一种微型化双平衡混频器的制造方法

一种微型化双平衡混频器的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种微型化双平衡混频器，包括：第一3dB电桥、第二3dB电桥、第三3dB电桥、第四3dB电桥、第一阻抗匹配电路、第二阻抗匹配电路、第三阻抗匹配电路、第四阻抗匹配电路、第一混频二极管、第二混频二极管、第三混频二极管、第四混频二极管、第一滤波电路、第二滤波电路；第一滤波电路与第二滤波电路之间的公共节点为传输信号端口。该微型化双平衡混频器本振功率高、本振隔离度好、动态范围大、变频损耗小、对RF的偶次产物有抑制作用，且体积尺寸小，适用于小型化的微波射频电路。
【专利说明】一种微型化双平衡混频器

【技术领域】
[0001]本实用新型涉及通信领域中混频器【技术领域】，具体地，涉及一种微型化双平衡混频器。

【背景技术】
[0002]混频器是射频微波电路系统中不可或缺的部件。不论是微波通信、雷达、遥控、遥感、还是侦察与电子对抗，以及微波测量系统，都必须把微波信号用混频器降到中低频来进行处理。在实际中，绝大多数的 AM (Amplitude Modulat1n，调幅)、SSB (Single Side Band，单边带)和数字发射机都需要混频器把信号频率变换到一个较高的频率，然后发射到空中；而超外差接收机则需要利用混频器把接收到的信号频率变换到较低的频率一一中频。接收机必须使用这种较低频率的信号，因为这种频率的信号容易用中频级进行有效的放大和滤波，容易优化频段，从而提高接收机的增益和选择性。
[0003]现有双平衡混频器多为二极管双平衡混频器或CMOS双平衡混频器，二极管双平衡混频器的原理图参见图1所示，其一般采用厚膜工艺制作，无源元件占面积大，体积大，不适用于移动通信领域的小型化的微波射频电路中。
实用新型内容
[0004]本实用新型是为了克服现有技术中双平衡混频器体积较大的缺陷，根据本实用新型的一个方面，提出一种微型化双平衡混频器。
[0005]本实用新型实施例提供的一种微型化双平衡混频器，包括:第一 3dB电桥、第二3dB电桥、第三3dB电桥、第四3dB电桥、第一阻抗匹配电路、第二阻抗匹配电路、第三阻抗匹配电路、第四阻抗匹配电路、第一混频二极管、第二混频二极管、第三混频二极管、第四混频二极管、第一滤波电路、第二滤波电路；第一 3dB电桥的直通端与第三3dB电桥的输入端相连，第一 3dB电桥的耦合端与第四3dB电桥的隔离端相连；第二 3dB电桥的直通端与第三3dB电桥的隔离端相连，第二 3dB电桥的耦合端与第四3dB电桥的输入端相连；第一 3dB电桥的隔离端与第一 3dB电桥的隔离端均接地；第三3dB电桥的直通端通过第一阻抗匹配电路后与第一混频二极管的第一引脚相连，第一混频二极管的第二引脚与第一滤波电路相连；第四3dB电桥的耦合端通过第二阻抗匹配电路后与第二混频二极管的阴极相连，第二混频二极管的阳极与第二滤波电路相连；第三3dB电桥的耦合端通过第三阻抗匹配电路后与第三混频二极管的阳极相连，第三混频二极管的阴极与第一滤波电路相连；第四3dB电桥的直通端通过第四阻抗匹配电路后与第四混频二极管的第一引脚相连，第四混频二极管的第二引脚与第二滤波电路相连；第一滤波电路还与第二滤波电路相连，第一滤波电路与第二滤波电路之间的公共节点为传输信号端口。
[0006]在上述技术方案中，第一混频二极管的第一引脚为阳极、第二引脚为阴极，且第四混频二极管的第一引脚为阴极、第二引脚为阳极；或
[0007]第一混频二极管的第一引脚为阴极、第二引脚为阳极，且第四混频二极管的第一引脚为阳极、第二引脚为阴极。
