声波装置和制造该声波装置的方法与流程

本申请要求于2016年03月30日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0038205号韩国专利申请的优先权和权益，所述申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。

下面的描述涉及一种声波装置和制造该声波装置的方法。

背景技术：

带通滤波器是通讯装置的关键组件，所述通信装置从各种频带中仅仅选择所需频带内的信号并发送和接收所选择的信号。带通滤波器的代表性示例包括表面声波(saw)滤波器和体声波(baw)滤波器。

在这样的声波装置中，滤波器通常包括呈薄膜形式的谐振元件。谐振元件可通过将叉指换能器(idt)电极或压电介电材料沉积在晶圆基板上而形成。沉积的idt电极或压电介电材料的压电特性被用来引起谐振。

这样的声波装置的应用包括例如移动通讯装置、化工装置或生物装置的小型和轻量型滤波器、振荡器、谐振元件和声谐振质量传感器。

技术实现要素：

提供本发明内容在于以简化形式介绍在下面的具体实施方式中进一步描述的发明构思的选择。本发明内容不意图确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意图用来帮助确定所要求保护的主题的范围。

在一个总的方面，一种声波装置包括：基板；声波产生部，设置在基板的表面上；接地焊盘，设置在基板的表面上；支撑部，在基板的表面上与声波产生部分开；屏蔽构件，设置在支撑部上，与声波产生部分开；接地端子，设置在接地焊盘上，其中，接地焊盘和屏蔽构件通过接地端子彼此连接。

所述支撑部可设置在接地焊盘与屏蔽构件之间。

所述接地端子可包括焊料凸块或焊锡球。

所述接地端子可包括：连接导体，以柱式设置在接地焊盘上；端子部，设置在连接导体的端部。

所述屏蔽构件可结合到连接导体。

所述声波装置还可包括沿着屏蔽构件和支撑部的表面设置的密封部。

所述屏蔽构件可包括暴露到密封部外部的部分。所述接地端子可结合到暴露到密封部外部的所述部分。

所述屏蔽构件可包括具有通孔的环状的连接部。所述接地端子可容纳在通孔中，并可电连接到所述连接部。

在另一总的方面，一种制造声波装置的方法包括：在基板的表面上形成声波产生部和接地焊盘；在基板的表面上形成与声波产生部分开的支撑部；在支撑部上设置屏蔽构件；使接地端子结合到接地焊盘和屏蔽构件。

形成支撑部可包括：使支撑部部分地设置在接地焊盘上，以使接地焊盘的部分暴露到支撑部的外部。

所述方法还可包括：在将屏蔽构件设置在支撑部上之后，沿着屏蔽构件和支撑部的表面形成密封部。

形成密封部可包括：移除密封部的部分，以将屏蔽构件的部分暴露到密封部的外部。接地端子可结合到屏蔽构件的所述部分。

设置屏蔽构件可包括：将屏蔽构件形成为使屏蔽构件的部分在接地焊盘上方突出到支撑部的外部。

形成接地端子可包括：在接地焊盘上设置导电构件；使导电构件熔融并固化。

形成接地端子可包括：在接地焊盘上设置呈柱式的连接导体；在连接导体的端部形成端子部。

在另一总的方面，一种制造声波装置的方法包括：在基板的表面上形成声波产生部和接地焊盘；在接地焊盘上形成呈柱式的连接导体；在基板的表面上形成与声波产生部分开的支撑部；在支撑部上设置屏蔽构件，并使屏蔽构件连接到连接导体；在连接导体的端部形成端子部。

在支撑部上设置屏蔽构件可包括：将屏蔽构件设置为在与基板的表面垂直的方向上与声波产生部分开。

其他特征和方面将从下面的具体实施方式、附图和权利要求中变得清楚。

附图说明

图1是根据实施例的声波装置的透视图。

图2是沿图1的i-i′线截取的截面图。

图3是图1中示出的声波装置的分解透视图。

图4是根据另一实施例的声波装置的截面图。

图5和图6是示出根据实施例的制造图1中示出的声波装置的方法的示图。

图7和图8是示出根据实施例的制造图4中示出的声波装置的方法的示图。

图9是示意性示出根据实施例的声波装置封装件的截面图。

这里描述的特征可以以不同的形式实施，且不应被理解为限于这里所描述的示例。更确切地说，这里所描述的示例仅仅用于示出在理解本申请的公开内容之后将清楚的实现这里所描述的方法、装置和/或系统的许多可能方法中的一些。

