专利名称：Igbt转接板的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及电子领域，尤其涉及一种IGBT转接板。
背景技术：
绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Translator,简称IGBT)，是一种新型复合器件，集MOSFET和晶体管的优点于一体，具有响应速度快，工作电流大，耐高压等优点，被广泛应用于电力电子领域。但是由于IGBT自身的特性，其工作时会发生擎住效应，如在IGBT关断期间，在栅极电路中会产生一些高频振荡信号，这些信号轻则会使本该关断的IGBT处于微通状态，重则将使其处于短路直通状态，因而导致门极失控；或者因电流电压过大或不稳定造成IGBT的损坏，从而无法正常工作。针对所述问题，存在多种IGBT驱动保护电路，用以连接驱动电路和IGBT。但是，在现有技术中，IGBT的控制端口，尤其是中小功率IGBT的控制端口需要通过导线实现与驱动保护电路的连接，在此过程中器件和电路很容易发生损坏，降低了 IGBT的通用化。
实用新型内容本实用新型提供一种IGBT转接板，用以解决现有技术中中小功率IGBT与驱动保护电路连接不方便导致的不利于IGBT的通用化的缺陷。一方面，本实用新型实施例提供一种IGBT转接板，包括:输入端口和输出端口，所述输入端口和所述输出端口之间连接有门极电阻选通电路、阻容吸收电路和限幅保护电路；所述输入端口，包括栅极输入端口和发射极输入端口，用于接收驱动板的驱动信号;所述输出端口，包括栅极输出端口和发射极输出端口，用于向绝缘栅双极晶体管IGBT输出控制信号，且所述发射极输出端口和所述发射极输入端口连接；所述门极电阻选通电路，用于在所述IGBT开通和关断时提供不同阻值的门极电阻；所述阻容吸收电路，用于对所述驱动信号进行滤波；所述限幅保护电路，用于对所述控制信号进行限幅；其中，所述栅极输出端口和所述发射极输出端口以焊盘形式实现。所述门极电阻选通电路串联在所述栅极输入端口和所述栅极输出端口之间，包括:第一二极管、第一电阻和第二电阻；其中，所述第一二极管与所述第一电阻串联，所述第二电阻与所述第一二极管、第一电阻并联。所述阻容吸收电路连接所述栅极输出端口和所述发射极输出端口，包括:第三电阻和第一电容；[0015]其中，所述第三电阻与所述第一电容并联。所述限幅保护电路连接所述栅极输出端口和所述发射极输出端口，包括:参数相同的第一稳压管和第二稳压管；其中，所述第一稳压管和所述第二稳压管反串联连接，且所述第一稳压管的正极和所述第二稳压管的正极连接。所述第一二极管为快速二极管；所述第一电阻和所述第二电阻为大功率电阻；所述第三电阻为贴片电阻；所述第一电容为贴片电容。另一方面，本实用新型实施例提供一种IGBT转接板，包括:第一输入端口、第一输出端口、第二输入端口、第二输出端口、连接在所述第一输入端口和所述第一输出端口之间的第一电路以及连接在所述第二输入端口和所述第二输出端口之间的第二电路；所述第一电路和所述第二电路均包括门极电阻选通电路、阻容吸收电路和限幅保护电路；所述第一输入端口，包括第一栅极输入端口和第一发射极输入端口，用于接收驱动板的驱动信号；所述第二输入端口，包括第二栅极输入端口和第二发射极输入端口，用于接收驱动板的驱动信号；所述第一输出端口，包括第一栅极输出端口和第一发射极输出端口，用于向第一绝缘栅双极晶体管IGBT输出控制信号，且所述第一发射极输出端口和所述第一发射极输入端口连接；所述第二输出端口，包括第二栅极输出端口和第二发射极输出端口，用于向第二IGBT输出控制信号，且所述第二发射极输出端口和所述第二发射极输入端口连接；所述第一电路中的门极电阻选通电路，用于在所述第一 IGBT开通和关断时提供不同阻值的门极电阻；所述第二电路中的门极电阻选通电路，用于在所述第二 