专利名称：多层陶瓷高通滤波器的制作方法
技术领域：
本实用新型有关于一种多层陶瓷高通滤波器，尤其是指一种能令通过该
滤波器的信号获得更佳的信号隔离度，且该高频信号的插入损失(Insertion Loss)小，且有较佳的平坦度，并具更佳的反射损失〔RetumLoss)特性， 特别是可以以多层陶瓷低温共烧技术制作，达到电路整合积体化和縮小组件 尺寸，而可得到更佳波形效果及匹配度的多层陶瓷高通滤波器创新设计。
背景技术：
传统滤波器的架构大多使用单种电路，如分布式组件组合成等效电容 电感的滤波器，但此滤波器会因为频率越低所需的分布式组件越大，而造成 整体滤波器的体积过大。
再者，通信技术日新月异，产品越来越被要求要轻薄短小，并且要有良 好的特性，由于多层陶瓷低温共烧技术(Multi-layer Low Temperature Co-fired Ceramic, LTCC)在一般无线通信产品被广泛的应用，且于低通滤波器上有 着良好的电气特性；然而，在高通滤波器上，却甚少为人所利用。
因此，发明人有鉴于此，秉持多年该相关行业的丰富设计开发及实际制 作经验，针对现有的结构及缺失再予以研究改良，提供一种多层陶瓷高通滤 波器，并有效达到电路整合积体化和縮小组件尺寸，以期达到更佳实用价值 性的目的。
发明内容
本实用新型的多层陶瓷高通滤波器，其主要由数级L 〔电感)C (电容〕 谐振电路所连接组成，以于信号输入该多层陶瓷高通滤波器后，能将低频信 号滤除，令高频信号通过输出，并由此调整L (电感〕C 〔电容)谐振电路的级数及改变电感、电容值，以能获得更佳的信号隔离度，且该高频信号的
插入损失(Insertion Loss〕小，且有较佳的平坦度，并具更佳的反射损失 〔RetumLoss〕特性，更可得到甚佳波形效果及匹配性，并以多层陶瓷低温 共烧技术制成，更可达到电路整合积体化和縮小组件尺寸，在其整体施行使 用上更增实用功效特性。
图l:本实用新型的电路组成示意图2:本实用新型的信号特性曲线图(54MHz(start band 0.3MHz stop band200画z));
图3:本实用新型的信号特性曲线图(85MHz(start band 0.3MHz stop band250MHz));
图4:本实用新型的信号特性曲线图(54MHz与85MHz共享(startband 0.3MHz stopband 1000MHz))。
主要组件符号说明 1:输入端 2:输出端 3: 电"6*
4: LC谐振电路 41:电容 42:电感
具体实施方式
为使本实用新型所运用的技术内容、实用新型目的及其达成的功效有更 完整且清楚的揭露，以下详细说明，并一并参阅所揭示的附图及附图标号
首先，请参阅图l本实用新型的电路组成示意图所示，本实用新型主要 可由低温陶瓷共烧所制成，其于输入端1至输出端2间串联有多个电容3，且于两两电容3间另并联连接L 〔电感〕C 〔电容〕谐振电路4;其中
该L 〔电感)C 〔电容)谐振电路4，其主要由电容41串联连接电感42， 该电感42的另端则予以进行接地。
经由上述电路的组成，如此一来，即可令信号由该输入端l进行输入， 将所输入的低频信号予以滤除，而令高频信号由输出端2予以输出；使得本 实用新型的输出信号的特性，由射频网络分析仪〔RF Network Analyzer〕检 视，应用于54MHz时，请一并参阅图2本实用新型的信号特性曲线图
〔54MHz(start band 0.3MHz stop band 200MHz)〕所示，该Measl于A处的 起始截止段(Rejection)显示出线形相当陡峭，具有极佳的信号隔离度，且 Measl于B处的高频通带频宽(于Mkr3:54MHz， -1.050dB，于Mkr4:70MHz， -0.368dB，于Mkr5: 200MHz, -0.076dB〕显示出其插入损失(Insertion Loss〕 小且曲线极为平坦，并于Meas2的C处〔于Mkr3: 54固z， -21.918dB，于 Mkr4: 70MHz， -27.823dB，于Mkr5: 200MHz， -26.740dB〕显示出本实用 新型于高频通带段处具有极佳的反射损失(ReturnLoss)特性；另外，本实 用新型应用于85MHz时，请再一并参阅图3本实用新型的信号特性曲线图