具体实施方式

提供下面的具体实施例方式以帮助读者获得对这里所描述的方法、装置和/或系统的全面理解。然而，这里所描述的方法、装置和/或系统的各种改变、变型以及等同物将在理解本申请的公开内容之后变得清楚。例如，这里所描述的操作的顺序仅仅是示例，其不限于这里所阐述的，而是在理解本申请的公开内容之后将清楚的是，除了必须以特定顺序出现的操作之外，可改变操作的顺序。此外，为了更清楚和简洁，可省略本领域技术人员知晓的特征的描述。

这里所描述的特征可以以不同的形式实施，不应被理解为限于这里所描述的示例。更确切地说，在理解本申请的公开内容之后将清楚的是，已经提供这里所描述的示例仅仅在于示出实现这里所描述的方法、装置和/或系统的许多可能方式中的一些。

在整个说明书中，当元件(诸如，层、区域或基板)被描述为“在”另一元件“上”、“连接到”或“结合到”另一元件时，其可直接“在”另一元件“上”、“连接到”或“结合到”另一元件，或者可存在介于他们之间的一个或更多个其他元件。相反，当元件被描述为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件时，可能不存在介于他们之间的其他元件。

如这里所使用的，术语“和/或”包括任意两个或更多个所列相关项中的任一和任意组合。

尽管在这里使用诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语来描述各个构件、组件、区域、层或部分，但这些构件、组件、区域、层或部分不被这些术语限制。更确切地说，这些术语仅仅用于使一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分相区分。因此，在不脱离示例的教导的情况下，这里描述的示例中所描述的第一构件、组件、区域、层或部分还可被称为第二构件、组件、区域、层或部分。

为了描述方便，可在这里使用诸如“在……之上”、“上方”、“在……之下”以及“下方”的空间关系术语，以描述如图所示的一个元件与另一元件之间的关系。这样的空间关系术语意图包括除了附图中描绘的取向之外的装置在使用或操作中的不同的取向。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为“在”另一元件“之上”或“上方”的元件将在之后变为“在”另一元件“之下”或“下方”。因此，术语“在……之上”根据装置的空间取向而包括“在……之上”和“在……之下”两种取向。装置还可按照其它的方式取向(例如，旋转90度或处于其它方位)，这里使用的空间关系术语可被相应地解释。

这里所使用的术语仅仅用于描述各个实施例，不用于限制本公开。除非上下文清楚地指出，否则单数形式还意图包括复数形式。术语“包括”、“包含”和“具有”列举说明了存在陈述的特征、数量、操作、构件、元件和/或他们的组合，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、数量、操作、构件、元件和/或他们的组合。

由于制造技术和/或公差，可能出现附图中示出形状的变化。因此，这里所描述的示例不限于附图中示出的特定形状，而是包括制造过程中出现的形状上的变化。

在理解本申请的公开内容之后将清楚的是，可以以各种方式组合这里所描述的示例的特征。此外，尽管这里所描述的示例具有各种配置，但是，在理解本申请的公开内容之后将清楚的是，其他构造是可能的。

此外，根据下面描述的声波装置包括被构造为使许可的频带通过的滤波器元件，诸如表面声波(saw)滤波器、体声波(baw)滤波器或双工器。

图1是根据实施例的声波装置10的透视图。图2是沿图1的i-i′线截取的截面图。图3是声波装置10的分解透视图。

参照图1至图3，声波装置10包括基板100、支撑部200、屏蔽构件300、密封部400和连接端子500。

在声波装置10是saw滤波器的情况下，基板100可设置为压电基板。在声波装置10是baw滤波器的情况下，可使用si基板。

例如，基板100由诸如litao3、linbo3、li2b4o7或水晶的压电单晶、pzt基多晶或者zno薄膜形成。此外，还可将由sio2或硅形成的晶圆基板用于基板100。然而，用于声波装置10的基板不限于上述示例，并且可以是本领域使用的各种基板中的任意一种。

