一种抑制任意阶次混频杂散的混频电路的制作方法

技术特征：

1.一种抑制任意阶次混频杂散的混频电路，其特征在于：该混频电路包括第一混频器、第二混频器、第一功分器、第二功分器、第一移相器、第二移相器和合成器；

所示的第一功分器与第一移相器、第二混频器通过微波传输线连接；

所述的第一移相器与第一混频器通过微波传输线连接；

所述的第一混频器与合成器、第二移相器通过微波传输线连接；

所述的合成器与第二混频器通过微波传输线连接；

所述的第二混频器与第二功分器通过微波传输线连接；

所述的第二功分器与第二移相器通过微波传输线连接。

2.根据权利要求1所述的一种抑制任意阶次混频杂散的混频电路，其特征在于：所述的第一混频器和第二混频器均为双平衡混频器。

3.根据权利要求1所述的一种抑制任意阶次混频杂散的混频电路，其特征在于：所述的第一功分器和第二功分器均为0°功分器。

4.根据权利要求1所述的一种抑制任意阶次混频杂散的混频电路，其特征在于：所述的合成器为0°合成器。

5.根据权利要求1所述的一种抑制任意阶次混频杂散的混频电路，其特征在于：射频信号通过第一功分器进行功分为两路，其中一路通过第一移相器进行相位预偏后输出给第一混频器的射频端口；另一路直接输入到第二混频器的射频端口；

本振信号通过第二功分器进行功分为两路，其中一路通过第二移相器进行相位预偏后输出给第一混频器的本振端口；另一路直接输入到第二混频器的本振端口；

第一混频器对接收到的射频信号和本振信号进行混频后输出含有中频信号的混频产物给合成器；

第二混频器对接收到的射频信号和本振信号进行混频后输出含有中频信号的混频产物给合成器；

合成器对接收到的两路混频产物进行合成后输出中频信号。

6.根据权利要求1所述的一种抑制任意阶次混频杂散的混频电路，其特征在于：所述的第一混频器、第二混频器、第一功分器、第二功分器、第一移相器、第二移相器和合成器均分别通过MMIC芯片实现。

7.根据权利要求5所述的一种抑制任意阶次混频杂散的混频电路，其特征在于：假设该混频电路工作频段内的混频产物阶次为M*RF±N*LO；

RF为射频信号的频率，LO为本振信号的频率；

所述的射频信号通过第一移相器进行相位预偏的数值为

其中，M为第一混频器输出的混频产物中射频分量的阶次或第二混频器输出的混频产物中射频分量的阶次；N为第一混频器输出的混频产物中本振分量的阶次或第二混频器输出的混频产物中本振分量的阶次。

8.根据权利要求5所述的一种抑制任意阶次混频杂散的混频电路，其特征在于：假设该混频电路工作频段内的混频产物阶次为M*RF±N*LO；

RF为射频信号的频率，LO为本振信号的频率；

所述的本征信号通过第二移相器进行相位预偏的数值为

其中，M为第一混频器输出的混频产物中射频分量的阶次或第二混频器输出的混频产物中射频分量的阶次；N为第一混频器输出的混频产物中本振分量的阶次或第二混频器输出的混频产物中本振分量的阶次。