IGBT开通和关断时提供不同阻值的门极电阻；所述第一电路中的阻容吸收电路，用于对所述第一输入端口接收的驱动信号进行滤波；所述第二电路中的阻容吸收电路，用于对所述第二输入端口接收的驱动信号进行滤波；所述第一电路中的限幅保护电路，用于对所述第一输出端口输出的控制信号进行限幅；所述第二电路中的限幅保护电路，用于对所述第二输出端口输出的控制信号进行限幅;其中，所述第一栅极输出端口、所述第二栅极输出端口、所述第一发射极输出端口和所述第二发射极输出端口以焊盘形式实现。所述第一电路中的门极电阻选通电路串联在所述第一栅极输入端口和所述第一栅极输出端口之间，所述第二电路中的门极电阻选通电路串联在所述第二栅极输入端口和所述第二栅极输出端口之间，所述第一电路中的门极电阻选通电路和所述第二电路中的门极电阻选通电路均包括:第一二极管、第一电阻和第二电阻；其中，所述第一二极管与所述第一电阻串联，所述第二电阻与所述第一二极管、第一电阻并联。所述第一电路中的阻容吸收电路连接所述第一栅极输出端口和所述第一发射极输出端口，所述第二电路中的阻容吸收电路连接所述第一栅极输出端口和所述第一发射极输出端口，所述第一电路中的阻容吸收电路和所述第二电路中的阻容吸收电路均包括:第三电阻和第一电容；其中，所述第三电阻与所述第一电容并联。所述第一电路中的限幅保护电路连接所述第一栅极输出端口和所述第一发射极输出端口，所述第二电路中的限幅保护电路连接所述第二栅极输出端口和所述第二发射极输出端口，所述第一电路中的限幅保护电路和所述第二电路中的限幅保护电路均包括:参数相同的第一稳压管和第二稳压管；其中，所述第一稳压管和所述第二稳压管反串联连接，且所述第一稳压管的正极和所述第二稳压管的正极连接。所述第一二极管为快速二极管；所述第一电阻和所述第二电阻为大功率电阻；所述第三电阻为贴片电阻；所述第一电容为贴片电容。本实用新型提供的IGBT转接板，可以通过焊盘实现IGBT与板上驱动保护电路的连接，从而在保证降低IGBT损耗，防止IGBT静电击穿的同时，提高了 IGBT的通用化。
图1为本实用新型实施例中IGBT模块的示意图；图2为本实用新型实施例提供的一个IGBT转接板的结构示意图；图3为本实用新型实施例提供的一个IGBT转接板的电路示意图；图4为本实用新型实施例提供的一个IGBT转接板的结构示意图；图5为本实用新型实施例提供的一个IGBT转接板的电路示意图；图6为本实用新型实施例提供的一个IGBT转接板与IGBT模块的连接示意图；图7为本实用新型实施例提供的一个IGBT转接板与驱动板以及IGBT模块的连接示意图。
具体实施方式
本实用新型提供一种IGBT转接板，从而避免IGBT静电击穿、方便IGBT与驱动保护电路的连接并且提高IGBT的通用化。图1为本实用新型实施例中IGBT模块的示意图，如图1所示，所述IGBT模块包括:半桥结构的第一 IGBT (图中未标出)和第二 IGBT (图中未标出)、主端口 11和控制端口12;主端口 11包括:第一端口 111、第二端口 112和第三端口 113;控制端口 12包括:第一栅极控制端口 121、第一发射极控制端口 122、第二栅极控制端口 123和第二发射极控制端Π 124。具体的，第一端口 111为所述IGBT模块的输出端口 ；第二端口 112通常连接电源负极或接地，用于向所述IGBT模块提供低电位；第三端口 113通常连接电源正极，用于向所述IGBT模块提供高电位；第一栅极控制端口 121和第一发射极控制端口 122分别连接所述第一 IGBT的栅极和发射极，用于接收控制信号，从而控制所述第一 IGBT的工作状态；第二栅极控制端口 123和第二发射极控制端口 124分别连接所述第二 IGBT的栅极和发射极，用于接收控制信号，从而控制所述第二 IGBT的工作状态。