技术总结
本发明公开了一种GaN多芯片合成的大功率微波器件防振荡宽带匹配电路，包括封装在封装管壳内依次连接的输入匹配电路、N个GaN芯片和输出匹配电路；输入匹配电路分为两级，第一级为T型匹配网络，第二级为N路功率分配器；输出匹配电路分为两级，第一级为T型匹配网络，第二级为N路功率合成器。本发明匹配网络采用了二级匹配网络，增加了器件的带宽。N路功率分配器输出端和功率合成器输入端各金丝键合点的相位不一致性控制在5度以内,保证了器件整体的输出功率和合成效率。传输线比较宽，没有电迁移现象，不会出现长期可靠性问题。
技术研发人员：沈美根;朱佳浩;李贺;陈强
受保护的技术使用者：江苏博普电子科技有限责任公司
文档号码：201710068405
技术研发日：2017.02.08
技术公布日：2017.05.10