一种短波4w功率放大器的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种短波4W功率放大器，包括射频信号输入接口P1、用于功率放大的高频三极管Q1、三极管偏置电路和射频信号输出接口P2，以及用于将射频信号的50欧姆的阻抗匹配到高频三极管Q1的基极阻抗的射频变压器T1和用于将高频三极管Q1的输出阻抗匹配到50欧姆的射频变压器T2；高频三极管Q1的型号为2SC2078，三极管偏置电路由三端稳压器78L05、电阻R1、可调电阻R2、非极性电容C6、极性电容C7和非极性电容C8组成，射频信号输入接口P1和射频信号输出接口P2均为具有两个引脚的接口。本实用新型实现方便，成本低，通用性强，工作稳定性和可靠性更高，能够很方便地集成到短波通信系统中去。
【专利说明】—种短波4W功率放大器
【技术领域】
[0001]本实用新型属于射频通信【技术领域】，具体涉及一种短波4W功率放大器。
【背景技术】
[0002]现有的短波功率放大器种类已经较多，其常使用的双极型功放管有2SC1970，2SC1971等，其常使用的M0S功放管有IFR530等。而当需要的功率在几瓦特(例如4W)的时候，大多采用双极型晶体管2SC1971，双极型晶体管2SC1971的增益较高，截止工作频率也较高，从而，其成本也较高，提高了整个功率放大器的成本，限制了功率放大器的应用范围。
实用新型内容
[0003]本实用新型所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，提供一种短波4W功率放大器，其电路结构简单，实现方便，成本低，通用性强，工作稳定性和可靠性更高，能够很方便地集成到短波通信系统中去。
[0004]为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是:一种短波4W功率放大器，其特征在于:包括射频信号输入接口 P1、用于功率放大的高频三极管Q1、三极管偏置电路和射频信号输出接口 P2，以及用于将射频信号的50欧姆的阻抗匹配到高频三极管Q1的基极阻抗的射频变压器T1和用于将高频三极管Q1的输出阻抗匹配到50欧姆的射频变压器T2 ;所述高频三极管Q1的型号为2SC2078，所述三极管偏置电路由三端稳压器78L05、电阻R1、可调电阻R2、非极性电容C6、极性电容C7和非极性电容C8组成，所述射频信号输入接口 P1和射频信号输出接口 P2均为具有两个引脚的接口 ；所述射频变压器T1的初级线圈的一端通过非极性电容C1与射频信号输入接口 P1的一个引脚相接，所述射频信号输入接口 P1的另一个引脚接地，所述射频变压器T1的初级线圈的另一端和次级线圈的一端均与高频三极管Q1的基极相接，所述高频三极管Q1的集电极与射频变压器T2的初级线圈的一端和次级线圈的一端相接，所述高频三极管Q1的发射极接地，所述射频变压器T2的初级线圈的另一端与+12V电源的输出端相接，所述射频变压器T2的次级线圈的另一端通过非极性电容C5与射频信号输出接口 P2的一个引脚相接，所述射频信号输出接口 P2的另一个引脚接地，所述射频变压器T1的次级线圈的另一端与非极性电容C6的一端、极性电容C7的正极和电阻R1的一端相接，所述非极性电容C6的另一端和极性电容C7的负极均接地，所述电阻R1的另一端与可调电阻R2的一个固定端相接，所述可调电阻R2的滑动端和另一个固定端以及非极性电容C8的一端均与三端稳压器78L05的第1引脚相接，所述三端稳压器78L05的第2引脚接地，所述三端稳压器78L05的第3引脚与+12V电源的输出端相接。
[0005]上述的一种短波4W功率放大器，其特征在于:包括用于温度补偿的二极管D2，所述二极管D2的阳极与极性电容C7的正极相接，所述二极管D2的阴极接地。
[0006]上述的一种短波4W功率放大器，其特征在于:所述二极管D2的型号为1S1588。
[0007]上述的一种短波4W功率放大器，其特征在于:包括电源退耦电路，所述电源退耦电路由非极性电容C3和极性电容C4组成，所述非极性电容C3的一端和极性电容C4的正极均与+12V电源的输出端相接，所述非极性电容C3的另一端和极性电容C4负极均接地。
