可探硅调光最小角度启动电路的制作方法

本实用新型涉及电路设计技术领域，尤其是涉及一种可控硅调光处于最小角度时，可开机启动快速充电的可探硅调光最小角度启动电路。

背景技术：

随着智能LED照明产品在市场上的强烈需求，各种宽电压、高精度的调光驱动器越来越受客户欢迎。客户对调光产品的人性化需求也越发重要。

宽电压可控硅调光芯片在市场应用也比较多。但芯片启动回路在可控硅调光应用中，不能在可控硅调光处于最小角度时开机启动的功能，大大降低了客户对调光照明产品的体验感。

如图1的所示的普通直接采用上拉电阻充电方式的可控硅调光电路，在正常120V、60HZ电源输入1个周期为16.66ms，半波时间为8.33ms。可控硅调节范围通常为30-140度，处于最小调光角度30度时，输入电源只有1.3ms周期电压，Vp峰值电压约为70V，Vrms有效值电压仅21V。调光芯片最小启动工作电压为10.5V。在最小调光状态DCBUS线电压Vp峰值经RS62给CS62充电，但由损耗原因RS62阻值在680K-2.2M之间，经RS66给Q61驱动极提供有效电压在5V左右，远远达不到10.5V启动电压，所以IC芯片不工作。

要想将DCBUS上线电压21V给芯片供电启动工作，只有两种方法。1、是采用超小电阻，用电阻降压的方式给IC供电，但这种方式在输入电压达277V时，DCBUS线电压上Vp超400V,将在这个供电电阻上，产生巨大的损耗。2、是采用复合管的形式，让最小角度的Vp电压直接灌到VDD上充电，这种控制方式很复杂，成本很高。

技术实现要素：

本实用新型的发明目的是为了克服现有技术中调光芯片在处于可控硅调节最小角度时，开机无法启动的不足，提供了一种可控硅调光处于最小角度时，可开机启动快速充电的可探硅调光最小角度启动电路。

为了实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种可探硅调光最小角度启动电路，包括交流电源，全桥整流电路，可控硅调光芯片IC，电阻RS62，电阻RS63，电阻RS66，MOSFET管Q61，极性电容C61，电容CS61，电容CS62，电容CS63和稳压二极管ZS61；所述交流电源经切相后的AC电压再经全桥整流电路后的得到DCBUS线电压；所述DCBUS线电压的一端分别与MOSFET管Q61的漏极、电阻RS62的一端和电阻RS63的一端电连接，MOSFET管Q61的源极分别与极性电容C61的正极端、电容CS61的一端和可控硅调光芯片IC的VDD接口电连接，电阻RS63另一端与电容CS63的一端电连接，电容CS63的另一端分别与MOSFET管Q61的栅极、稳压二极管ZS61的负极和电阻RS66的一端电连接，电阻RS62的另一端分别与电阻RS66的另一端、电容CS62的一端和可控硅调光芯片IC的BIAS接口电连接，电容CS62的另一端分别与稳压二极管ZS61的正极、极性电容C61的负极、电容CS61的另一端和可控硅调光芯片IC的PG接口电连接并接地。

本实用新型中，在正常120V、60HZ电源输入1个周期为16.66ms，半波时间为8.33ms。可控硅调节范围通常为30-140度，处于最小调光角度30度时，输入电源只有1.3ms周期电压，Vp峰值电压约为70V，Vrms有效值电压仅21V。调光芯片最小启动工作电压为10.5V。在最小调光状态DCBUS线电压Vp峰值经RS62给CS62充电，但由损耗原因RS62阻值在680K-2.2M之间，经RS66给Q61驱动极提供有效电压在5V左右，远远达不到10.5V启动电压，所以IC芯片不工作。

当加入RS63串接CS63和稳压管ZS61后，将很容易启动工作。CS63为高压电容，DCBUS线电压Vp约70V峰值，在峰值没到来时CS63基本无电状态，当Vp峰值到来时，由于充电瞬间电容相当于短路，充电能量很大，直接给Q61栅极提供一个高压电平，使Q61导通，快速将VDD充到10.5V以上，芯片开始工作。

