一种银面高压平面式mos肖特基二极管的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及二极管，特别涉及一种银面高压平面式MOS肖特基二极管。
【背景技术】
[0002]肖特基二极管，又称肖特基势皇二极管，它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短，正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。传统的银面高压平面式MOS肖特基二极管，其阳极头和阴极头比较长，在运输或存放过程中容易折弯或折断，大大减少了其使用寿命O
【发明内容】
[0003]本发明所要解决的技术问题是提供一种银面高压平面式MOS肖特基二极管，解决了传统的银面高压平面式MOS肖特基二极管，其阳极头和阴极头比较长，在运输或存放过程中容易折弯或折断，大大减少了其使用寿命的问题。
[0004]为实现上述目的，本发明提供以下的技术方案:一种银面高压平面式MOS肖特基二极管，其中，包括主芯片、导线、肖特基阴极头、肖特基阳极头和外壳，所述主芯片固定于所述外壳内部，所述肖特基阴极头和所述肖特基阳极头分别通过所述导线连接所述主芯片，所述外壳内部设有第一滑槽和所述第二滑槽，所述肖特基阴极头一部分可滑动地置于所述第一滑槽内，另一部分延伸至所述外壳外部，所述肖特基阳极头一部分可滑动地置于所述第二滑槽内，另一部分延伸至所述外壳外部。
[0005]优选的，所述第一滑槽的内壁设有第一卡槽，所述肖特基阴极头表面固接有第一弹性卡片，当滑动所述肖特基阴极头时，所述第一弹性卡片可以卡合在所述第一卡槽内。
[0006]优选的，所述第二滑槽的内壁设有第二卡槽，所述肖特基阳极头表面固接有第二弹性卡片，当滑动所述肖特基阳极头时，所述第二弹性卡片可以卡合在所述第二卡槽内。
[0007]优选的，所述肖特基阴极头和所述肖特基阳极头平行设置。
[0008]优选的，所述肖特基阴极头和所述肖特基阳极头位于所述外壳外部的部分上都套接有橡胶套。
[0009]有益效果:本发明提供了一种银面高压平面式MOS肖特基二极管，其中，所述银面高压平面式MOS肖特基二极管包括主芯片、导线、肖特基阴极头、肖特基阳极头和外壳，使用前，所述肖特基阳极头和所述肖特基阴极头是位于所述外壳内部的，可以有效的防止阴极头和阳极头在运输或存放过程中折弯或折断，使用时，将所述肖特基阳极头和所述肖特基阴极头从外壳内抽出，所述肖特基阳极头和所述肖特基阴极头表面设有弹性卡片结构，当其从外壳抽出时，弹性卡片可以卡合在滑槽内的卡槽上，可以增加阴极头和阳极头的稳定性，防止使用时阴极头和阳极头缩回外壳内部。本发明提供的银面高压平面式MOS肖特基二极管可以有效解决统的银面高压平面式MOS肖特基二极管，其阳极头和阴极头比较长，在运输或存放过程中容易折弯或折断，大大减少了其使用寿命的问题。
【附图说明】
[0010]图1是本发明的结构示意图。
[0011 ]图2是本发明的工作时的结构示意图。
[0012]其中，I主芯片、2外壳、3导线、4第一滑槽、5肖特基阴极头、6第一弹性卡片、7肖特基阳极头、8第二弹性卡片、9第二滑槽。
【具体实施方式】
[0013]下面结合附图详细说明本发明的优选实施方式。
[0014]图1和图2出示本发明的【具体实施方式】:一种银面高压平面式MOS肖特基二极管，其中，包括主芯片1、导线3、肖特基阴极头5、肖特基阳极头7和外壳2，所述主芯片I固定于所述外壳2内部，所述肖特基阴极头5和所述肖特基阳极头7分别通过所述导线3连接所述主芯片I，所述外壳2内部设有第一滑槽4和所述第二滑槽9，所述肖特基阴极头5—部分可滑动地置于所述第一滑槽4内，另一部分延伸至所述外壳2外部，所述肖特基阳极头7—部分可滑动地置于所述第二滑槽9内，另一部分延伸至所述外壳2外部。
