一种放大器中的连接器的制造方法
【技术领域】
[0001 ]本发明设及一种连接器，具体设及一种放大器中的连接器，属于合金材料技术领 域。
【背景技术】
[0002] 连接器是电子工程中常见的一种部件，它的作用非常单纯:在电路内被阻断处或 孤立不通的电路之间，架起沟通的桥梁，从而使电流流通，使电路实现预定的功能。连接器 是电子设备中不可缺少的部件，顺着电流流通的通路观察，总会发现有一个或多个连接器。 连接器形式和结构是千变万化的，随着应用对象、频率、功率、应用环境等不同，有各种不同 形式的连接器。例如，球场上点灯用的连接器和硬盘驱动器的连接器，W及点燃火箭的连接 器是大不相同的。但是无论什么样的连接器，都要保证电流顺杨连续和可靠地流通。而现有 技术中的连接器基本由金属(如铜合金、侣合金等)制成，尽管导电性能较好，但是连接器的 强度，尤其是热疲劳抗性较为一般，严重影响了连接器的使用，大大降低了连接器的使用效 率和使用寿命。
【发明内容】
[0003]本发明的目的是针对现有的技术存在上述问题，提出了一热疲劳抗性好、强度高、 使用效率高的放大器中的连接器。
[0004]本发明的上述目的通过如下技术方案实现:一种放大器中的连接器，所述连接器 由基底段、中间段和连接段组成，中间段由呈直角圆弧设置的弯曲部及分设在弯曲部两端 的加粗部组成，加粗部的外径大于弯曲部的外径，基底段由竖直部和水平部组成且呈"7" 字形设置，水平部与中间段其中一加粗部相连，连接段由插入部及延伸部组成，插入部与延 伸部的连接处设有圆环且圆环的外径与加粗部的外径相同，延伸部与中间段另一加粗部相 连且延伸部的外径与弯曲部的外径相同，所述的连接器由=维网络氮化娃陶瓷/锡憐青铜 复合材料制成，所述=层层状多孔氮化娃陶瓷/锡憐青铜复合材料包括体积百分比含量为 10-30%的S层层状多孔氮化娃陶瓷和体积百分比含量为70-90%的锡憐青铜。
[0005]本发明的连接器采用=层层状多孔碳化娃陶瓷/锡憐青铜复合材料制成，=层层 状多孔SiC陶瓷和锡憐青铜互为支撑骨架，充分发挥SiC陶瓷和锡憐青铜两类材料的优点， 有效提高了连接器的高强度、高溫稳定性、耐磨损性、耐腐蚀性等。在复合材料中若氮化娃 陶瓷的含量过高则会增加复合材料的脆性，降低复合材料的整体性能，而若氮化娃陶瓷的 含量过低则复合材料的耐磨性和耐高溫性能得不到提高。
[0006] 在上述放大器中的连接器中，所述的=层层状氮化娃陶瓷包括上表面层、下表面 层W及上下表面层之间的中间层，其中上表面层和下表面层氮化娃陶瓷的原料组成（质量 百分比计)均为90-95%Si3N4和5-10%Y203,中间层氮化娃陶瓷的原料组成（质量百分比计） 为0.5-3 %Si〇2、0.5-1 % 炭黑、2-6 %Y203、余量Si3N4。
[0007]本发明通过改变氮化娃陶瓷中Si3N4与二氧化娃和碳粉的相对含量，实现控制气孔 率，通过改变中间层Si3N4晶种的含量和层间界面对层状多孔氮化娃陶瓷烧结性能、微观组 织和力学性能的影响。随着Si3N4晶种含量的增大，收缩率逐渐降低，气孔率逐渐减小。W此 种控制多孔氮化娃气孔率的工艺为基础，制备S层层状多孔氮化娃陶瓷。随着中间层原料 中的Si3N4含量的逐渐增加，整个层状多孔氮化娃的收缩率和气孔率逐渐降低，弯曲强度逐 渐增加。当中间层与表面层的收缩率相差较大时，虽然是弱界面结合，但产生的界面残余应 力对层状多孔氮化娃的力学性能非常有利。当中间层与表面层的收缩率和气孔率接近时， 弱界面结合转变为强界面结合也有利于提高层状多孔氮化娃陶瓷的力学性能。总之，当中 间层的Si3N4含量变化时，层状多孔氮化娃陶瓷始终都具有较高的力学性能。
[000引进一步优选，所述炭黑的粒径为60-80皿，Si02的粒径为0.1-0.5皿，Y203的粒径为 0.2-1.2皿，Si3N4为日〉95 % 的a-Si3N4。
[0009]在上述放大器中的连接器中，所述的锡憐青铜由W下成分（W质量百分比计）组 成：Zn:2.7-3.3% ,Sn:3.5-4.5%，P:0.01-0.03% ,Fe:0.01-0.05%,Ni:0.5-1 %,Si:0.05-0.1 %，稀±元素：0.1-0.5%，饥<0.02% ,Al<0.002%，Sb<0.002% ,Bi<0.002%，余量 为化W及不可避免的杂质元素。