[0008]在上述技术方案中，第一阻抗匹配电路包括第一电容和第一电感，第一电容一端与第三3dB电桥的直通端相连，另一端与第一混频二极管的第一引脚相连；第一电感的一端与第一混频二极管的第一引脚相连，另一端接地；第二阻抗匹配电路包括第二电容和第二电感，第二电容一端与第四3dB电桥的耦合端相连，另一端与第二混频二极管的阴极相连；第二电感的一端与第二混频二极管的阴极相连，另一端接地；第三阻抗匹配电路包括第三电容和第三电感，第三电容一端与第三3dB电桥的耦合端相连，另一端与第三混频二极管的阳极相连；第三电感的一端与第三混频二极管的阳极相连，另一端接地；第四阻抗匹配电路包括第四电容和第四电感，第四电容一端与第四3dB电桥的直通端相连，另一端与第四混频二极管的第一引脚相连；第四电感的一端与第四混频二极管的第一引脚相连，另一端接地。
[0009]在上述技术方案中，第一滤波电路包括第五电容、第五电感、第七电容和第七电感；第五电容的一端接地，另一端依次通过第五电感、第七电感后与第七电容的一端相连，第七电容的另一端接地；第五电容与第五电感的公共节点与第一混频二极管的第二引脚相连，第七电容与第七电感的公共节点与第三混频二极管的阴极相连；第二滤波电路包括第六电容、第六电感、第八电容和第八电感；第六电容的一端接地，另一端依次通过第六电感、第八电感后与第八电容的一端相连，第八电容的另一端接地；第六电容与第六电感的公共节点与第二混频二极管的阳极相连，第八电容与第八电感的公共节点与第四混频二极管的第二引脚相连；第五电感和第七电感之间的公共节点与第六电感和第八电感之间的公共节点相连，即为传输信号端口。
[0010]在上述技术方案中，第一滤波电路还包括第九电容，第九电容一端与第五电感和第七电感之间的公共节点相连，另一端接地；第二滤波电路还包括第十电容，第十电容一端与第六电感和第八电感之间的公共节点相连，另一端接地。
[0011]在上述技术方案中，第一 3dB电桥、第二 3dB电桥、第三3dB电桥、第四3dB电桥为结构相同的3dB电桥，3dB电桥通过超微细微带薄膜工艺制作在陶瓷基片上。
[0012]在上述技术方案中，陶瓷基片为厚度不大于0.5mm的三氧化二铝陶瓷基片。
[0013]在上述技术方案中，3dB电桥为S型弯曲的3dB兰格电桥。
[0014]在上述技术方案中，第一混频二极管、第二混频二极管、第三混频二极管、第四混频二极管均为肖特基二极管。
[0015]在上述技术方案中，第一 3dB电桥、第二 3dB电桥、第三3dB电桥、第四3dB电桥、第一电容、第一电感、第二电容、第二电感、第三电容、第三电感、第四电容、第四电感、第五电容、第五电感、第六电容、第六电感、第七电容、第七电感、第八电容、第八电感、第一混频二极管、第二混频二极管、第三混频二极管、第四混频二极管之间的连接线均通过超微细微带薄膜工艺制作在陶瓷基片上。
[0016]在上述技术方案中，第一电容、第一电感、第二电容、第二电感、第三电容、第三电感、第四电容、第四电感、第五电容、第五电感、第六电容、第六电感、第七电容、第七电感、第八电容、第八电感、第一混频二极管、第二混频二极管、第三混频二极管、第四混频二极管均以表面贴片工艺设置于相应的连接线之间。
[0017]本实用新型实施例提供的一种微型化双平衡混频器，适用于移动通信领域的小型化的微波射频电路。当该微型化双平衡混频器用于下变频时，由于二极管反接，故总的中频噪声电流正好抵消为零，因此该双平衡平衡混频器可以抵消本振引入的噪声。此外，本实用新型实施例提供的微型化双平衡混频器本振功率高、本振隔离度好、动态范围大、变频损耗小、对RF的偶次产物有抑制作用；采用弯曲兰格电桥，可以进一步缩小双平衡混频器的体积，更有利于微型化。兰格电桥以及各个器件之间的连接线通过超微细微带薄膜工艺制作在陶瓷基片上，带线条陡直性高、微带线宽和微带线条间距细、精度高；电路结构简单紧凑、体积小；且生产效率高、成本低。
[0018]本实用新型的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本实用新型而了解。本实用新型的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