〔85MHz(start band 0.3MHz stop band 250MHz)〕所示，该Measl于D处的 起始截止段〔Rejection〕显示出线形相当陡峭，同样具有极佳的信号隔离度， 且Measl于E处的高频通带频宽〔于Mkr3: 85MHz， -0.992dB，于Mkr4: 100MHz，-0.502dB，于Mkr5:250MHz，-0.163dB〕显示出其插入损失(Insertion Loss)同样甚小且曲线极为平坦，并于Meas2的F处〔于Mkr3: 85MHz， -19.836dB，于Mkr4: 100MHz， -18.016dB，于Mkr5: 250MHz， -25.381dB〕 显示出本实用新型于高频通带段处具有极佳的反射损失(Return Loss〕特性。 又，请再一并参阅图4本实用新型的信号特性曲线图(54MHz与85MHz 共享(start band 0.3MHz stop band 1000MHz)〕所示，Measl于G处的高频 通带频宽〔于Mkrl: 200MHz， -0.075dB，于Mkr2: 600MHz， -0.120dB， 于Mkr3: 1000MHz， -0.178dB〕显示出本实用新型于高频的应用具有相当宽广的频宽，且插入损失(Insertion Loss〕同样很小，且曲线极为平坦，并于 Meas2的H处〔于Mkrl: 200MHz， -26.595dB，于Mkr2: 600MHz， -27.486dB， 于Mkr3: 1000MHz， -27.657dB〕显示出本实用新型于高频通带段处，即使 高到1000MHz仍然具有极佳的反射损失(Return Loss)特性。再者，本实 用新型的高频滤波信号的频宽，其也可经由改变该L 〔电感〕C (电容〕谐 振电路4的电容41值与电感42值来进行调整。
前述的实施例或图式并非限定本实用新型的结构方式或尺寸，任何所属 技术领域中具有通常知识者的适当变化或修饰，都应视为不脱离本实用新型 的专利范畴。
通过以上所述，本实用新型的结构组成与使用实施说明可知，本实用新 型与现有结构相较之下，由于本实用新型除了能获得更佳的信号隔离度，且 该信号的插入损失〔Insertion Loss〕小，且有较佳的平坦度，因此，信号的 功率损失较少，并具更佳的反射损失(ReturnLoss〕特性之外，更可得到甚 佳波形效果及匹配性，于高频的应用上具有宽广的频宽，并以多层陶瓷共烧 技术制成，更可达到电路整合积体化和縮小组件尺寸，在其整体施行使用上 更增实用功效特性者。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变 化与修饰，都应属本实用新型的涵盖范围。
权利要求1.一种多层陶瓷高通滤波器，其主要于输入端至输出端间串联有多个电容，且于两两电容间并联连接LC谐振电路，其特征是所述LC谐振电路主要由电容串联连接电感，所述电感的另端则予以进行接地。
2. 如权利要求1所述的多层陶瓷高通滤波器，其特征是 所述滤波器可由低温陶瓷共烧所制成。
专利摘要本实用新型提供一种多层陶瓷高通滤波器，其主要由多级L〔电感〕C〔电容〕谐振电路所连接组成，以于信号输入该多层陶瓷高通滤波器后，能将低频信号滤除，令高频信号通过输出，并通过调整L〔电感〕C〔电容〕谐振电路的级数及电感、电容值，以能获得更佳的信号隔离度，且该高频信号的插入损失〔Insertion Loss〕有较佳的平坦度，并具更佳的反射损失〔ReturnLoss〕特性，而可得到更佳波形效果及匹配性，在其整体施行使用上更增实用功效特性。
文档编号H03H7/01GK201150050SQ200720189860
公开日2008年11月12日 申请日期2007年10月19日 优先权日2007年10月19日
发明者戴家麒 申请人:顺泰电子科技股份有限公司