[0008]上述的一种短波4W功率放大器，其特征在于:所述射频变压器T1为阻抗比为4:1的传输线变压器。
[0009]上述的一种短波4W功率放大器，其特征在于:所述射频变压器T2为阻抗比为1:4的传输线变压器。
[0010]本实用新型与现有技术相比具有以下优点:
[0011]1、本实用新型电路结构简单，实现方便。
[0012]2、本实用新型采用了价格低廉的型号为2SC2078的高频三极管进行功率放大，降低了本实用新型的成本，使得本实用新型的通用性更强，本实用新型的最大输出功率可达4W，最大增益为25dB左右，能够很方便地集成到短波通信系统中去。
[0013]3、本实用新型设置有用于温度补偿的二极管D2，当本实用新型的工作温度过高时，二极管D2两端压降变小，从而使高频三极管Q1的工作点下移，高频三极管Q1的集电极电流下降，使整个电路趋于稳定，使得本实用新型的工作稳定性和可靠性更高。
[0014]综上所述，本实用新型电路结构简单，实现方便，成本低，通用性强，工作稳定性和可靠性更高，能够很方便地集成到短波通信系统中去。
[0015]下面通过附图和实施例，对本实用新型的技术方案做进一步的详细描述。
【专利附图】
【附图说明】
[0016]图1为本实用新型的电路原理图。
【具体实施方式】
[0017]如图1所示，本实用新型包括射频信号输入接口 P1、用于功率放大的高频三极管Q1、三极管偏置电路和射频信号输出接口 P2，以及用于将射频信号的50欧姆的阻抗匹配到高频三极管Q1的基极阻抗的射频变压器T1和用于将高频三极管Q1的输出阻抗匹配到50欧姆的射频变压器T2 ;所述高频三极管Q1的型号为2SC2078，所述三极管偏置电路由三端稳压器78L05、电阻R1、可调电阻R2、非极性电容C6、极性电容C7和非极性电容C8组成，所述射频信号输入接口 P1和射频信号输出接口 P2均为具有两个引脚的接口 ；所述射频变压器T1的初级线圈的一端通过非极性电容C1与射频信号输入接口 P1的一个引脚相接，所述射频信号输入接口 P1的另一个引脚接地，所述射频变压器T1的初级线圈的另一端和次级线圈的一端均与高频三极管Q1的基极相接，所述高频三极管Q1的集电极与射频变压器T2的初级线圈的一端和次级线圈的一端相接，所述高频三极管Q1的发射极接地，所述射频变压器T2的初级线圈的另一端与+12V电源的输出端相接，所述射频变压器T2的次级线圈的另一端通过非极性电容C5与射频信号输出接口 P2的一个引脚相接，所述射频信号输出接口 P2的另一个引脚接地，所述射频变压器T1的次级线圈的另一端与非极性电容C6的一端、极性电容C7的正极和电阻R1的一端相接，所述非极性电容C6的另一端和极性电容C7的负极均接地，所述电阻R1的另一端与可调电阻R2的一个固定端相接，所述可调电阻R2的滑动端和另一个固定端以及非极性电容C8的一端均与三端稳压器78L05的第1引脚相接，所述三端稳压器78L05的第2引脚接地，所述三端稳压器78L05的第3引脚与+12V电源的输出端相接。
[0018]如图1所示，本实施例中，本实用新型还包括用于温度补偿的二极管D2，所述二极管D2的阳极与极性电容C7的正极相接，所述二极管D2的阴极接地。当本实用新型的工作温度过高时，二极管D2两端压降变小，从而使高频三极管Q1的工作点下移，高频三极管Q1的集电极电流下降，使整个电路趋于稳定。
[0019]本实施例中，所述二极管D2的型号为1S1588。
[0020]如图1所示，本实施例中，本实用新型还包括电源退耦电路，所述电源退耦电路由非极性电容C3和极性电容C4组成，所述非极性电容C3的一端和极性电容C4的正极均与+12V电源的输出端相接，所述非极性电容C3的另一端和极性电容C4负极均接地。
[0021]本实施例中，所述射频变压器T1为阻抗比为4:1的传输线变压器。所述射频变压器T2为阻抗比为1:4的传输线变压器。