[0019]下面通过附图和实施例，对本实用新型的技术方案做进一步的详细描述。

【专利附图】

【附图说明】
[0020]附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。在附图中:
[0021]图1为现有技术中二极管双平衡混频器的原理图；
[0022]图2为本实用新型实施例中微型化双平衡混频器的结构图；
[0023]图3为本实用新型实施例中S型弯曲兰格电桥的结构图；
[0024]图4为实施例一中微型化双平衡混频器的电路图；
[0025]图5为实施例一中微型化双平衡混频器的结构版图；
[0026]图6为实施例一中微型化双平衡混频器的详细结构图；
[0027]图7为实施例一中LO — IF的隔离测试曲线图；
[0028]图8为实施例二中微型化双平衡混频器的电路图；
[0029]图9为实施例二中微型化双平衡混频器的结构版图。

【具体实施方式】
[0030]下面结合附图，对本实用新型的【具体实施方式】进行详细描述，但应当理解本实用新型的保护范围并不受【具体实施方式】的限制。
[0031]根据本实用新型实施例，提供了一种微型化双平衡混频器，图2为该微型化双平衡混频器的结构图，具体包括:第一 3dB电桥、第二 3dB电桥、第三3dB电桥、第四3dB电桥、第一阻抗匹配电路、第二阻抗匹配电路、第三阻抗匹配电路、第四阻抗匹配电路、第一混频二极管D1、第二混频二极管D2、第三混频二极管D3、第四混频二极管D4、第一滤波电路、第二滤波电路。
[0032]其中，如图2所示，第一 3dB电桥的直通端DIRl与第三3dB电桥的输入端IN3相连，第一 3dB电桥的耦合端COUl与第四3dB电桥的隔离端IS04相连；第二 3dB电桥的直通端DIR2与第三3dB电桥的隔离端IS03相连，第二 3dB电桥的耦合端COU2与第四3dB电桥的输入端IN4相连；第一 3dB电桥的隔离端ISOl与第一 3dB电桥的隔离端IS02均接地。
[0033]第三3dB电桥的直通端DIR3通过第一阻抗匹配电路后与第一混频二极管Dl的第一引脚相连，第一混频二极管Dl的第二引脚与第一滤波电路相连。第四3dB电桥的耦合端C0U4通过第二阻抗匹配电路后与第二混频二极管D2的阴极相连，第二混频二极管D2的阳极与第二滤波电路相连。第三3dB电桥的耦合端C0U3通过第三阻抗匹配电路后与第三混频二极管D3的阳极相连，第三混频二极管D3的阴极与第一滤波电路相连。第四3dB电桥的直通端DIR4通过第四阻抗匹配电路后与第四混频二极管D4的第一引脚相连，第四混频二极管D4的第二引脚与第二滤波电路相连。
[0034]此外，第一滤波电路还与第二滤波电路相连，第一滤波电路与第二滤波电路之间的公共节点为传输信号端口。该传输信号端口可以输出中频信号，也可以输入本振信号，具体根据实际使用情况而定。
[0035]其中，第一混频二极管Dl的第一引脚为阳极、第二引脚为阴极，且第四混频二极管D4的第一引脚为阴极、第二引脚为阳极.。或者，第一混频二极管Dl的第一引脚为阴极、第二引脚为阳极，且第四混频二极管D4的第一引脚为阳极、第二引脚为阴极。本实用新型实施例提供的微型化双平衡混频器可应用于不同的场景:例如，PORTU P0RT2端口分别接输入 RF (Rad1 Frequency，射频)信号和 LO (Local Oscillator，本振)信号，P0RT3 端口输出IF (Intermediate Frequency，中频)信号；或者，P0RT1、P0RT3端口分别接输入IF信号和LO信号，P0RT2端口输出RF信号；具体根据第一混频二极管Dl和第四混频二极管D4的接线方式确定。
[0036]优选的，上述第一 3dB电桥、第二 3dB电桥、第三3dB电桥、第四3dB电桥为结构相同的3dB电桥，该3dB电桥通过超微细微带薄膜工艺制作在陶瓷基片上。该陶瓷基片具体可以为厚度不大于0.5mm的三氧化二铝陶瓷基片。