[0010] 现有技术中锡憐青铜合金中Sn的含量大约在6-7%，含量较高，合金的强度和弹性 等性能优良，但是，由于Sn含量过高，且随着Sn含量的增加，合金的导电性能急剧下降。而 且，随着溫度的升高，合金的抗应力松弛性能也会出现下降。因此，本发明在现有锡憐青铜 合金的基础上，降低了Sn元素的含量，使合金具有优良的导电性、抗应力松弛能力等。同时， 本发明通过调整其它元素的含量。并添加了化、Ni、Si和稀±元素，W提高锡憐青铜合金的 强度、硬度等机械性能。因为，Zn在锡憐青铜合金中固溶度较大，在锡憐青铜合金中添加了 化元素，可W对锡憐青铜合金起到固溶强化作用。而Ni元素可W提高合金的强度、初性W及 抗应力腐蚀开裂能力。Si元素也能提高合金的强度、硬度等性能。此外，Si元素与合金中存 在的少量化元素可W起到协同作用，还可W减小合金的摩擦因数。
[0011] 而稀±元素则可W使本发明锡憐青铜合金铸造组织枝晶网格变细小，变形退火后 晶粒组织明显细化。而且，添加稀±元素还可W净化合金，消除其杂质的有害作用，并能与 铜生成CuCeP金属间化合物，呈点状弥散分布在晶界或晶内，细化了合金组织，还能显著提 高合金基体中的位错密度，从而有效地提高锡憐青铜合金的硬度，增强了合金的耐磨性。
[0012] 此外，与现有技术相比，本发明降低了P元素的含量，一方面可W避免合金在铸造 时容易发生偏析现象，影响塑性等性能。另一方面，本发明微量的P元素和合金中存在的微 量的Fe元素，可W形成FesP,可W在不降低合金的导电性的同时，还能改善合金的强度和抗 应力松弛性能。
[0013] 在上述放大器中的连接器中，锡憐青铜中所述的稀±元素由Ce和Sc按质量比为 (1.3-1.5):1 组成。
[0014]在上述放大器中的连接器中，作为优选，所述锡憐青铜由W下重量百分比的成分 组成：Zn:2.8-3.2%,Sn:3.8-4.2%，P:0.015-0.025%,Fe:0.02-0.04%,Ni:0.6-0.8%， 51:0.06-0.08%，稀±元素：0.2-0.4%，？6<0.02%，41<0.002%，56<0.002%，81< 0.002%，余量为化W及不可避免的杂质元素。
[0015]在上述放大器中的连接器中，所述=层层状多孔氮化娃陶瓷/锡憐青铜复合材料 由如下方法制得：
[0016]分别按上表面层、中间层、下表面层所述的原料配料，分别将配料利用有机载体浸 溃成型并在0.3-0.61化的氮气压力和1680-1700°〇下烧结1-化，分别制得上表面层、中间 层、下表面层的干粉；
[0017] 将制得的上表面层、中间层、下表面层的干粉依次敷放，最后在3-4M化的压力下压 制成型，得=层层状多孔氮化娃陶瓷；
[0018] 将=层层状多孔氮化娃陶瓷与锡憐青铜利用真空-气压铸造方法制成=层层状多 孔碳化娃陶瓷/锡憐青铜复合材料。
[0019] 先制成=层层状多孔氮化娃陶瓷，再将锡憐青铜引入=层层状多孔氮化娃陶瓷 中，使制得的复合材料中氮化娃陶瓷和锡憐青铜互为支撑骨架，充分发挥两者材料的优点， 并进一步提高复合材料的硬度、耐磨性、耐腐蚀性等物理性能。
[0020] 作为优选，真空-气压铸造方法中的真空度为0.05-0.08MPa。
[0021] =层层状多孔碳化娃陶瓷/锡憐青铜复合材料通过普通成型工艺即可制成本发明 放大器中的连接器，如锻造成型、铸造成型等。
[0022] 与现有技术相比，本发明具有W下有益效果：
[0023] 1、本发明放大器中的连接器由=层层状多孔碳化娃陶瓷/锡憐青铜复合材料制 成，同时具有=层层状多孔碳化娃陶瓷及锡憐青铜两种材料的优点，通过两者的配比，大幅 度提高了复合材料的导电性能和导热性能，还有效提高了连接器的高强度、高溫稳定性、耐 磨损性、耐腐蚀性等。
[0024] 2、本发明制备连接器的=层层状多孔碳化娃陶瓷/锡憐青铜复合材料中合理配伍 锡憐青铜的组分，不仅降低了P、Sn元素的含量，并添加了化、Ni、Si和稀±元素，通过各元素 之间的协同作用，如Si元素与合金中存在的少量化元素的协同作用，减小合金的摩擦因数； 稀±元素与铜生成CuCeP金属间化合物，P元素和微量的化元素，可W形成化2P等等，在不降 低合金的强度、硬度等机械性能的同时提高锡憐青铜合金的导电性，进一步提高连接器的 强度、耐磨、抗热疲劳性、抗应力松弛性能等，进而提高连接器的使用效率。
[0025] 3、本发明制备连接器的