技术总结
本实用新型公开了一种考虑密勒效应的分布式二堆叠结构的功率放大器，包括分布式二堆叠HiFET放大网络、偏置电压、考虑密勒效应的栅极人工传输线及考虑密勒效应的漏极人工传输线，本实用新型核心架构采用分布式二堆叠HiFET放大网络,分布式二堆叠HiFET放大网络至少由三个二堆叠HiFET结构组成；同时，本实用新型考虑了二晶体管堆叠结构的密勒效应对于人工传输线的等效电容的影响，大大提高了电路设计的精确性，降低了电路后期调试的难度，使得整个功率放大器获得了良好的宽带功率输出能力和功率增益能力，避免了集成电路工艺的低击穿电压特性，提高电路的稳定性与可靠性。
技术研发人员：滑育楠;邬海峰;胡柳林;陈依军;廖学介;吕继平;童伟;王测天
受保护的技术使用者：成都嘉纳海威科技有限责任公司
文档号码：201621159953
技术研发日：2016.10.24
技术公布日：2017.06.16