[0037]优选的，在本实用新型实施例中，3dB电桥具体可以为S型弯曲的3dB兰格电桥，频率越高，桥路的体积越小；3dB电桥的结构图具体参见图3所示。
[0038]通过对兰格电桥进行S型弯曲处理，有利于缩小整个电路的体积，弯曲处理后的兰格电桥的尺寸可以缩小一半。该3dB兰格电桥通过超微细微带薄膜工艺制作在陶瓷基片上后，900MHz的兰格电桥尺寸大小为15.7mmX5.7mmX0.5mm(长度X宽度X厚度)；2GHz兰格电桥尺寸大小:15.7mm X 3.0mmX0.5mm。
[0039]优选的，第一混频二极管D1、第二混频二极管D2、第三混频二极管D3、第四混频二极管D4均为肖特基二极管。具体可采用HSD276A。
[0040]下面通过两个实施例分别详细介绍该微型化双平衡混频器的结构及应用场景。
[0041]实施例一
[0042]在实施例一中，第一混频二极管Dl的第一引脚为阳极、第二引脚为阴极，且第四混频二极管D4的第一引脚为阴极、第二引脚为阳极.，具体参见图4所示，第一阻抗匹配电路包括第一电容Cl和第一电感LI，第一电容Cl 一端与第三3dB电桥的直通端DIR3相连，另一端与第一混频二极管Dl的第一引脚(即阳极)相连；第一电感LI的一端与第一混频二极管Dl的第一引脚(即阳极)相连，另一端接地。第二阻抗匹配电路包括第二电容C2和第二电感L2，第二电容C2—端与第四3dB电桥的耦合端C0U4相连，另一端与第二混频二极管D2的阴极相连；第二电感L2的一端与第二混频二极管D2的阴极相连，另一端接地。
[0043]第三阻抗匹配电路包括第三电容C3和第三电感L3，第三电容C3 —端与第三3dB电桥的耦合端C0U3相连，另一端与第三混频二极管D3的阳极相连；第三电感L3的一端与第三混频二极管D3的阳极相连，另一端接地。第四阻抗匹配电路包括第四电容C4和第四电感L4，第四电容C4 一端与第四3dB电桥的直通端DIR4相连，另一端与第四混频二极管D4的第一引脚(即阴极)相连；第四电感L4的一端与第四混频二极管D4的第一引脚(即阴极)相连，另一端接地。
[0044]如图4所示，第一滤波电路包括第五电容C5、第五电感L5、第七电容C7和第七电感L7 ;第五电容C5的一端接地，另一端依次通过第五电感L5、第七电感L7后与第七电容C7的一端相连，且第七电容C7的另一端接地；第五电容C5与第五电感L5的公共节点与第一混频二极管Dl的第二引脚(即阴极)相连，第七电容C7与第七电感L7的公共节点与第三混频二极管D3的阴极相连。
[0045]第二滤波电路包括第六电容C6、第六电感L6、第八电容C8和第八电感L8 ;第六电容C6的一端接地，另一端依次通过第六电感L6、第八电感L8后与第八电容C8的一端相连，且第八电容C8的另一端接地；第六电容C6与第六电感L6的公共节点与第二混频二极管D2的阳极相连，第八电容CS与第八电感L8的公共节点与第四混频二极管D4的第二引脚(即阳极)相连。
[0046]第五电感和第七电感之间的公共节点与第六电感和第八电感之间的公共节点相连，该节点为传输信号端口，即图4中的PORT3。
[0047]在制作实施例一提供的微型化双平衡混频器时，首先利用超微细微带薄膜工艺制作基板。在将四个3dB电桥通过超微细微带薄膜工艺制作在陶瓷基片上的同时，第一 3dB电桥、第二 3dB电桥、第三3dB电桥、第四3dB电桥、第一电容Cl、第一电感L1、第二电容C2、第二电感L2、第三电容C3、第三电感L3、第四电容C4、第四电感L4、第五电容C5、第五电感L5、第六电容C6、第六电感L6、第七电容C7、第七电感L7、第八电容C8、第八电感L8、第一混频二极管D1、第二混频二极管D2、第三混频二极管D3、第四混频二极管D4之间的连接线也均通过超微细微带薄膜工艺制作在陶瓷基片上。基板电路结构图参见图5所示。
