1.一种抗核辐射加固的置位复位D型触发器，包括主触发器（1）和从触发器（2），其特征在于：所述的主触发器（1）采用时域采样锁存器结构；所述的从触发器（2）采用DICE结构的锁存器结构。
2.根据权利要求1所述的一种抗核辐射加固的置位复位D型触发器，其特征在于，所述的主触发器（1）包括：
二选一多路开关（3），其采用C2MOS电路构成；
置位复位电路（4），其采用C2MOS电路构成，完成对触发器的置位或复位，支持数据的正常传输通路；和
时域采样锁存器（5），完成对数据的正确采样，当输入数据在核辐射环境下发生瞬态错误时，时域采样锁存器（5）通过内部的判决电路，选择正确的数据作为输出数据。
3.根据权利要求2所述的一种抗核辐射加固的置位复位D型触发器，其特征在于，所述的从触发器（2）包括：
DICE结构锁存器（6），完成对数据的锁存，具有纠错能力；和
输出置位复位电路（7），其完成输出置位和复位的功能，支持数据的正常传输通路。
4.根据权利要求3所述的一种抗核辐射加固的置位复位D型触发器，其特征在于，所述的D型触发器有五个输入端和一个输出端，其中，所述五个输入端分别是时钟信号的正相输入端clk和反相输入端nclk、set置位控制输入端、reset复位控制输入端和数据信号输入端d，所述一个输出端是D型触发器的输出q，所述的主触发器（1）接收d、set、reset以及clk、nclk，所述的从触发器（2）接收所述主触发器（1）输出的q2、q3、v1、v2信号以及set、reset和clk、nclk信号。
5.根据权利要求4所述的一种抗核辐射加固的置位复位D型触发器，其特征在于，所述主触发器（1）在clk和nclk的控制下对d进行锁存处理后输出四个信号，分别是q2、q3、v1和v2；所述的从触发器在clk和nclk的控制下对q2、q3、v1、v2进行锁存处理后输出q。
6.根据权利要求5所述的一种抗核辐射加固的置位复位D型触发器，其特征在于，所述的主触发器（1）由eninv1、eninv2、and1、eninv3、eninv4、inv1、inv2和时域采样电路组成，其中eninv1、eninv2组成一个二选一开关，由时钟clk和nclk控制，eninv1、eninv2电路由C2MOS构成；eninv3和eninv4组成另一个二选一开关，由时钟reset和nreset控制，完成主触发器（1）的置位和复位功能；inv1、inv2是加固缓冲反相器，对主触发器（1）数据通路和reset信号缓冲反相。
7.根据权利要求6所述的一种抗核辐射加固的置位复位D型触发器，其特征在于：所述的从触发器（2）有九个输入端和一个输出端，其中，所述的九个输入端分别为q2、q3、v1、v2、clk、nclk、set、reset和nreset，所述的一个输出端为q。
8.根据权利要求7所述的一种抗核辐射加固的置位复位D型触发器，其特征在于：所述的从触发器（2）由六个C2MOS电路、三个加固反相器和一个DICE结构锁存器（6）组成，其中，所述的六个C2MOS电路是en-buff1、en-buff2、en-buff3、en-buff4、en-buff5、en-buff6。
9.根据权利要求8所述的一种抗核辐射加固的置位复位D型触发器，其特征在于：所述的en-buff1、en-buff2、en-buff3、en-buff4受时钟信号clk、nclk的控制，当clk为高电平，nclk为低电平时，分别接收来自所述的主触发器（1）输出的v1、q3、v2和q2数据；en-buff5受复位信号reset、nreset的控制，当reset信号为低电平，nreset信号为高电平时，接收固定的高电平信号Vdd，完成对从触发器（2）的复位；en-buff6受置位信号set、nset的控制，当set信号为低电平，nset信号为高电平时，接收固定的低电平信号Vss，完成对从触发器（2）的置位。
10.根据权利要求9所述的一种抗核辐射加固的置位复位D型触发器，其特征在于：所述的三个加固反相器是inv3、inv4和inv5，所述的inv3、inv4完成对DICE结构锁存器（6）输出的两路信号加固反相，生成从触发器（2）的输出信号q，inv5完成对set信号的加固反相，生成nset信号；所述的DICE结构锁存器（6）接收en-buff1、en-buff2、en-buff3、en-buff4输出，加固锁存之后输出两路相同的信号分别送入inv3和inv4的输入。