如图2和图3所示，声波产生部110设置在基板100的一个表面上。

例如，在声波装置10是saw滤波器的情况下，如图3所示，声波产生部110设置为金属电极的形式。声波产生部110可由铝或铜形成，并且可包括使电极以梳子的形式彼此交替地交叉的叉指换能器(idt)电极。

在这种情况下，声波产生部110通过光刻法在基板100上形成金属层并将金属层机加工为预定的电极形式来构造。声波产生部110可由诸如金(au)、铂(pt)、铝(al)或铜(cu)的金属或者au、pt、al和cu中两种或更多种的任意组合的合金形成。此外，声波产生器110可通过堆叠金属膜形成。

在声波产生部110是baw滤波器的情况下，可通过形成与在saw滤波器中采用的结构不同的结构来设置声波产生部110。例如，被构造为将电信号转换为机械信号或者将机械信号转换为电信号的压电薄膜谐振器可被设置为声波产生部110。在这种情况下，声波产生部110形成了通过在基板100上顺序地堆叠下电极、压电层和上电极而构造的谐振部。

电极焊盘120和使电极焊盘120与声波产生部110彼此电连接的布线图案(未示出)形成在例如基板100的一个表面上。另外，一个或更多个接地焊盘120a和使一个或更多个接地焊盘120a与声波产生部110彼此电连接的布线图案(未示出)形成在例如基板100的一个表面上。

电极焊盘120和一个或更多个接地焊盘120a可设置在声波产生部110的外部。连接端子500设置在电极焊盘120上，一个或更多个接地端子500a设置在一个或更多个接地焊盘120a上。一个或更多个接地焊盘120a电连接到基板100的接地部，并结合到下述的一个或更多个接地端子500a。

尽管图1和图2示出了电极焊盘120和一个或更多个接地焊盘120a被分为不同的焊盘的情况，但是电极焊盘120和一个或更多个接地焊盘120a可具有类似的构造。电极焊盘120仅仅指示按照概念上与一个或更多个接地焊盘120a相反的方式使用的焊盘，电极焊盘120包括除了一个或更多个接地焊盘120a之外的焊盘。

使声波产生部110和布线图案与外部环境电绝缘的绝缘保护层(未示出)可设置在声波产生部110和布线图案上。然而，电极焊盘120可暴露到绝缘保护层的外部。绝缘保护层可由sio2膜形成，但不限于这样的材料。

支撑部200设置在基板100的一个表面上，并在与基板100的一个表面垂直的方向上与声波产生部110分开预定的距离。例如，支撑部200与基板100的一个表面垂直地分开预定的距离。

支撑部200可沿着声波产生部110的边缘连续地形成为围绕声波产生部110的外周。例如，支撑部200被构造为连续围绕声波产生部110的外周的形式，同时与声波产生部110分开预定的距离(例如，3μm或更多)。

支撑部200可在竖直方向上具有比声波产生部110沿竖直方向的厚度大的厚度。因此，在位于支撑部200上的屏蔽构件300与声波产生部110之间形成间隙。

支撑部200的结构不限于上述构造，只要是在屏蔽构件300与声波产生部110之间形成间隙的结构，可以以各种方式变化。

支撑部200可由诸如树脂或聚合物的绝缘材料形成。然而，支撑部200的材料不限于前述示例，在支撑部200与声波产生部110充分分开或者使支撑部200与声波产生部110之间绝缘的情况下，支撑部200还可由金属材料形成。

支撑部200支撑屏蔽构件300。支撑部200还使声波产生部110与屏蔽构件彼此分开，以便当声波产生部110谐振和变型时声波产生部110不与屏蔽构件300接触。因此，通过支撑部200在声波产生部110与屏蔽构件300之间形成间隔区域d，间隔区域d用作驱动声波装置10时声波产生部110的变型空间(modificationspace)。