[0048]进一步的，第一电容Cl、第一电感L1、第二电容C2、第二电感L2、第三电容C3、第三电感L3、第四电容C4、第四电感L4、第五电容C5、第五电感L5、第六电容C6、第六电感L6、第七电容C7、第七电感L7、第八电容C8、第八电感L8、第一混频二极管D1、第二混频二极管D2、第三混频二极管D3、第四混频二极管D4均以表面贴片工艺设置于相应的连接线之间。在实施例一中，具体可采用SMT (Surface Mounted Technology，表面贴装技术)技术来实现。最终的微型化双平衡混频器的电路版结构图参见图6所示。
[0049]实施例一提供的微型化双平衡混频器可以根据需要用来实现上变频，在实施例一中，PORTl、P0RT3端口分别接输入IF信号和LO信号，P0RT2端口输出频率上移的RF信号。例如，PORTl端口的输入频率为915.25MHz，P0RT3端口的输入频率为1.5MHz，则P0RT2端口的输出频率为916.75MHzο
[0050]优选的，参见图6所示，在实施例一中，第一滤波电路还包括第九电容C9，第九电容C9 一端与第五电感L5和第七电感L7之间的公共节点相连，另一端接地；第二滤波电路还包括第十电容C10，第十电容ClO —端与第六电感L6和第八电感L8之间的公共节点相连，另一端接地。该第九电容C9和第十电容ClO的作用类似，均用于调节滤波电路的性能，当滤波电路已经可以达到滤波要求时，不需要再增加第九电容C9和第十电容C10。
[0051]此外，优选的，参见图6所示，实施例一提供的微型化双平衡混频器还包括调试电阻R1，该调试电阻Rl —端与第五电感和第七电感之间的公共节点相连，另一端与第六电感和第八电感之间的公共节点相连。该调试电阻Rl —般为O欧电阻，为调试预留位置，可以根据需要决定是否安装，或者选用其他值。其中，该调试电阻Rl也可由电感代替，均可实现相应的功能。
[0052]在实施例一中，该微型化双平衡混频器具体制作在介电常数为9.9，厚度为0.5mm的Al2O3陶瓷基片上，尺寸大小为16.6mmX 17mmX0.5mm，混频二极管采用肖特基二极管。采用安捷伦的信号源，频谱仪，网络分析仪测得该微型化双平衡混频器的性能指标参数如下:
[0053](I)变频损耗:-7.9dB。保持Vuj不变，输入一适当功率的射频信号，将频谱仪的测试点打在变频后的中频频率916.75MHz上，将测得的值与射频输入信号相减便是变频损耗。
[0054](2) IdB压缩点:-2.8dB。测试时不断增加射频输入信号的功率，观察变频后的信号916.75MHz，在线性范围内时变频信号会随输入信号的增加，线性增加，直到输入信号增加ldB，而输出信号保持不变，此时的变频信号的测量值就是IdB压缩点。
[0055](3)隔离度:有两种测试方法，一种是用网络分析仪测试，将测试的两端口一端接输入信号，一端接负载进行测试；另外一种方法是用频谱仪进行测试，这样测得的是动态的工作状态下的隔离度。在实施例一中采用第二种方法进行测试。
[0056]RF — LO:_36dB ；
[0057]RF — IF:-32dB ；
[0058]LO — IF:-38dB。LO — IF的隔离测试曲线图参见图7所示。
[0059]实施例二
[0060]在实施例二中，第一混频二极管Dl的第一引脚为阴极、第二引脚为阳极，且第四混频二极管D4的第一引脚为阳极、第二引脚为阴极。实施例二提供的微型化双平衡混频器的阻抗匹配电路、滤波电路的结构与实施例一中提供的相同，此处不做赘述。该微型化双平衡混频器的电路图以及结构版图分别参见图8和图9。
[0061]实施例二提供的微型化双平衡混频器可以用来实现下变频，将输入的频率变为1.5MHz或90MHz的频率。具体的，第一 3dB电桥和第二 3dB电桥分别将RF输入信号和LO输入信号分成两路，作为第三3dB电桥和第四3dB电桥的输入，两路的信号分别进行混频后输出IF信号。P0RT1、P0RT2端口分别接输入RF信号和LO信号，P0RT3端口输出IF信号。例如，PORTl端口的输入频率为916.75MHz，P0RT2端口的输入频率为915.25MHz，则P0RT3端口的输出频率为1.5MHz。
