1.一种缓冲器电路，其特征在于，包括：
包括第一端、控制端以及第二端的第一信号晶体管；
包括第一端和第二端的电流源，其中，所述电流源的所述第一端耦接至所述第一信号晶体管的所述第一端，所述电流源的所述第二端耦接至所述第一晶体管的所述控制端；
包括第一端、控制端以及第二端的第二信号晶体管，其中，所述第二信号晶体管的所述第二端耦接至所述电流源的所述第二端，所述第二信号晶体管的所述第一端耦接至所述第一信号晶体管的所述第二端；
包括第一端、控制端以及第二端的第三信号晶体管，其中，所述第三信号晶体管的所述第二端耦接至所述第二信号晶体管的所述第一端；
缓冲器输入端；
第一偏置电路，将所述缓冲器输入端交流耦接至所述第二信号晶体管的所述控制端；
第二偏置电路，将所述第二信号晶体管的所述第二端交流耦接至所述第三信号晶体管的所述控制端；以及
缓冲器输出端，耦接至所述第二信号晶体管的所述第一端。
2.如权利要求1所述的缓冲器电路，其特征在于，所述第一偏置电路包括第一电容器，其中，
所述第一电容器包括第一金属板和第二金属板，所述第一电容器的所述第一金属板耦接至所述缓冲器输出端，所述第一电容器的所述第二金属板耦接至所述第二信号晶体管的所述控制端。
3.如权利要求2所述的缓冲器电路，其特征在于，所述第一偏置电路还包括第一偏置电阻器，其中：
所述第一偏置电阻器包括第一末端和第二末端，所述第一偏置电阻器的所述第一末端耦接至所述第二信号晶体管的所述控制端。
4.如权利要求3所述的缓冲器电路，其特征在于，所述第二偏置电路包括第二电容器，其中：
所述第二电容器包括第一金属板和第二金属板，所述第二电容器的所述第一金属板耦接至所述第二信号晶体管的所述第二端，所述第二电容器的所述第二金属板耦接至所述第三信号晶体管的所述控制端。
5.如权利要求4所述的缓冲器电路，其特征在于，所述第二偏置电路还包括第二偏置电阻器，其中：
所述第二偏置电阻器包括第一末端和第二末端，其中，所述第二偏置电阻器的所述第一末端耦接至所述第三信号晶体管的所述控制端。
6.如权利要求5所述的缓冲器电路，其特征在于，第一偏置电压存在于所述第一偏置电路的所述第一电阻器的所述第二末端，第二偏置电压存在于所述第二偏置电路的所述第二电阻的所述第二末端，并且第三偏置电压存在于所述电流源的所述控制端。
7.如权利要求1所述的缓冲器电路，其特征在于，所述电流源为场效应晶体管，所述场效应晶体管包括栅极，且所述电流源的控制端为所述场效应晶体管的栅极。
8.如权利要求1所述的缓冲器电路，其特征在于，还包括：
电源电压导线，耦接至所述电流源的所述第一端以及所述第一信号晶体管的所述第一端；以及
接地导线，耦接至所述第三信号晶体管的所述第一端。
9.如权利要求1所述的缓冲器电路，其特征在于，还包括差分到单端电路，其中：
所述第二偏置电阻器包括差分到单端输出引线，所述差分到单端输出引线耦接至所述缓冲器输入端。
10.如权利要求9所述的缓冲器电路，其特征在于，还包括：
包括低噪声放大器、混频器，以及基带滤波器的接收链，其中，所述缓冲器输出端被耦接来注入信号给所述接收链；以及，
包括基带滤波器，混频器，以及功率放大器的发送链，其中，所述功率放大器耦接至所述缓冲输入，以便所述功率放大器输出的差分信号以衰减后的形式被提供给所述差分到单端电路。
11.如权利要求1所述的缓冲器电路，其特征在于，所述缓冲器电路在至少6千兆赫兹的工作频率至少-2.0dBm功率时具有输出参考0.1dB压缩点，在所述工作频率还具有低于30欧姆的输出阻抗，以及，还具有至少3千兆赫兹的带宽。
12.一种缓冲器电路，其特征在于，包括：
包括第一端、控制端以及第二端的第一信号晶体管；
包括第一端和第二端的电流源，其中，所述电流源的所述第一端耦接至所述第一信号晶体管的所述第一端，所述电流源的所述第二端耦接至所述第一晶体管的所述控制端；
包括第一端、控制端以及第二端的第二信号晶体管，其中，所述第二信号晶体管的所述第二端耦接至所述电流源的所述第二端，所述第二信号晶体管的所述第一端耦接至所述第一信号晶体管的所述第二端；
包括第一端、控制端以及第二端的第三信号晶体管，其中，所述第三信号 晶体管的所述第二端耦接至所述第二信号晶体管的所述第一端；
第一缓冲器输入端；
第一偏置电路，将所述第一缓冲器输入端交流耦接至所述第二信号晶体管的所述控制端；