[0049]所述工作状态包括:IGBT开通和IGBT关断。以所述第一 IGBT为例，当第一栅极控制端口 121接收的控制信号的电位高于第一发射极控制端口 122接收的控制信号的电位，且其电位差达到一定值，则所述第一 IGBT开通；当第一栅极控制端口 121接收的控制信号的电位与第一发射极控制端口 122接收的控制信号的电位差低于一定值或为负值时，则所述第一 IGBT关断。图2为本实用新型实施例提供的一个IGBT转接板的结构示意图，如图2所示，包括:输入端口 21和输出端口 22，输入端口 21和输出端口 22之间连接有门极电阻选通电路23、阻容吸收电路24和限幅保护电路25。输入端口 21包括栅极输入端口 211和发射极输入端口 212，与驱动板连接，用于接收所述驱动板的驱动信号；输出端口 22包括栅极输出端口 221和和发射极输出端口 222，用于向IGBT输出控制信号，且发射极输出端口 222和发射极输入端口 212连接。门极电阻选通电路23，用于在所述IGBT开通和关断时提供不同阻值的门极电阻；阻容吸收电路24，用于对所述驱动信号进行滤波；限幅保护电路25，用于对所述控制信号进行限幅；其中，栅极输出端口 221和发射极输出端口 222以焊盘形式实现。可选的，门极电阻选通电路23、阻容吸收电路24和限幅保护电路25的相对位置关系并不只局限于图2中所示的位置关系。例如，阻容吸收电路24或限幅保护电路25连接在靠近输入端口 21的一端，门极电阻选通电路23连接在靠近输出端口 22的一端,本实施例在此不对其进行限制。本实施例提供的IGBT转接板具有驱动保护功能，且输出端口为焊盘结构，可以方便地与IGBT焊接，在保护IGBT的同时，提高了 IGBT的通用化。图3为本实用新型实施例提供的一个IGBT转接板的电路示意图，如图3所示，包括:输入端口 31和输出端口 32，输入端口 31和输出端口 32之间连接有门极电阻选通电路、阻容吸收电路和限幅保护电路。输入端口 31包括栅极输入端口 Gin和发射极输入端口 Ein，输入端口 31与驱动板连接，用于接收所述驱动板的驱动信号；输出端口 32包括栅极输出端口 Gout和和发射极输出端口 Eout，用于向IGBT输出控制信号，且发射极输出端口 Eout和发射极输入端口 Ein连接。其中，Gout和Eout以焊盘形式实现。作为本实施例一种可实施的方式，所述门极电阻选通电路串联在Gin和Gout之间，包括:第一二极管D1、第一电阻RGl和第二电阻RG2。其中，所述Dl与RGl串联，且RG2与Dl和所述RGl并联。所述门极电阻选通电路的工作原理为:当所述IGBT开通时，Dl正向导通，可以近似等效为导线通路，驱动信号通过RGl和RG2的并联门极电阻，即等效的门极电阻的阻值为RGl和RGl的并联电阻的阻值，所述等效的门极电阻的阻值小于RGl的阻值，且小于RG2的阻值；当IGBT关断时，Dl反向截止，可以近似等效为断路，驱动信号只通过RG2，即等效的门极电阻的阻值为RG2的阻值。相对IGBT开通时等效的门极电阻的阻值，IGBT关断时等效的门极电阻的阻值较大。从而实现了 IGBT开通和关断时，门极电阻选择不同的阻值，即当IGBT开通时，门极电阻的阻值较小，当IGBT关断时，门极电阻的阻值较大。[0062]可选的，Dl为快速二极管，用于使IGBT快速开通；RG1和RG2为大功率电阻，用于使IGBT有效缓关断，从而提高IGBT的性能并保护IGBT不被击穿。可选的，RGl的阻值不大于RG2的阻值，使IGBT开通和关断时等效的门极电阻不同阻值的效果更明显。可选的，RGl和RG2的参数根据IGBT的工作性能参数确定，例如，RGl的阻值为1.8欧姆(Ω )，功率为2瓦特(W);RG2的阻值为3 Ω，功率为2W，本实施例在此不对其进行限制。