[0062]实施例二提供的微型化双平衡混频器，由于二极管反接，故总的中频噪声电流正好抵消为零，因此该双平衡平衡混频器可以抵消本振引入的噪声。
[0063]需要说明的是，在本实用新型实施例中，3dB电桥的四个端子均可以作为输入端，本申请中以输入端、直通端、耦合端、隔离端区分3dB电桥的四个端子仅仅是为了方便描述。例如，在实施例一和实施例二中，第一 3dB电桥的隔离端也可以作为信号的输入端，此时相应的，第一 3dB电桥的输入端接地。
[0064]本实用新型实施例提供的一种微型化双平衡混频器，适用于移动通信领域的小型化的微波射频电路。当该微型化双平衡混频器用于下变频时，由于二极管反接，故总的中频噪声电流正好抵消为零，因此该双平衡平衡混频器可以抵消本振引入的噪声。此外，本实用新型实施例提供的微型化双平衡混频器本振功率高、本振隔离度好、动态范围大、变频损耗小、对RF的偶次产物有抑制作用；采用弯曲兰格电桥，可以进一步缩小双平衡混频器的体积，更有利于微型化。兰格电桥以及各个器件之间的连接线通过超微细微带薄膜工艺制作在陶瓷基片上，带线条陡直性高、微带线宽和微带线条间距细、精度高；电路结构简单紧凑、体积小；且生产效率高、成本低。
[0065]本实用新型能有多种不同形式的【具体实施方式】，上面以图2-图9为例结合附图对本实用新型的技术方案作举例说明，这并不意味着本实用新型所应用的具体实例只能局限在特定的流程或实施例结构中，本领域的普通技术人员应当了解，上文所提供的具体实施方案只是多种优选用法中的一些示例，任何体现本实用新型权利要求的实施方式均应在本实用新型技术方案所要求保护的范围之内。
[0066]最后应说明的是:以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种微型化双平衡混频器，其特征在于，包括:第一 3dB电桥、第二 3dB电桥、第三3dB电桥、第四3dB电桥、第一阻抗匹配电路、第二阻抗匹配电路、第三阻抗匹配电路、第四阻抗匹配电路、第一混频二极管、第二混频二极管、第三混频二极管、第四混频二极管、第一滤波电路、第二滤波电路； 所述第一 3dB电桥的直通端与所述第三3dB电桥的输入端相连，所述第一 3dB电桥的耦合端与所述第四3dB电桥的隔离端相连；所述第二 3dB电桥的直通端与所述第三3dB电桥的隔离端相连，所述第二 3dB电桥的耦合端与所述第四3dB电桥的输入端相连；所述第一3dB电桥的隔离端与所述第一 3dB电桥的隔离端均接地； 所述第三3dB电桥的直通端通过所述第一阻抗匹配电路后与所述第一混频二极管的第一引脚相连，所述第一混频二极管的第二引脚与所述第一滤波电路相连； 所述第四3dB电桥的耦合端通过所述第二阻抗匹配电路后与所述第二混频二极管的阴极相连，所述第二混频二极管的阳极与所述第二滤波电路相连； 所述第三3dB电桥的耦合端通过所述第三阻抗匹配电路后与所述第三混频二极管的阳极相连，所述第三混频二极管的阴极与所述第一滤波电路相连； 所述第四3dB电桥的直通端通过所述第四阻抗匹配电路后与所述第四混频二极管的第一引脚相连，所述第四混频二极管的第二引脚与所述第二滤波电路相连； 所述第一滤波电路还与所述第二滤波电路相连，所述第一滤波电路与所述第二滤波电路之间的公共节点为传输信号端口。
2.根据权利要求1所述的微型化双平衡混频器，其特征在于， 所述第一混频二极管的第一引脚为阳极、第二引脚为阴极，且所述第四混频二极管的第一引脚为阴极、第二引脚为阳极；或 所述第一混频二极管的第一引脚为阴极、第二引脚为阳极，且所述第四混频二极管的第一引脚为阳极、第二引脚为阴极。
