调节方法进行了频率调节。
7.一种电子设备，其包含表面声波器件作为滤波器或谐振器等，其特征在于，所述表面声波器件是利用权利要求1～5中任意一项所述的频率调节方法进行了频率调节的表面声波器件。
全文摘要
本发明的课题是提供一种在使用准纵漏表面声波的表面声波器件中能够高精度地进行频率调节的表面声波器件的频率调节方法。作为解决手段，通过蚀刻形成有IDT电极(2)的、由钽酸锂基板或铌酸锂基板或四硼酸锂基板构成的压电基板(1)的在厚度方向上与形成有IDT电极(2)的面相对的面(基板背面)(1b)，进行表面声波器件(10b)的频率调节。
文档编号H03H3/10GK1707943SQ20051007513
公开日2005年12月14日 申请日期2005年6月8日 优先权日2004年6月9日
发明者押尾政宏 申请人:精工爱普生株式会社