本实施方式通过IGBT开通和关断时，门极选择不同阻值的门极电阻，确保IGBT快速开通，降低开通损耗；IGBT较缓地关断，防止因IGBT的集电极电流减小过快导致的误导通。作为本实施例又一可实施的方式，所述阻容吸收电路连接在Gout和Eout之间，包括:第三电阻Rl和第一电容Cl，其中Rl和Cl并联。所述阻容吸收电路的工作原理为:当输入端口 31接收到的脉冲信号受到干扰时，Rl和Cl组成的所述阻容吸收电路可以进行一定程度的滤波处理，并且，在没有接收脉冲信号的情况下，所述阻容吸收电路可以通过分压或吸收IGBT栅极上积累的电荷，防止IGBT受到静电施加的超过其阈值电压值的电压时发生击穿。可选的，Rl为贴片电阻，Cl为贴片电容。由于贴片元器件具有体积小，占用版面少及元器件之间布线距离短等优点，可以实现资源的节省和集成度的提高。可选的，Rl和Cl的参数根据IGBT的工作性能参数确定，例如，Rl的阻值为10千欧姆αΩ )，Cl的电容值为1.5纳法(nF)，本实施例在此不对其进行限制。本实施方式通过阻容吸收电路进行滤波，实现对干扰信号的吸收，并且防止IGBT发生静电击穿。作为本实施例又一可实施的方式，所述限幅保护电路连接在Gout和所述Eout之间，包括:参数相同的第一稳压管Zl和第二稳压管Z2，其中，Zl和Z2反串联，且Zl的正极与Z2的正极连接。稳压管，即当其反向击穿后，其两端的电压基本保持不变，从而实现稳压限幅作用。所述限幅保护电路的工作原理为:当IGBT开通时，Zl发挥稳压限幅作用，Z2正向导通；当IGBT关断时，Zl正向导通，Z2发挥稳压限幅作用，从而保证向IGBT输出的所述控制信号的绝对值不超过一定值，即将其限幅在一定范围内。其中，IGBT导通后的管压降与所加栅源电压有关，在漏源电流一定的情况下，栅极和发射极之间的压降VeE越高，器件的导通损耗就越小，这有利于充分发挥管子的工作能力。但是，veE并非越高越好，原因是一旦发生过流或短路，栅压越高，则电流幅值越高，控制信号超出一定范围就可能破坏栅极，IGBT损坏的可能性就越大。可选的，Zl和Z2的参数可以根据IGBT的工作性能参数确定，从而提高对IGBT限幅保护的准确性和可靠性。例如，Zl和Z2的稳定电压参数为16V，本实施例在此不对其进行限制。本实施方式通过稳压管的稳压限幅作用，防止IGBT控制信号的幅度过大，避免IGBT发热量增大导致栅极击穿。可选的，所述门极电阻选通电路、所述阻容吸收电路和所述限幅保护电路的相对位置关系并不只局限于图3所示的位置关系，例如，所述阻容吸收电路或所述限幅保护电路也可以连接在靠近输入端口 31的一端，所述门极电阻选通电路连接在靠近输出端口 32的一端，本实施例在此不对其进行限制。本实施例通过门极电阻选通电路、阻容吸收电路和限幅保护电路提高了 IGBT的性能和可靠性，且采用焊盘形式实现了 IGBT通用化的提高。图4为本实用新型实施例提供的一个IGBT转接板的结构示意图，如图4所示，包括:第一输入端口 41、第一输出端口 42、第二输入端口 43、第二输出端口 44、连接在第一输入端口 41和第一输出端口 42之间的第一电路45以及连接在第二输入端口 43和第二输出端口 44之间的第二电路46。第一电路45和第二电路46均包括门极电阻选通电路、阻容吸收电路和限幅保护电路；其中，所述门极电阻选通电路、所述阻容吸收电路和所述限幅保护电路参照图2、图3所示实施例，本实施例在此不再赘述。第一输入端口 41,包括第一栅极输入端口和第一发射极输入端口 ；第二输入端口43，包括第二栅极输入端口和第二发射极输入端口 ；第一输入端口 41和第二输入端口 43均用于接收驱动板的驱动信号。