第二缓冲器输入端；
第二偏置电路，将所述第二缓冲器输入端交流耦接至所述第三信号晶体管的所述控制端；以及
缓冲器输出端，耦接至所述第二信号晶体管的所述第一端。
13.如权利要求12所述的缓冲器电路，其特征在于，所述电流源为场效应晶体管，所述场效应晶体管包括栅极，当所述电路工作时，没有交流信号存在于所述场效应晶体管的所述栅极上，且所述场效应晶体管的所述栅极也不会交流耦接至所述第一缓冲器输入和所述第二缓冲器输入。
14.如权利要求12所述的缓冲器电路，其特征在于，所述缓冲器电路在至少6千兆赫兹的工作频率至少-2.0dBm功率时具有输出参考0.1dB压缩点，在所述工作频率还具有低于30欧姆的输出阻抗，以及，还具有至少3千兆赫兹的带宽。
15.一种缓冲器电路，其特征在于，包括：
包括第一端、控制端以及第二端的第一信号晶体管；
包括第一端、控制端以及第二端的第二信号晶体管，其中，所述第二信号晶体管的所述第二端耦接至所述第一信号晶体管的所述控制端，所述第二信号晶体管的所述第一端耦接至所述第一信号晶体管的所述第二端；
包括第一端、控制端以及第二端的第三信号晶体管，其中，所述第三信号晶体管的所述第二端耦接至所述第二信号晶体管的所述第一端；
包括第一端、控制端以及第二端的第四信号晶体管，其中，所述第四信号晶体管的所述第二端耦接至所述第二信号晶体管的所述第二端，所述第四信号晶体管的所述第一端耦接至所述第一信号晶体管的所述第一端；
第一缓冲器输入端；
第一偏置电路，将所述第一缓冲器输入端交流耦接至所述第二信号晶体管的所述控制端；
第二缓冲器输入端；
第二偏置电路，将所述第二缓冲器输入端交流耦接至所述第三信号晶体管的所述控制端；
第三偏置电路，将所述第一缓冲器输入端交流耦接至所述第四信号晶体管的所述控制端；以及
缓冲器输出端，耦接至所述第二信号晶体管的所述第一端。
16.如权利要求15所述的缓冲器电路，其特征在于，所述第一偏置电路将所述第二信号晶体管直流偏置到第一直流偏置电压，所述第二偏置电路将所述第三信号晶体管直流偏置到第二直流偏置电压，所述第三偏置电路将所述第四信号晶体管直流偏置到第三直流偏置电压。
17.如权利要求15所述的缓冲器电路，其特征在于，
所述第一偏置电路包括第一电容器，所述第一电容器包括第一金属板和第二金属板，其中，所述第一电容器的所述第一金属板耦接至所述第一缓冲器输入端，所述第一电容器的所述第二金属板耦接至所述第二信号晶体管的控制端；
所述第二偏置电路包括第二电容器，所述第二电容器包括第一金属板和第二金属板，所述第二电容器的所述第一金属板耦接至所述第二缓冲器输入端，所述第二电容器的所述第二金属板耦接至所述第三信号晶体管；以及
所述第三偏置电路包括第三电容器，所述第三电容器包括第一金属板和第 二金属板，所述第三电容器的所述第一金属板耦接至所述第一缓冲器输入端，所述第三电容器的所述第二金属板耦接至所述第四信号晶体管的所述控制端。
18.如权利要求17所述的缓冲器电路，其特征在于，
所述第一偏置电路还包括第一电阻器，所述第一电阻器包括第一末端和第二末端，所述第一电阻器的所述第一端耦接至所述第二信号晶体管的所述控制端，所述第一电阻器的所述第二末端上存在有第一偏置电压；
所述第二偏置电路还包括第二电阻器，所述第二电阻器包括第一末端和第二末端，所述第二电阻器的所述第一末端耦接至所述第三信号晶体管的所述控制端，所述第二电阻器的所述第二末端上存在有第二偏置电压；以及
所述第三偏置电路还包括第三电阻器，所述第三电阻器包括第一末端和第二末端，所述第三电阻器的所述第一末端耦接至所述第四信号晶体管的所述控制端，所述第三电阻器的所述第二末端上存在有第三偏置电压。
19.如权利要求15所述的缓冲器电路，其特征在于，还包括：
包括低噪声放大器、混频器，以及基带滤波器的接收链，其中，所述缓冲器输出端被耦接来注入信号给所述接收链；以及
包括基带滤波器，混频器，以及功率放大器的发送链，其中，所述功率放大器耦接至所述缓冲输入，以便所述功率放大器输出的差分信号以衰减后的形式被提供给所述第一缓冲器输入端和所述第二缓冲器输入端。
20.如权利要求15所述的缓冲器电路，其特征在于，所述缓冲器电路在至少6千兆赫兹的工作频率至少-2.0dBm功率时具有输出参考0.1dB压缩点，在所述工作频率还具有低于30欧姆的输出阻抗，以及，还具有至少3千兆赫兹的带宽。