专利名称：提高检波二极管关断速度的方法
技术领域：
本发明涉及一种提高二极管关断速度的方法，特别涉及一种提高检波二极 管关断速度的方法。
背景技术：
目前，检波二极管在关断时，由于正向电流逆转，而二极管的PN结的反向 电场还未形成，就有一个瞬间的反向电流产生，于是影响了检波二极管的工作 性能。
发明内容
本发明的目的是提供一种通过非PN结电场形成的提髙检波二极管关断速度 的方法。
为达到上述目的，本发明提高检波二极管关断速度的方法的技术方案是 在检波二极管外安装一组线圈，线圈的横截面垂直于检波二极管芯片平面，线 圈的两引出线连接一支二极管的两端。当检波二极管处于正向导通时，在检波 二极管的周围有磁场产生。如果是变化的磁场，在线圈内有感生电动势。由于 二极管的两端连接了线圈的两引出线，检波二极管的正向电流增加引起的磁场 变化所在线圈内产生的感生电动势无电流回路，所以对检波二极管的正向导通 特性无影响。由于二极管的两端连接了线圈的两引出线，检波二极管的反向电 流增加引起的磁场变化所在线圈内产生的感生电动势将形成电流回路，此时在 检波二极管的PN结反向电场未形成之前，由于线圈内的感生电流形成的电磁感
应就对检波二极管内的反向电流起作抑制作用，所以提高了检波二极管的反向 导通特性。达到了提高检波二极管关断速度的目的。
本发明提高检波二极管关断速度的方法达到迸一步縮短检波二极管关断时 间的目的。
本发明的有益效果是用简单的方法而非通过更改检波二极管的制造工艺 而提髙检波二极管关断速度，在元件的制造上容易和易掌握。
图1是本发明提高检波二极管关断速度的方法的系统结构图。 图中1.检波二极管，2.线圈，3.二极管。
具体实施例方式
在图1中，在检波二极管1外安装一组线圈2，线圈2的横截面垂直于检波 二极管l芯片平面，线圈2的两引出线连接一支二极管3的两端。
当检波二极管1处于正向导通时，在检波二极管1的周围有磁场产生。如 果是变化的磁场，在线圈2内有感生电动势。由于二极管3的两端连接了线圈2 的两引出线，检波二极管1的正向电流增加引起的磁场变化所在线圈2内产生 的感生电动势无电流回路，所以对检波二极管1的正向导通特性无影响。由于 二极管3的两端连接了线圈2的两引出线，检波二极管1的反向电流增加引起 的磁场变化所在线圈2内产生的感生电动势将形成电流回路，此时在检波二极 管1的PN结反向电场未形成之前，由于线圈2内的感生电流形成的电磁感应就
对检波二极管1内的反向电流起作抑制作用'
权利要求
1、一种提高检波二极管关断速度的方法，其特征在于当检波二极管处于正向导通时，在检波二极管的周围有磁场产生。如果是变化的磁场，在线圈内有感生电动势。由于二极管的两端连接了线圈的两引出线，检波二极管的正向电流增加引起的磁场变化所在线圈内产生的感生电动势无电流回路，所以对检波二极管的正向导通特性无影响。由于二极管的两端连接了线圈的两引出线，检波二极管的反向电流增加引起的磁场变化所在线圈内产生的感生电动势将形成电流回路。
2、 一种提高检波二极管关断速度的方法。包括检波二极管、线圈、二极管， 其特征在于在检波二极管外安装一组线圈，线圈的横截面垂直于检波二极管 芯片平面，线圈的两引出线连接一支二极管的两端。
全文摘要
本发明涉及提供一种提高检波二极管关断速度的方法，包括在检波二极管外安装一组线圈，线圈的横截面垂直于检波二极管芯片平面，线圈的两引出线连接一支二极管的两端。当检波二极管处于正向导通时，在检波二极管的周围有磁场产生。检波二极管的正向电流增加引起的磁场变化所在线圈内产生的感生电动势无电流回路，所以对检波二极管的正向导通特性无影响。检波二极管的反向电流增加引起的磁场变化所在线圈内产生的感生电动势将形成电流回路，此时在检波二极管的PN结反向电场未形成之前，就对检波二极管内的反向电流起作抑制作用。达到了提高检波二极管关断速度的目的。
文档编号H03K17/04GK101179267SQ20071005069
公开日2008年5月14日 申请日期2007年12月5日 优先权日2007年12月5日
发明者刚 罗 申请人:四川西部高新产业开发有限公司