专利名称：一种高上限频率的放大电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种放大电路，具体的讲，属于一种高上限频率的放大电路。
背景技术：
放大电路为电路中最寻常的一种电路，现有的放大电路虽然效果好，但是噪声高、上线频率低，导致应用范围窄，且只能应用于要求不高的系统中，因此设计一种高上限频率的放大电路是非常有必要的。
实用新型内容本实用新型的目的在于克服现有的放大电路噪声高、上线频率低的缺陷，提供一种高上限频率的放大电路。为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案如下:一种高上限频率的放大电路，包括由JFET共源电路作为第一级和BJT电流跟随器作为第二级组成的共源-共基串接电路。进一步的，所述BJT的共基集与JFET的漏极相连。更进一步的，所述BJT的共集电极与电源VCC之间连接有电阻Re、共发射极上连接有相互并联的电容Cb和电阻Rb2，其中并联的另一端接地，该共发射极与电源VCC之间还连接有电阻Rbl。在进一步的，所述JFET的栅极上还连接电阻Rg的一端，电阻Rg的另一端接地，该栅极与直流电源RS之间还连接有电容Cbl，所述JFET的源极上还连接有电阻R2的一端，电阻R2的另一端连接有电阻R1，电阻Rl还与电容C并联，上述两者构成的并联支路另一端接地。与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果:(I)本实用新型电路结构简单、成本低廉，克服了现有技术中采用复杂电路的缺陷，适合推广使用。(2)本实用新型采用BJT和JFET的组态配合，由于JFET构成的倒相电压放大电路具有电压增益高和输出电阻高的特点，在第二级采用BJT电流跟随器能够达到很好的放大作用，上限频率能够> 1MHz，并且能够消除密勒效应，很好地阻隔噪声。
图1为本实用新型一实施例的电路原理图。
具体实施方式
以下结合附图与实施例对本实用新型作进一步说明，本实用新型的实施方式包括但不限于下列实施例。实施例如图1所示，一种高上限频率的放大电路，包括由JFET共源电路作为第一级和BJT电流跟随器作为第二级组成的共源-共基串接电路。所述BJT的共基集与JFET的漏极相连。所述BJT的共集电极与电源VCC之间连接有电阻Re、共发射极上连接有相互并联的电容Cb和电阻Rb2，其中并联的另一端接地，共集电极通过电容Cb2输出直流电压VO，该共发射极与电源VCC之间还连接有电阻Rbl。其中电源VCC=20V，电阻Rc=20kQ，电阻Rbl=47kQ，电阻 Rb2=47kQ，电容 Cb=47 uF，电容 Cb2=10 uF，BJT 中的 T2 选用 3DG4。为了更好地实现本实用新型，所述JFET的栅极上还连接电阻Rg的一端，电阻Rg的另一端接地，该栅极与直流电源RS之间还连接有电容Cbl，所述JFET的源极上还连接有电阻R2的一端，电阻R2的另一端连接有电阻R1，电阻Rl还与电容C并联，上述两者构成的并联支路另一端接地。其中电阻Rl=4.7 Κω,电阻R2=100 Ω，电容Cbl=0.47 uF，电容C=47 uF, JFET 中的 Tl 选用 CS146。按照上述实施例，便可很好地实现本实用新型。
权利要求1.一种高上限频率的放大电路，其特征在于，包括由JFET共源电路作为第一级和BJT电流跟随器作为第二级组成的共源-共基串接电路。
2.根据权利要求1所述的一种高上限频率的放大电路，其特征在于，所述BJT的共基集与JFET的漏极相连。
3.根据权利要求2所述的一种高上限频率的放大电路，其特征在于，所述BJT的共集电极与电源VCC之间连接有电阻Re、共发射极上连接有相互并联的电容Cb和电阻Rb2，其中并联的另一端接地，该共发射极与电源VCC之间还连接有电阻Rbl。
4.根据权利要求3所述的一种高上限频率的放大电路，其特征在于，所述JFET的栅极上还连接电阻Rg的一端，电阻Rg的另一端接地，该栅极与直流电源RS之间还连接有电容Cbl，所述JFET的源极上还连接有电阻R2的一端，电阻R2的另一端连接有电阻Rl，电阻Rl还与电容C并联，上述两者构成的并联支路另一端接地。
专利摘要本实用新型公开了一种高上限频率的放大电路，属于电路领域，本实用新型包括由JFET共源电路作为第一级和BJT电流跟随器作为第二级组成的共源-共基串接电路。通过上述设置，本实用新型达到了于克服现有的放大电路噪声高、上线频率低的缺陷，不仅结构简单，精度高，同时上限频率能够＞1MHz，并且能够消除密勒效应，很好地阻隔噪声。适合推广使用。
文档编号H03F1/26GK203057076SQ20122066417
公开日2013年7月10日 申请日期2012年12月6日 优先权日2012年12月6日
发明者汤宏 申请人:四川高软软件科技有限公司