[0015]其中，所述第一滑槽4的内壁设有第一卡槽，所述肖特基阴极头5表面固接有第一弹性卡片6，当滑动所述肖特基阴极头5时，所述第一弹性卡片6可以卡合在所述第一卡槽内，所述第二滑槽9的内壁设有第二卡槽，所述肖特基阳极头7表面固接有第二弹性卡片8，当滑动所述肖特基阳极头7时，所述第二弹性卡片8可以卡合在所述第二卡槽内，所述肖特基阴极头5和所述肖特基阳极头7平行设置，所述肖特基阴极头5和所述肖特基阳极头7位于所述外壳2外部的部分上都套接有橡胶套。
[0016]本发明提供了一种银面高压平面式MOS肖特基二极管，其中，所述银面高压平面式MOS肖特基二极管包括主芯片、导线、肖特基阴极头、肖特基阳极头和外壳，使用前，所述肖特基阳极头和所述肖特基阴极头是位于所述外壳内部的，可以有效的防止阴极头和阳极头在运输或存放过程中折弯或折断，使用时，将所述肖特基阳极头和所述肖特基阴极头从外壳内抽出，所述肖特基阳极头和所述肖特基阴极头表面设有弹性卡片结构，当其从外壳抽出时，弹性卡片可以卡合在滑槽内的卡槽上，可以增加阴极头和阳极头的稳定性，防止使用时阴极头和阳极头缩回外壳内部。本发明提供的银面高压平面式MOS肖特基二极管可以有效解决统的银面高压平面式MOS肖特基二极管，其阳极头和阴极头比较长，在运输或存放过程中容易折弯或折断，大大减少了其使用寿命的问题。
[0017]以上所述的仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种银面高压平面式MOS肖特基二极管，其特征在于，包括主芯片、导线、肖特基阴极头、肖特基阳极头和外壳，所述主芯片固定于所述外壳内部，所述肖特基阴极头和所述肖特基阳极头分别通过所述导线连接所述主芯片，所述外壳内部设有第一滑槽和所述第二滑槽，所述肖特基阴极头一部分可滑动地置于所述第一滑槽内，另一部分延伸至所述外壳外部，所述肖特基阳极头一部分可滑动地置于所述第二滑槽内，另一部分延伸至所述外壳外部。2.根据权利要求1所述的银面高压平面式MOS肖特基二极管，其特征在于，所述第一滑槽的内壁设有第一卡槽，所述肖特基阴极头表面固接有第一弹性卡片，当滑动所述肖特基阴极头时，所述第一弹性卡片可以卡合在所述第一卡槽内。3.根据权利要求2所述的银面高压平面式MOS肖特基二极管，其特征在于，所述第二滑槽的内壁设有第二卡槽，所述肖特基阳极头表面固接有第二弹性卡片，当滑动所述肖特基阳极头时，所述第二弹性卡片可以卡合在所述第二卡槽内。4.根据权利要求1所述的银面高压平面式MOS肖特基二极管，其特征在于，所述肖特基阴极头和所述肖特基阳极头平行设置。5.根据权利要求1琐碎事的银面高压平面式MOS肖特基二极管，其特征在于，所述肖特基阴极头和所述肖特基阳极头位于所述外壳外部的部分上都套接有橡胶套。
【专利摘要】本发明公开了一种银面高压平面式MOS肖特基二极管，所述银面高压平面式MOS肖特基二极管包括主芯片、导线、肖特基阴极头、肖特基阳极头和外壳，所述主芯片固定于所述外壳内部，所述肖特基阴极头和所述肖特基阳极头分别通过所述导线连接所述主芯片，所述外壳内部设有第一滑槽和所述第二滑槽，所述肖特基阴极头一部分可滑动地置于所述第一滑槽内，另一部分延伸至所述外壳外部，所述肖特基阳极头一部分可滑动地置于所述第二滑槽内，另一部分延伸至所述外壳外部。解决了传统的银面高压平面式MOS肖特基二极管，其阳极头和阴极头比较长，在运输或存放过程中容易折弯或折断，大大减少了其使用寿命的问题。
【IPC分类】H01L23/49
【公开号】CN105552056
【申请号】CN201610075435
【发明人】黄仲濬, 蒋文甄
【申请人】泰州优宾晶圆科技有限公司
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2016年2月3日