第一输出端口 42,包括第一栅极输出端口和第一发射极输出端口，用于向第一IGBT输出控制信号,且所述第一发射极输出端口和所述第一发射极输入端口连接；第二输出端口 44，包括第二栅极输出端口和第二发射极输出端口，用于向第二 IGBT输出控制信号，且所述第二发射极输出端口和所述第二发射极输入端口连接；其中，第一输出端口 42和第二输出端口 44以焊盘形式实现。本实施例通过输出端口为焊盘形式的IGBT转接板，实现了连接方便的IGBT，简化IGBT布线进而提高IGBT的通用化。图5为本实用新型实施例提供的一个IGBT转接板电路示意图，如图5所示，包括:第一输入端口 51、第一输出端口 52、第二输入端口 53、第二输出端口 54、连接在第一输入端口 51和第一输出端口 52之间的第一电路以及连接在第二输入端口 53和第二输出端口 54之间的第二电路。所述第一电路和所述第二电路均包括门极电阻选通电路、阻容吸收电路和限幅保护电路；其中，所述门极电阻选通电路、所述阻容吸收电路和所述限幅保护电路参照图2、图3所示实施例，本实施例在此不再赘述。第一输入端口 51,包括第一栅极输入端口 Glin和第一发射极输入端口 Elin ;第二输入端口 53，包括第二栅极输入端口 G2in和第二发射极输入端口 E2in ;第一输入端口 51和第二输入端口 53均用于接收驱动板的驱动信号。第一输出端口 52,包括第一栅极输出端口 Glout和第一发射极输出端口 Elout,用于向第一 IGBT输出控制信号，且Elout和Elin连接；第二输出端口 54，包括第二栅极输出端口 G2out和第二发射极输出端口 E2out，用于向第二 IGBT输出控制信号，且E2out和E2in连接；其中，第一输出端口 52和第二输出端口 54以焊盘形式实现。本实施例通过门极电阻选通电路、阻容吸收电路和限幅保护电路提高了 IGBT的性能和可靠性，且采用焊盘形式的IGBT转接板实现连接方便的IGBT，简化IGBT布线进而提高IGBT的通用化。图6为本实用新型实施例提供的一个IGBT转接板与IGBT模块的连接示意图，如图6所示，包括=IGBT模块61和IGBT转接板62。具体的，IGBT模块61为如图1所示的IGBT模块，本实施例在此不再赘述。IGBT转接板62为如图4、图5所示的IGBT转接板，包括:第一栅极输出端口Glout、第二栅极输出端口 G2out、第一发射极输出端口 Elout、第二发射机输出端口 E2out、第一栅极输入端口 Glin、第二栅极输入端口 G2in、第一发射极输入端口 Elin和第二发射极输入端口 E2in,另外,第一电路和第二电路在图6中未标出。其中，Glout与所述IGBT模块的第一栅极控制端口通过焊盘连接，Elout与所述IGBT模块的第一发射极控制端口通过焊盘连接，G2out与所述IGBT模块的第二栅极控制端口通过焊盘连接，E2out与所述IGBT模块的第二发射极控制端口通过焊盘连接。可选的，当所述IGBT转接板的各输出端口和所述IGBT模块的各控制端口如上述方式对应连接的条件下，通过对IGBT转接板62的输入端口与驱动板进行选择性连接，可以实现不同的连接模式，例如，单路模式或双路模式。其中，当IGBT模块的主端口、Glin和Elin与驱动板连接、或所述IGBT模块的主端口、G2in和E2in与所述驱动板连接，即实现单路模式；当所述IGBT模块的主端口、Glin和Elin、G2in和E2in均与所述驱动板连接，即实现双路模式。其中，IGBT转接板62的输出端口 Glout、G2out、Elout和E2out均通过焊盘实现与IGBT模块的控制端口的连接，从而在实现对IGBT门极选择、阻容吸收和限幅保护的同时提高IGBT的通用化。图7为本实用新型实施例提供的一个IGBT转接板与驱动板以及IGBT模块的连接示意图，如图7所示，包括:第一 IGBT模块71、第二 IGBT模块72、第一 IGBT转接板73、第二 IGBT转接板74和驱动板75，其中，任一所述IGBT转接板与所述驱动板的连接模式为双路模式。