光耦隔离通信电路的制作方法

技术特征：

1.一种光耦隔离通信电路，其包括接口单元、直流控制电路、语音发送电路及语音接收电路；该接口单元与外部传输线路相连用于传输语音信号，该接口单元与该直流控制电路相连，该直流控制电路分别与该语音发送电路及语音接收电路连接；该语音发送电路包括语音信号输入端；该语音接收电路包括语音信号输出端；该直流控制电路为该光耦隔离通信电路提供一静态工作环境；该语音发送电路利用光耦将该语音信号输入端输入的第一语音信号耦合到该直流控制电路并经该接口单元传输至外部传输线路；该语音接收电路利用光耦将该外部传输线路经该接口单元输入的第二语音信号耦合到该语音信号输出端；其中，该直流控制电路包括第一晶体管、第二晶体管、第一稳压二极管及若干电阻；该第一晶体管的第一导通端与该接口单元的第一端连接，该第一晶体管的第一导通端经第一电阻与该第一晶体管的控制端连接，该第一晶体管的控制端与该语音发送电路连接；该第二晶体管的第二导通端与该第一晶体管的第二导通端连接，该第二晶体管的第二导通端依次串联第二电阻、第三电阻至该第二晶体管的控制端；第一稳压二极管的阴极经第四电阻与该第二晶体管的第一导通端连接，该第一稳压二极管的阳极与该接口单元的第二端连接。

2.如权利要求1所述的光耦隔离通信电路，其特征在于：该语音发送电路还包括一控制信号输入端，当该控制信号输入端接收一控制信号时，该直流控制电路导通。

3.如权利要求1所述的光耦隔离通信电路，其特征在于：该第一晶体管为NPN型三极管，该第一晶体管的控制端、第一导通端及第二导通端分别为NPN型三极管的基极、发射极与集电极；该第二晶体管为PNP型三极管，该第二晶体管的控制端、第一导通端及第二导通端分别对应于PNP型三极管的基极、发射极与集电极。

4.如权利要求2所述的光耦隔离通信电路，其特征在于：该语音发送电路包括第一光耦、第五电阻、第六电阻、第一上拉电阻、第一电容及第三晶体管；该第一光耦包括发光二极管及光敏三极管；该发光二极管的阳极经该第一上拉电阻与第一电压源相连，同时该发光二极管的阳极经该第五电阻及第一电容与该语音信号输入端连接；该发光二极管的阴极连接至该控制信号输入端。

5.如权利要求4所述的光耦隔离通信电路，其特征在于：语音接收电路包括第四晶体管、第二光耦、第二电容、第三电容、第七电阻、第八电阻、第一偏置电阻、第二偏置电阻及第二上拉电阻；该第四晶体管的控制端经第七电阻、该第二电容及第八电阻与该直流控制电路中的第一晶体管的第二导通端相连；该第四晶体管的第二导通端经该第一偏置电阻与该第四晶体管的控制端连接，该第四晶体管的第二导通端同时经该第二偏置电阻与该第一稳压二极管的阴极连接；该第二光耦包括发光二极管及光敏三极管，该第二光耦的发光二极管串接于该第四晶体管的第一导通端与该第一稳压二极管的阳极之间，该第二光耦的光敏三极管的集电极经该第二上拉电阻与第二电压源相连，同时经该第三电容连接至该语音信号输出端，该第二光耦的光敏三极管的发射极接地。

6.如权利要求5所述的光耦隔离通信电路，其特征在于：该直流控制电路还包括一上拉电路，其用于为该第一光耦的光敏三极管提供耦合电压。

7.如权利要求6所述的光耦隔离通信电路，其特征在于：该上拉电路包括上拉电阻及第二稳压二极管，该上拉电阻与该第二稳压二极管串接于该接口单元的第一输出端与该第一稳压二极管的阴极之间；该第二稳压二极管的阴极同时经一电阻与该第一光耦的光敏三极管的集电极连接。

8.如权利要求7所述的光耦隔离通信电路，其特征在于：该光耦隔离通信电路还包括回声消除电路，该回声消除电路连接于该语音发送电路与该语音接收电路之间，该回声消除电路用于衰减该语音接收电路的所接收的第一语音信号。

9.如权利要求8所述的光耦隔离通信电路，其特征在于：该回声消除电路包括第四电容及第九电阻，该第九电阻的一端与该第一光耦的光敏三极管的集电极连接，该第九电阻的另一端经该第四电容连接至该语音接收电路中该第八电阻、该第二电容之间的节点。