屏蔽构件300可形成为充分覆盖声波产生部110的上部，并用于屏蔽电磁波。因此，屏蔽构件300电连接到接地端子500a，并由导电金属材料形成。

此外，屏蔽构件300用于防止由于制造工艺中的外力导致密封部400朝向间隔区域d移动并与声波产生部110接触。因此，屏蔽构件300可呈平板的形式，并且可由导电金属板(例如，铜板)形成以提供刚度。

屏蔽构件300包括：屏蔽部320，设置在声波产生部110上方；一个或更多个连接部310，设置在一个或更多个接地焊盘120a上方，如图3所示。

连接部310在接地焊盘120a上方的区域从屏蔽部320延伸，并可形成为其中形成有通孔的环状。连接部310设置在将结合到接地端子500a的接地焊盘120a上方。为此，接地端子500a可延伸穿过连接部310中的通孔。然而，连接部310的形状不限于前述描述，连接部310可形成为各种形状，只要其能够在接地焊盘120a上容易地结合到接地端子500a即可。

在单独制造屏蔽构件300之后，将屏蔽构件300传递到支撑部200以结合到支撑部200。然而，屏蔽构件300不限于前述示例，并且可具有不同的构造和/或可以以不同的方式附着到支撑部。例如，屏蔽构件300可通过在支撑部200上直接堆叠金属板并使堆叠的金属板图案化而形成。

屏蔽构件300和支撑部200通过密封部400密封。密封部400设置为沿着屏蔽构件300和支撑部200的表面，以通过密封屏蔽构件300和支撑部200防止湿气和异物侵入到间隔区域d。

密封部400可由包括绝缘材料的薄膜层形成。例如，密封部400可由包括氮化硅(sixny)、二氧化硅(sio2)、氧氮化硅(sioxny)和碳化硅(sic)中两种或更多种的任一或任意组合的薄膜层形成。

尽管图1和图3示出了密封部400呈平坦片的形式，但示出的构造仅仅是为了方便解释。密封部400可以弯曲，以便与屏蔽构件300的形状相对应。

连接端子500和一个或更多个接地端子500a可形成为焊锡球或焊料凸块的形式，但不限于这些示例。

连接端子500结合到电极焊盘120，以使封装基板2(图9)与声波装置10彼此电连接和机械连接。一个或更多个接地端子500a设置在一个或更多个接地焊盘120a中的各个上。

尽管图3示出了连接端子500和一个或更多个接地端子500a被分为不同端子的情况，但是连接端子500和一个或更多个接地端子500a可具有类似地结构。连接端子500仅仅指示按照概念上与一个或更多个接地端子500a相反的方式使用的端子，连接端子500包括除了一个或更多个接地端子500a之外的端子。

一个或更多个接地焊盘120a和屏蔽构件300可通过一个或更多个接地端子500a电连接。因此，接地端子500a用作外部连接端子，同时还用作使接地焊盘120a和屏蔽构件300彼此电连接的电路布线。

支撑部200部分地覆盖接地焊盘120a的上表面。此外，连接部310的部分设置在接地焊盘120a上方。因此，支撑部200部分地介于在接地焊盘120a与屏蔽构件300之间。

此外，连接部310的至少一部分暴露到密封部400的外部。因此，由于扩大了接地端子500a与屏蔽构件300之间的结合表面，因此增大了结合可靠性。

图4是根据另一实施例的声波装置10a的截面图，该截面图示出了与图1的i-i′线相对应的截面。参照图4，声波装置10a的连接端子500′包括连接导体510和端子部520。

连接导体510呈柱式并设置在电极焊盘120上。此外，端子部520设置在连接导体510的端部。声波装置10a还包括接地端子500a′，其构造与连接端子500′类似，并包括设置在接地焊盘120a上的端子部520。

屏蔽构件300连接到接地端子500a′的连接导体510。因此，屏蔽构件300、接地焊盘120a和接地端子500a′的端子部520通过接地端子500a′的连接导体510彼此电连接。

上述构造可应用于连接端子500′或接地端子500a′之间的间距比图1至图3中示出的连接端子500或接地端子500a之间的间距小的声波装置10a。在下面将描述的制造声波装置10a的方法中将再次进行描述。