其中，第一 IGBT模块71和第二 IGBT模块72为图1所示的IGBT模块，第一 IGBT转接板73和第二 IGBT转接板74为图4、图5所示的IGBT转接板，本实施例在此不再赘述。具体的，所述驱动板75包括:第一驱动栅极端口 G1、第二驱动栅极端口 G2、第一驱动发射极端口 E1、第二驱动发射极端口 E2、第一驱动集电极端口 Cl及第二驱动集电极端口C2。具体的，Cl、第一 IGBT模块71的第三端口和第二 IGBT模块72的第三端口连接；C2、第一 IGBT模块71的第一端口和第二 IGBT模块72的第一端口连接，用于形成反馈，提高IGBT工作性能；Gl通过分线结构分别与第一 IGBT转接板73的Glin、所述第二 IGBT转接板74的Glin连接；E1通过分线结构分别与第一 IGBT转接板73的Elin、第二 IGBT转接板74的Elin连接；G2通过分线结构分别与第一 IGBT转接板73的G2in、第二 IGBT转接板74的G2in连接；E2通过分线结构分别与第一 IGBT转接板73的E2in、第二 IGBT转接板74的E2in连接；[0105]驱动板75、第一 IGBT转接板73和第二 IGBT转接板74通过分线连接结构，实现所述第一 IGBT模块71、第二 IGBT模块72与驱动板75的并联结构。本实施例通过驱动板与IGBT转接板的分线连接实现驱动板与并联结构的IGBT模块的连接，简化了 IGBT的布线设计，提高IGBT的可靠性和通用化。最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。
权利要求1.一种IGBT转接板，其特征在于，包括:输入端口和输出端口，所述输入端口和所述输出端口之间连接有门极电阻选通电路、阻容吸收电路和限幅保护电路； 所述输入端口，包括栅极输入端口和发射极输入端口，用于接收驱动板的驱动信号；所述输出端口，包括栅极输出端口和发射极输出端口，用于向绝缘栅双极晶体管IGBT输出控制信号，且所述发射极输出端口和所述发射极输入端口连接； 所述门极电阻选通电路，用于在所述IGBT开通和关断时提供不同阻值的门极电阻； 所述阻容吸收电路，用于对所述驱动信号进行滤波； 所述限幅保护电路，用于对所述控制信号进行限幅； 其中，所述栅极输出端口和所述发射极输出端口以焊盘形式实现。
2.根据权利要求1所述的IGBT转接板，其特征在于，所述门极电阻选通电路串联在所述栅极输入端口和所述栅极输出端口之间，包括:第一二极管、第一电阻和第二电阻； 其中，所述第一二极管与所述第一电阻串联，所述第二电阻与所述第一二极管、第一电阻并联。
3.根据权利要求1或2所述的IGBT转接板，其特征在于，所述阻容吸收电路连接所述栅极输出端口和所述发射极输出端口，包括:第三电阻和第一电容； 其中，所述第三电阻与所述第一电容并联。
4.根据权利要求1所述的IGBT转接板，其特征在于，所述限幅保护电路连接所述栅极输出端口和所述发射极输出端口，包括:参数相同的第一稳压管和第二稳压管； 其中，所述第一稳压管和所述第二稳压管反串联连接，且所述第一稳压管的正极和所述第二稳压 管的正极连接。
5.根据权利要求3所述的IGBT转接板，其特征在于， 所述第一二极管为快速二极管；所述第一电阻和所述第二电阻为大功率电阻； 所述第三电阻为贴片电阻；所述第一电容为贴片电容。
