本发明涉及时间校准领域,尤其涉及一种高精度增益补偿式时基源。
背景技术:
压控晶体振荡器vcxo是时基基准的核心部件,在传统的晶体振荡体设计环节中,通常采用市面上现有的成熟的方块晶体振荡器来做为频率源,并且此环节通常不是由设备整机电路环节的人员来设计的,而是根据一定的指标、性能要求选用市面上成熟的振荡器。然而,在进入指标化苛刻的今天,由于时基基准整机结构布局发生了改变,无论是小型化要求在狭窄的板面空间上安置数多的部件,还是指标化要求对vcxo的各个设计参数做进一步改进,都必然对每个环节的设计要十分清楚,压控晶振也必须采用自主化设计,实际布局中可能要考虑自己设计压控方式以及起振设计,尤其是晶振的保温设计,因为温度的变化对晶振频率的输出影响是相当大的,特别是在每次系统上电时,由于系统可能处于冷态或热态,对于振荡环路,由于所处的温度每一次都不一致,有可能导致实际的频率输出不一样,对于被动型铷频标来说,由于整机电路设计(包括倍频次数、综合器频率输出等)是严格地按照理论上计算得到的,压控晶振输出频率的大范围改变,有可能导致伺服环节无法将晶振输出频率锁定在原子基态0-0跃迁频率上。
在上述设计方案基础上,现有技术中都是通过vcxo来实现整机的频率输出,某种意义上它间接地反映了时基基准内部物理系统性能的指标,然而由于实际时基基准工作环境温度的影响,vcxo自身漂移的影响等都会给vcxo的输出带来干扰。基于此,本专利提出一种新的基于gps模块的vcxo改进控制的时基基准设计方案,来满足时基基准对vcxo的设计要求。
技术实现要素:
本发明的目的是为了克服现有技术的不足,提供了一种高精度增益补偿式时基源。
本发明是通过以下技术方案实现:
一种高精度增益补偿式时基源,包括相互信号连通的接收机、钟差比对、微处理器、压控控制、温度测量、温度控制模块和增益调节模块,所述接收机用于接收空间卫星的gps授时信号,所述钟差比对将接收机的gps信号与时基基准的vcxo输出的频率信号进行比对,获得时差信号传递给微处理器,所述压控控制内包含电压转换,受微处理器控制,输出变化的直流电压信号,所述温度测量获得贴地时基基准整机机壳内壁上的热敏电阻值,来反映时基基准的实际工作环境温度,所述温控模块用于对初始时基源vcxo进行控温处理,所述增益调节模块通过电路感知vcxo模块中的温差从而转换为压控电压,所述微处理器获得温度测量模块、钟差比对模块、量子鉴频率的数据,并进行相应的处理获得最终的压控1、压控2、压控3的综合信号实现对vcxo的控制。
进一步地,所述温度控制模块:里面含有温控芯片(控温用)、以及热敏电阻(测温用)。受微处理器控制可以设定温度值t,由于整个温度控制模块置于高稳晶振vcxo(温控模块)中,所以微处理器可以设置对应的工作环境温度、以及获得实际的工作环境温度信息。其原理如图2所示;其中两个r以及r1为具有相同温度系数的电阻,其阻值应该选择与rk相当。这里r1的值反映了实际工作环境温度t。rk为一个热敏电阻,它贴于温控模块的表面,用以感知实际的工作环境温度t。故当工作环境温度t无变化时,图2中电桥处于平衡,输送至加热线圈环路的温度补偿电压值为0。一旦工作环境温度t发生变化,则热敏电阻rk的阻值将变小(温度升高)或变大(温度降低),那么电桥两端存在电压差,经运算放大器a差分放大后变为温度补偿电压输送至电压源,同时输出给传统加热丝线圈环路。整个电路的放大增益由运算放大器的负反馈电阻rw调节,rw为一数字电位计,通过调节rw的阻值以达到上述电路补偿因子改变功能。
进一步地,所述压控模块中的桥路测温主要由两个阻值相同的r,一个预设温度值热敏电阻传感器ro(它决定了vcxo的工作环境温度)及测温热敏电阻rk组成。当vcxo工作环境温度恒定时,即热敏电阻rk测量值与预设值ro相等,此时电阻桥路a、b端输出电压差将为0,整个压控模块输出端uout输出为0。当vcxo工作环境温度发生改变时,则桥路的a、b端形成一定的电压差,通过电压跟随器a1及a2的传递送至a3进行差分放大,考虑到放大后的电压差能够有效得采集,所以在差分放大a3的输出端增加了一个增益线性调节电路a4。得到的压控模块电压差uout与微处理器产生的压控电压求和后,送至vcxo模块;其中压控控制模块的处理过程如图3所示。
1、传统压控
微处理器获得对应的时基基准量子鉴频信号后,按照现有时基基准锁定技术,输出“传统压控”模式的压控1信号v1至综合。
2、预判修正
微处理器存储有时基基准整机温度系数(即环境工作温度变化一度引起的时基基准频率变化)的数据w,在获得了温度测量模块的温差数据t后,将数据进行存储。同时微处理器获得钟差比对模块输出的差频(时基基准与gps基准的频差)数据f。这里按照图2,微处理器将做一次差分处理:f=f-w*t。
由于钟差比对模块是按一定周期的时间间隔t对gps信号和时基基准信号进行的比对,所以我们将获得一系列的数据,这里数学模型表示:
其中a,b是未知常数,
对每一个观察点(ti,fi),根据(1)式应满足
我们可以随手做出很多条直线来表示两个变量之间的线性关系,从而来确定a,b。但是这样做的准确性较差,而且也没有一个统一的标准。设
这里有n个观察点的偏差值,应该综合考虑,显然我们不能用代数和来表示,因为偏差有正有负,它们的代数和会出现正负相抵消而不能代表真正的总偏差。若取绝对值后再求和,显然可以避免这一缺点,但却不便于作数学运算,所以采用偏差平方和来表示总偏差:
使
整理后,得
若记
得
这里求得的
3、补偿
相应供应厂商提供的具体vcxo老化漂移的数据如图4所示:
图4中厂商提供的数据横坐标通常可以精确到“天”,这些数据被存储在图1中的微处理器中。在本专利方案中,选择老化漂移率较小的vcx。结合选用的vcxo老化漂移数据,微处理器按照钟差比对模块中设置的采样时间间隔t对vcxo输出的频率值进行相应的主动调整。例如t=1小时即以图3所示的标准(‘天’)以线性处理的方式除以24即可获得相应的‘小时’漂移数据f小时,按照存储在微处理器中的vcxo压控斜率值转化为相应的直流电压值v2至综合。这样可以补偿vcxo因为老化漂移引起的频率变化影响,最终使vcxo输出的频率理论上不变。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:通过新的基于gps模块的vcxo改进控制的时基基准设计方案,来满足时基基准对vcxo的设计要求,很好的克服通过vcxo来实现整机的频率输出,某种意义上它间接地反映了时基基准内部物理系统性能的指标,然而由于实际时基基准工作环境温度的影响,vcxo自身漂移的影响等都会给vcxo的输出带来干扰的问题。
附图说明
图1为本发明的工作原理图;
图2为本发明温度控制模块原理图;
图3为本发明压力控制模块原理图;
图4为本发明中相应供应厂商提供的具体vcxo老化漂移的数据图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
请参阅图1-4,图1为本发明的工作原理图,图2为本发明温度控制模块原理图,图3为本发明压力控制模块原理图,图4为本发明中相应供应厂商提供的具体vcxo老化漂移的数据图。
一种高精度增益补偿式时基源,包括相互信号连通的接收机、钟差比对、微处理器、压控控制、温度测量、温度控制模块和增益调节模块,所述接收机用于接收空间卫星的gps授时信号,所述钟差比对将接收机的gps信号与时基基准的vcxo输出的频率信号进行比对,获得时差信号传递给微处理器,所述压控控制内包含电压转换,受微处理器控制,输出变化的直流电压信号,所述温度测量获得贴地时基基准整机机壳内壁上的热敏电阻值,来反映时基基准的实际工作环境温度,所述温控模块用于对初始时基源vcxo进行控温处理,所述增益调节模块通过电路感知vcxo模块中的温差从而转换为压控电压,所述微处理器获得温度测量模块、钟差比对模块、量子鉴频率的数据,并进行相应的处理获得最终的压控1、压控2、压控3的综合信号实现对vcxo的控制。
进一步地,所述温度控制模块:里面含有温控芯片(控温用)、以及热敏电阻(测温用)。受微处理器控制可以设定温度值t,由于整个温度控制模块置于高稳晶振vcxo(温控模块)中,所以微处理器可以设置对应的工作环境温度、以及获得实际的工作环境温度信息。其原理如图2所示;其中两个r以及r1为具有相同温度系数的电阻,其阻值应该选择与rk相当。这里r1的值反映了实际工作环境温度t。rk为一个热敏电阻,它贴于温控模块的表面,用以感知实际的工作环境温度t。故当工作环境温度t无变化时,图2中电桥处于平衡,输送至加热线圈环路的温度补偿电压值为0。一旦工作环境温度t发生变化,则热敏电阻rk的阻值将变小(温度升高)或变大(温度降低),那么电桥两端存在电压差,经运算放大器a差分放大后变为温度补偿电压输送至电压源,同时输出给传统加热丝线圈环路。整个电路的放大增益由运算放大器的负反馈电阻rw调节,rw为一数字电位计,通过调节rw的阻值以达到上述电路补偿因子改变功能。
进一步地,压控模块中的桥路测温主要由两个阻值相同的r,一个预设温度值热敏电阻传感器ro(它决定了vcxo的工作环境温度)及测温热敏电阻rk组成。当vcxo工作环境温度恒定时,即热敏电阻rk测量值与预设值ro相等,此时电阻桥路a、b端输出电压差将为0,整个压控模块输出端uout输出为0。当vcxo工作环境温度发生改变时,则桥路的a、b端形成一定的电压差,通过电压跟随器a1及a2的传递送至a3进行差分放大,考虑到放大后的电压差能够有效得采集,所以在差分放大a3的输出端增加了一个增益线性调节电路a4。得到的压控模块电压差uout与微处理器产生的压控电压求和后,送至vcxo模块;其中压控控制模块的处理过程如图3所示。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。