接着，将参照图5和图6描述根据实施例的制造声波装置10的方法。

参照图5和图6，在第一操作(s1)，在基板100上形成声波产生部110。声波产生部110通过光刻工艺在基板100上形成导体层并将导体层机加工为预定的电极形式而形成。如上所述，在saw滤波器的情况下，基板100可以是压电基板，在baw滤波器的情况下，基板100可以是si基板。

在声波装置10被用作saw滤波器的情况下，声波产生部110可由铝或铜形成，并且可形成为使电极以梳子的形式彼此交叉的结构。在这种情况下，可通过光刻工艺在基板100上形成导体层并将导体层机加工为预定电极形式来设置声波产生部110。

此外，在声波装置10被用作baw滤波器的情况下，声波产生部110可作为使下电极、压电层和上电极顺序堆叠的单独的结构形成在基板100的一个表面上。

电连接到声波产生部110的布线图案形成在声波产生部110周围。此外，布线图案包括布线层121，所述布线层121随后形成为电极焊盘120和接地焊盘120a。

诸如sio2膜的绝缘保护层(未示出)可设置在声波产生部110和布线图案的表面上。在这种情况下，布线层121可暴露到绝缘保护层的外部。

接着，在操作(s2)，在声波产生部110和布线层121上形成种子层122。种子层122可形成为用于执行电镀，并可通过溅射法由铜(cu)材料形成。然而，种子层122不限于这些示例。

绝缘保护层可形成在声波产生部110上。因此，种子层122可形成在绝缘保护层的表面以及绝缘保护层的暴露的布线层121上。

接着，在操作(s3)，在种子层122上形成掩膜层125，然后移除掩膜层125的部分，使得种子层122的部分被暴露。在这种情况下，种子层122的与布线层121相对应的区域被暴露。

接着，在操作(s4)，在暴露的种子层122上形成镀层123，以形成电极焊盘120和接地焊盘120a的形状。镀层123可通过使用种子层122进行电镀而形成。然而，镀层123不限于通过电镀形成。如果需要，镀层123还可通过使用无电镀覆来形成。

镀层123可通过在种子层122上顺序地堆叠镍(ni)层和金(au)层而形成，并且可用作下阻挡金属(ubm)层。然而，镀层123不限于这样的示例。

接着，在操作(s5)，移除剩余的掩膜层125和种子层122的部分。具体地，种子层122的形成在除了电极焊盘120和接地焊盘120a之外的区域上的部分被移除。因此，在基板100上完成了电极焊盘120、接地焊盘120a和声波产生部110。

在声波装置10被制造为saw滤波器的结构的情况下，如示出的实施例，布线层121可由铝(al)材料形成。在这种情况下，向外暴露的布线层121可在随后执行的光刻或蚀刻操作被同时移除。因此，为了防止布线层121被同时移除，声波装置10包括形成在布线层121上的作为阻挡层的镀层123。

然而，在声波装置100被制造为baw滤波器的结构的情况下，由于布线层121由在蚀刻操作中不容易移除的钼(mo)或金(au)材料形成，因此，可省略镀层123和种子层122以及形成镀层123和种子层122的操作。

接着，在操作(s6)，在基板100的一个表面上形成支撑层201。其后，在操作(s7)，部分地移除支撑层201，以形成沿着声波产生部110的外周的支撑部200。

支撑部200可由诸如树脂或聚合物的绝缘材料形成的。然而，如果需要，支撑部200还可由金属材料形成。此外，支撑部200可通过光刻工艺形成。然而，支撑部200不限于前述示例。

支撑部200沿着电极焊盘120和接地焊盘120a的边缘部分地覆盖电极焊盘120和接地焊盘120a。因此，电极焊盘120和接地焊盘120a通过形成在支撑部200中的通孔205暴露到外部。

接着，在操作(s8)，在支撑部200上堆叠屏蔽构件300。屏蔽构件300与声波产生部110分开预定的间隔，并位于支撑部200上。

屏蔽构件300可由金属片形成。例如，屏蔽构件可由铜(cu)片形成。金属片壳具有较宽面积，屏蔽构件300可形成有能够同时覆盖多个声波产生部110的尺寸和形状，如图3所示。因此，由于与支撑部200接触并被支撑部200支撑的面积与形成的间隔空间d的面积类似，或比形成的间隔空间d的面积大，因此，即使屏蔽构件300被堆叠在支撑部200上，也可保持平坦片状。