6.一种IGBT转接板,其特征在于，包括:第一输入端口、第一输出端口、第二输入端口、第二输出端口、连接在所述第一输入端口和所述第一输出端口之间的第一电路以及连接在所述第二输入端口和所述第二输出端口之间的第二电路； 所述第一电路和所述第二电路均包括门极电阻选通电路、阻容吸收电路和限幅保护电路； 所述第一输入端口，包括第一栅极输入端口和第一发射极输入端口，用于接收驱动板的驱动信号； 所述第二输入端口，包括第二栅极输入端口和第二发射极输入端口，用于接收驱动板的驱动信号； 所述第一输出端口，包括第一栅极输出端口和第一发射极输出端口，用于向第一绝缘栅双极晶体管IGBT输出控制信号，且所述第一发射极输出端口和所述第一发射极输入端口连接； 所述第二输出端口，包括第二栅极输出端口和第二发射极输出端口，用于向第二 IGBT输出控制信号，且所述第二发射极输出端口和所述第二发射极输入端口连接； 所述第一电路中的门极电阻选通电路，用于在所述第一 IGBT开通和关断时提供不同阻值的门极电阻；所述第二电路中的门极电阻选通电路，用于在所述第二 IGBT开通和关断时提供不同阻值的门极电阻； 所述第一电路中的阻容吸收电路，用于对所述第一输入端口接收的驱动信号进行滤波；所述第二电路中的阻容吸收电路，用于对所述第二输入端口接收的驱动信号进行滤波； 所述第一电路中的限幅保护电路，用于对所述第一输出端口输出的控制信号进行限幅；所述第二电路中的限幅保护电路，用于对所述第二输出端口输出的控制信号进行限幅; 其中，所述第一栅极输出端口、所述第二栅极输出端口、所述第一发射极输出端口和所述第二发射极输出端口以焊盘形式实现。
7.根据权利要求6所述的IGBT转接板，其特征在于，所述第一电路中的门极电阻选通电路串联在所述第一栅极输入端口和所述第一栅极输出端口之间，所述第二电路中的门极电阻选通电路串联在所述第二栅极输入端口和所述第二栅极输出端口之间，所述第一电路中的门极电阻选通电路和所述第二电路中的门极电阻选通电路均包括:第一二极管、第一电阻和第二电阻； 其中，所述第一二极管与所述第一电阻串联，所述第二电阻与所述第一二极管、所述第一电阻并联。
8.根据权利要求6或7所述的IGBT转接板，其特征在于，所述第一电路中的阻容吸收电路连接所述第一栅极输出端口和所述第一发射极输出端口，所述第二电路中的阻容吸收电路连接所述第一栅极输出端口和所述第一发射极输出端口，所述第一电路中的阻容吸收电路和所述第二电路中的阻容吸收电路均包括:第三电阻和第一电容； 其中，所述第三电阻与所述第一`电容并联。
9.根据权利要求6所述的IGBT转接板，其特征在于，所述第一电路中的限幅保护电路连接所述第一栅极输出端口和所述第一发射极输出端口，所述第二电路中的限幅保护电路连接所述第二栅极输出端口和所述第二发射极输出端口，所述第一电路中的限幅保护电路和所述第二电路中的限幅保护电路均包括:参数相同的第一稳压管和第二稳压管； 其中，所述第一稳压管和所述第二稳压管反串联连接，且所述第一稳压管的正极和所述第二稳压管的正极连接。
10.根据权利要求8所述的IGBT转接板，其特征在于， 所述第一二极管为快速二极管；所述第一电阻和所述第二电阻为大功率电阻； 所述第三电阻为贴片电阻；所述第一电容为贴片电容。
专利摘要本实用新型公开了一种IGBT转接板，包括输入端口和输出端口，所述输入端口和输出端口之间连接有门极电阻选通电路、阻容吸收电路和限幅保护电路；所述输入端口，包括栅极输入端口和发射极输入端口，用于接收驱动板的驱动信号；所述输出端口，包括栅极输出端口和发射极输出端口，用于向IGBT输出控制信号，且所述发射极输出端口和所述发射极输入端口连接；所述门极电阻选通电路，用于在所述IGBT开通和关断时提供不同阻值的门极电阻；阻容吸收电路，用于对所述脉冲信号进行滤波；限幅保护电路，用于对所述控制信号进行限幅；其中，所述栅极输出端口和所述发射极输出端口以焊盘形式实现。
文档编号H03K17/567GK202931270SQ201220526309
公开日2013年5月8日 申请日期2012年10月15日 优先权日2012年10月15日
发明者吴志友, 李桂莲, 高婷, 戴碧君 申请人:中国北车股份有限公司大连电力牵引研发中心