[0022]本实施例中，所述高频三极管Q1的最大集电极电流为3A，截至频率为150MHz ;通过调整可调电阻R2能够完成高频三极管Q1的工作点的调整。
[0023]本实用新型的工作过程是:阻抗为50欧姆的射频信号通过射频信号输入接口 P1进入该功率放大器，射频信号再经过非极性电容C1耦合到射频变压器T1的初级，射频变压器T1将射频信号的50欧姆的阻抗匹配到高频三极管Q1的十几欧姆左右的基极阻抗，射频信号经高频三极管Q1放大后，由高频三极管Q1的集电极接到射频变压器T2的初级，射频变压器T2再将高频三极管Q1的输出阻抗匹配到50欧姆，射频变压器T2的次级通过非极性电容C5耦合输出到射频信号输出接口 P2。
[0024]测试表明，本实用新型的最大输出功率可达4W，最大增益为25dB左右；本实用新型能够很方便地集成到短波通信系统中去。
[0025]以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例，并非对本实用新型作任何限制，凡是根据本实用新型技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、变更以及等效结构变化，均仍属于本实用新型技术方案的保护范围内。
【权利要求】
1.一种短波4W功率放大器，其特征在于:包括射频信号输入接口 P1、用于功率放大的高频三极管Q1、三极管偏置电路和射频信号输出接口 P2，以及用于将射频信号的50欧姆的阻抗匹配到高频三极管Ql的基极阻抗的射频变压器Tl和用于将高频三极管Ql的输出阻抗匹配到50欧姆的射频变压器T2 ;所述高频三极管Ql的型号为2SC2078，所述三极管偏置电路由三端稳压器78L05、电阻R1、可调电阻R2、非极性电容C6、极性电容C7和非极性电容C8组成，所述射频信号输入接口 Pl和射频信号输出接口 P2均为具有两个引脚的接口 ；所述射频变压器Tl的初级线圈的一端通过非极性电容Cl与射频信号输入接口 Pl的一个引脚相接，所述射频信号输入接口 Pl的另一个引脚接地，所述射频变压器Tl的初级线圈的另一端和次级线圈的一端均与高频三极管Ql的基极相接，所述高频三极管Ql的集电极与射频变压器T2的初级线圈的一端和次级线圈的一端相接，所述高频三极管Ql的发射极接地，所述射频变压器T2的初级线圈的另一端与+12V电源的输出端相接，所述射频变压器T2的次级线圈的另一端通过非极性电容C5与射频信号输出接口 P2的一个引脚相接，所述射频信号输出接口 P2的另一个引脚接地，所述射频变压器Tl的次级线圈的另一端与非极性电容C6的一端、极性电容C7的正极和电阻Rl的一端相接，所述非极性电容C6的另一端和极性电容C7的负极均接地，所述电阻Rl的另一端与可调电阻R2的一个固定端相接，所述可调电阻R2的滑动端和另一个固定端以及非极性电容CS的一端均与三端稳压器78L05的第I引脚相接，所述三端稳压器78L05的第2引脚接地，所述三端稳压器78L05的第3引脚与+12V电源的输出端相接。
2.按照权利要求1所述的一种短波4W功率放大器，其特征在于:包括用于温度补偿的二极管D2，所述二极管D2的阳极与极性电容C7的正极相接，所述二极管D2的阴极接地。
3.按照权利要求2所述的一种短波4W功率放大器，其特征在于:所述二极管D2的型号为 1S1588。
4.按照权利要求1所述的一种短波4W功率放大器，其特征在于:包括电源退耦电路，所述电源退耦电路由非极性电容C3和极性电容C4组成，所述非极性电容C3的一端和极性电容C4的正极均与+12V电源的输出端相接，所述非极性电容C3的另一端和极性电容C4负极均接地。
5.按照权利要求1、2或4所述的一种短波4W功率放大器，其特征在于:所述射频变压器Tl为阻抗比为4:1的传输线变压器。
6.按照权利要求1、2或4所述的一种短波4W功率放大器，其特征在于:所述射频变压器T2为阻抗比为1:4的传输线变压器。
【文档编号】H03F3/21GK204131470SQ201420513472
【公开日】2015年1月28日 申请日期:2014年9月6日 优先权日:2014年9月6日
【发明者】马延军 申请人:西安科技大学