接着，在操作(s9)，在屏蔽构件300上形成掩膜层303，以使屏蔽构件300图案化。还可通过光刻方法执行操作(s9)。

因此，屏蔽构件300包括：至少一个屏蔽部320，设置在声波产生部110的上方；连接部310，设置在接地焊盘120a上方。屏蔽构件300的屏蔽部320通过支撑部200与声波产生部100分开。此外，连接部310和接地焊盘120a也通过支撑部200彼此分开。

连接部310形成为从支撑部200朝接地焊盘120a的中心轴突出预定的距离。因此，支撑部200未设置在突出的部分与接地焊盘120a之间。

然而，屏蔽构件300和支撑部200的构造不限于上述描述。例如，如图4和图8中示出的示例，屏蔽构件300还可在接地焊盘120a上方的区域中设置为在与支撑部200相同的竖直线上，或者支撑部200还可形成为在接地焊盘120a的上方突出超过屏蔽构件300。

接着，在操作(s10)，形成密封屏蔽构件300和支撑部200的密封部400。密封部400可由如上所述的绝缘材料的薄膜层形成。

形成密封部400的操作可包括：在基板100的其上设置屏蔽构件300的一个表面的整个表面上涂敷密封层(未示出)，以及通过光刻法移除密封层的部分，使屏蔽构件300部分地暴露。

密封层400可通过气相沉积法形成。例如，密封层400通过物理气相沉积(pvd)法或化学气相沉积(cvd)法形成。

更具体地，密封层400可通过使用溅射法、电子束蒸发法、热蒸发法、激光分子束外延(l-mbe)法、脉冲激光沉积(pld)法、金属有机化学气相沉积(mocvd)法、氢化物气相外延(hvpe)法和等离子体增强化学气相沉积(pecvd)法中的任何一种方法形成。此外，通过蚀刻法执行密封部400的移除。

接着，可通过在电极焊盘120上形成连接端子500并在接地焊盘120a上形成接地端子500a完成图1中示出的声波装置。可通过在电极焊盘120和接地焊盘120a上涂敷导电膏来执行形成连接端子500和接地端子500a的操作，然后使涂敷的导电膏熔融并固化。

在该操作中，接地端子500a结合到接地焊盘120a和屏蔽构件300二者。因此，接地端子500a使接地焊盘120a和屏蔽构件300彼此电连接。另一方面，形成在电极焊盘120上的连接端子仅仅结合到电极焊盘120，未结合到屏蔽构件300。

声波装置100使用接地端子500a使接地焊盘120a和屏蔽构件300彼此电连接。因此，不需要将屏蔽构件300连接到基板100的接地部的单独的操作或构造。

图7和图8是示出根据实施例的制造图4中示出的声波装置10a的方法的示图。制造声波装置10a的方法包括在图5的实施例中描述的包括完成电极焊盘120和接地焊盘120a的操作(s1)至(s5)。

参照图7和图8，接着操作(s5)，在操作(s21)，在基板100上形成种子层122a。设置种子层122a以通过镀覆操作形成将在下面描述的连接导体510，并且种子层122a可通过溅射法由铜(cu)材料形成。然而，种子层122a不限于这样的示例。

绝缘保护层可如上参照图5和图6所述形成在声波产生部110和布线图案上。因此，种子层122a可基本形成在绝缘保护层的表面上，电极焊盘120和接地焊盘120a可暴露到绝缘保护层的外部。

接着，在操作(s22)，在种子层122a上形成掩膜层125a。然后，部分地移除掩膜层125a，以便暴露种子层122a的部分。因此，使形成在电极焊盘120和接地焊盘120a上的种子层122a暴露到外部。

接着，在操作(s23)，在暴露的种子层122a上形成导电材料，以形成连接导体。连接导体510通过使用种子层122a进行电镀而形成。然而，连接导体510不限于这样的示例。如果需要，还可通过执行无电镀覆形成连接导体510。