由于每个正弦周期内会有两次最小角度时的峰值电压，所以调节CS63和RS63大小，可确保可控硅调光器最小角度时芯片能达到最小启动电压10.5V的要求。当无调光器时，由于没有突变电压，CS63上电压会跟随DCBUS一样波形，只有很小的充电电流，不会造成线路高损耗和也不会影响Q61调光时的正常使能。

本实用新型提供了一种简单的快充方式。其工作原理是利用电容特性：通交流、阻直流，上电充电瞬间基本处于短路状态，充满电后基本无电流通过处于开路状态。

因此，本实用新型具有可以实现可控硅调光处于最小角度时，开机启动快速充电的功能，大大提高了客户对调光照明产品的体验感的特点。

作为优选，所述电阻RS63为限流电阻；所述电阻RS63由1个电阻或多个电阻串联组成。

其中RS63为限流电阻，由1个或多个组成，可调CS63充电电流。

作为优选，所述电容CS63为高压电容。

作为优选，所述稳压二极管ZS61为22V稳压二极管。

稳压二极管ZS61主要为保护Q61栅极不过冲，造成MOSFET损坏。

因此，本实用新型具有如下有益效果：可以实现可控硅调光处于最小角度时，开机启动快速充电的功能，大大提高了客户对调光照明产品的体验感。

附图说明

图1是普通直接采用上拉电阻充电方式的可控硅调光电路的电路原理图；

图2是本实用新型的一种电路原理图；

图3是本实用新型的一种典型应用的电路原理图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型做进一步的描述。

如图2所示的实施例是一种可探硅调光最小角度启动电路，包括交流电源，全桥整流电路，可控硅调光芯片IC，电阻RS62，电阻RS63，电阻RS66，MOSFET管Q61，极性电容C61，电容CS61，电容CS62，电容CS63和稳压二极管ZS61；所述交流电源经切相后的AC电压再经全桥整流电路后的得到DCBUS线电压；所述DCBUS线电压的一端分别与MOSFET管Q61的漏极、电阻RS62的一端和电阻RS63的一端电连接，MOSFET管Q61的源极分别与极性电容C61的正极端、电容CS61的一端和可控硅调光芯片IC的VDD接口电连接，电阻RS63另一端与电容CS63的一端电连接，电容CS63的另一端分别与MOSFET管Q61的栅极、稳压二极管ZS61的负极和电阻RS66的一端电连接，电阻RS62的另一端分别与电阻RS66的另一端、电容CS62的一端和可控硅调光芯片IC的BIAS接口电连接，电容CS62的另一端分别与稳压二极管ZS61的正极、极性电容C61的负极、电容CS61的另一端和可控硅调光芯片IC的PG接口电连接并接地；

所述电阻RS63为限流电阻；所述电阻RS63由1个电阻或多个电阻串联组成；所述电容CS63为高压电容；所述稳压二极管ZS61为22V稳压二极管。

图3 以ED-RT、20W、400-700I、20-42V、120-277V机种为例，采用可控硅调光器，切相后的AC电压，经全桥DS11、DS12、DS13、DS14整流后形成包洛DCBUS线电压，在正常120V、60HZ电源输入1个周期为16.66ms，半波时间为8.33ms。可控硅调节范围通常为30-140度，处于最小调光角度30度时，输入电源只有1.3ms周期电压，Vp峰值电压约为70V，Vrms有效值电压仅21V。调光芯片最小启动工作电压为10.5V。CS63为高压电容，在峰值没到来时CS63基本无电状态，当Vp峰值到来时，由于充电瞬间电容相当于短路，充电电流经RS63A、RS63B限流后，直接给Q62栅极提供一个约22V（ZS62 22V稳压管）高压电平，使Q62导通经RS64和DS62快速将VDD充到10.5V以上，US31芯片开始工作。芯片工作后，开关信号控制MOSFET开通，给主电感储能，并由主电感绕辅助线圈给IC进行供电，形成自供电状态稳定工作。CS63电容的快充方式，可确保调光器在最小角度，开机时能将US31芯片VDD能快速充电到最小启动需要的10.5V电压以上，让驱动器线路能正常启动工作，达到最小角度开机的目的。

因此，本实用新型具有如下有益效果：可以实现可控硅调光处于最小角度时，开机启动快速充电的功能，大大提高了客户对调光照明产品的体验感。

应理解，本实施例仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的范围。此外应理解，在阅读了本实用新型讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本实用新型作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。