3.根据权利要求1所述的微型化双平衡混频器，其特征在于， 所述第一阻抗匹配电路包括第一电容和第一电感，所述第一电容一端与所述第三3dB电桥的直通端相连，另一端与所述第一混频二极管的第一引脚相连；所述第一电感的一端与所述第一混频二极管的第一引脚相连，另一端接地； 第二阻抗匹配电路包括第二电容和第二电感，所述第二电容一端与所述第四3dB电桥的耦合端相连，另一端与所述第二混频二极管的阴极相连；所述第二电感的一端与所述第二混频二极管的阴极相连，另一端接地； 第三阻抗匹配电路包括第三电容和第三电感，所述第三电容一端与所述第三3dB电桥的耦合端相连，另一端与所述第三混频二极管的阳极相连；所述第三电感的一端与所述第三混频二极管的阳极相连，另一端接地； 第四阻抗匹配电路包括第四电容和第四电感，所述第四电容一端与所述第四3dB电桥的直通端相连，另一端与所述第四混频二极管的第一引脚相连；所述第四电感的一端与所述第四混频二极管的第一引脚相连，另一端接地。
4.根据权利要求3所述的微型化双平衡混频器，其特征在于， 所述第一滤波电路包括第五电容、第五电感、第七电容和第七电感；所述第五电容的一端接地，另一端依次通过所述第五电感、所述第七电感后与所述第七电容的一端相连，所述第七电容的另一端接地；所述第五电容与所述第五电感的公共节点与所述第一混频二极管的第二引脚相连，所述第七电容与所述第七电感的公共节点与所述第三混频二极管的阴极相连； 所述第二滤波电路包括第六电容、第六电感、第八电容和第八电感；所述第六电容的一端接地，另一端依次通过所述第六电感、所述第八电感后与所述第八电容的一端相连，所述第八电容的另一端接地；所述第六电容与所述第六电感的公共节点与所述第二混频二极管的阳极相连，所述第八电容与所述第八电感的公共节点与所述第四混频二极管的第二引脚相连； 所述第五电感和所述第七电感之间的公共节点与所述第六电感和所述第八电感之间的公共节点相连，即为传输信号端口。
5.根据权利要求4所述的微型化双平衡混频器，其特征在于， 所述第一滤波电路还包括第九电容，所述第九电容一端与所述第五电感和所述第七电感之间的公共节点相连，另一端接地； 所述第二滤波电路还包括第十电容，所述第十电容一端与所述第六电感和所述第八电感之间的公共节点相连，另一端接地。
6.根据权利要求1-5任一所述的微型化双平衡混频器，其特征在于，所述第一3dB电桥、所述第二 3dB电桥、所述第三3dB电桥、所述第四3dB电桥为结构相同的3dB电桥，所述3dB电桥通过超微细微带薄膜工艺制作在陶瓷基片上。
7.根据权利要求6所述的微型化双平衡混频器，其特征在于，所述陶瓷基片为厚度不大于0.5mm的三氧化二铝陶瓷基片。
8.根据权利要求6所述的微型化双平衡混频器，其特征在于，所述3dB电桥为S型弯曲的3dB兰格电桥。
9.根据权利要求1-5任一所述的微型化双平衡混频器，其特征在于，所述第一混频二极管、第二混频二极管、第三混频二极管、第四混频二极管均为肖特基二极管。
10.根据权利要求4所述的微型化双平衡混频器，其特征在于，所述第一3dB电桥、第二 3dB电桥、第三3dB电桥、第四3dB电桥、第一电容、第一电感、第二电容、第二电感、第三电容、第三电感、第四电容、第四电感、第五电容、第五电感、第六电容、第六电感、第七电容、第七电感、第八电容、第八电感、第一混频二极管、第二混频二极管、第三混频二极管、第四混频二极管之间的连接线均通过超微细微带薄膜工艺制作在陶瓷基片上。
11.根据权利要求10所述的微型化双平衡混频器，其特征在于，所述第一电容、第一电感、第二电容、第二电感、第三电容、第三电感、第四电容、第四电感、第五电容、第五电感、第六电容、第六电感、第七电容、第七电感、第八电容、第八电感、第一混频二极管、第二混频二极管、第三混频二极管、第四混频二极管均以表面贴片工艺设置于相应的连接线之间。
【文档编号】H03D7/14GK204190706SQ201420748671
【公开日】2015年3月4日 申请日期:2014年12月2日 优先权日:2014年12月2日
【发明者】庄昆杰 申请人:庄昆杰