连接导体510可由铜(cu)材料形成。然而，连接导体510可由其他材料形成。

接着，在操作(s24)，移除剩余的掩膜层125a和种子层122a的部分。具体地，移除种子层122a的形成在除了电极焊盘120和接地焊盘120a之外的区域上的部分。因此，在电极焊盘120和接地焊盘120a上完成了连接导体510。

接着，在操作(s25)，在基板100的其上形成有电极焊盘120和接地焊盘120a的一个表面上形成支撑部200。其后，在操作(s26)，在支撑部200上形成屏蔽构件300。与图5和图6的实施例类似，屏蔽构件300可由金属片形成，可由铜(cu)材料形成。然而，屏蔽构件300不限于这样的示例。

屏蔽构件300与声波产生部110分开预定的间隔，并位于支撑部200上。此外，连接部310与连接导体510接触。

接着，在操作(s27)，形成密封屏蔽构件300和支撑部200的密封部400。密封部400可如以上参照图5和图6所述通过气相沉积法由绝缘材料的博膜层形成。连接导体510的端部突出到密封部400的外部。

接着，在操作(s27)，通过在连接导体510的端部形成端子部520的操作(s27)完成声波装置10a。

声波装置10a和制造声波装置10a的方法可应用于以较窄间距设置连接端子500′或接地端子500a′的情况。在未使用连接导体510的实施例的情况下(见图2)，直接在电极焊盘120上形成连接端子510，并直接在接地焊盘120a上形成接地端子500a。因此，在连接端子500或接地端子500a设置为彼此邻近的情况下，彼此邻近的连接端子500或接地端子500a在使涂敷的导电膏熔融和固化的操作中会无意中彼此连接。

然而，当在形成连接导体510之后在连接导体510的端部形成端子部520的情况下，如图4的实施例，端子部520可形成为具有与连接导体510的端部的面积相对应的尺寸。因此，彼此邻近的连接端子500′或接地端子500a′不会彼此连接。因此，这样的实施例可容易地应用到连接端子500′或接地端子500a′之间的间距非常窄的情况。

图9是示意性示出根据实施例的声波装置封装件1000的截面图。参照图9，声波装置封装件1000包括封装基板2、安装在封装基板2上的电子元件1和密封部3。

可使用任何类型的电子元件1，只要电子元件1是可安装在封装基板2上的电子组件即可。例如，电子元件1是有源元件或无源元件。

此外，电子元件1包括至少一个声波装置10和其他电子元件11。图9示出了使用图1中示出的声波装置10的情况。然而，声波装置封装件1000的构造不限于示出的示例。在另一实施例中，声波装置封装件1000可包括图4中示出的声波装置10a。

本领域公知的各种基板(例如，陶瓷基板、印刷电路板、玻璃基板或柔性基板)可用于封装基板2，至少一个电子元件1安装在封装基板2的至少一个表面上。此外，外连接端子2a设置在封装基板2的除了封装基板2的安装有至少一个电子元件1的表面之外的表面上。例如，外连接端子2a安装在与其上安装有电子元件1的表面背对的表面上。

密封部3密封安装在封装基板2上的电子元件1。此外，密封部3填充在安装在封装基板2上的电子元件1之间，以防止电子元件1之间电短路的出现，并且围绕电子元件1的外部并将电子元件1固定到封装基板2，从而安全地保护电子元件1不受外部冲击。

密封部3可通过模塑法形成。例如，环氧树脂成型化合物(emc)用作密封部3的材料。然而，密封部3不限于这样的示例。如果需要，可使用诸如压缩半固化态树脂的方法的各种方法来形成密封部3。

声波装置封装件1000包括：设置为彼此平行的声波装置的基板100和封装基板2，以及设置在声波装置的基板100和封装基板2之间的屏蔽构件300。此外，声波产生部110设置在在屏蔽构件300与声波装置的基板100之间。

此外，在声波装置封装件1000中，屏蔽构件300通过接地端子500a直接连接到封装基板2的接地部2b，而不通过基板100。

如以上阐述的，根据这里所公开的实施例，声波装置可容易地将执行屏蔽功能的屏蔽构件连接到接地端子。其结果是，可容易地制造声波装置。

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