1.一种阻值可控的电发热膜，所述电发热膜包括：
1)导电膜，包括基底膜及设置于基底膜表面的导电层；
2)设置于导电层上的电极，所述电极由导电层连接块和若干导电层细线构成，导电层细线由导电层连接块相向延伸形成叉指电极；所述导电层连接块用于连通外部电源；
其特征在于：所述导电层由导电块构成，所述导电块并列排布构成导电层，相邻导电块之间形成长条形缝隙，所述缝隙与导电层细线垂直，所述缝隙的宽度相等且小于0.1mm。
2.根据权利要求1所述的阻值可控的电发热膜，其特征在于：根据电发热膜所需要卡控的阻值，确定设置所述导电层中的缝隙的数量及导电块的数量，所述缝隙的数量与宽度设置，符合如下公式：
n＝(R-r1L)/RW3
L为电导电膜发热区域的电子迁移距离，单位为mm；
R为电发热膜所需要卡控的阻值，单位为Ω；
r1为导电膜的方阻平均值，单位为Ω/□；
W3为缝隙的宽度，且W3≤0.1mm；
n为缝隙的数量，单位为条；
所述导电层的导电块的数量为n+1，每个导电块的长度均为L、宽度均为(W-n W3)/(n+1)，
其中，W为导电膜整体宽度，为导电块宽度和缝隙宽度的总和，单位为mm。
3.根据权利要求1或2所述的电发热膜，其特征在于：所述导电层细线均匀分布于导电层上，相邻导电层细线之间的距离均相等。
4.根据权利要求1或2所述的电发热膜，其特征在于：所述导电层和电极上覆盖有保护层。
5.根据权利要求1或2所述的阻值可控的电发热膜，其特征在于：所述导电层采用ITO膜、石墨烯膜或碳纳米管。
6.根据权利要求5所述的阻值可控的电发热膜，其特征在于：所述导电层采用单层的石墨烯膜。
7.根据权利要求1或2所述的阻值可控的电发热膜，其特征在于：所述基底膜采用聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚丙烯、聚甲基丙烯酸甲酯或聚苯硫醚；所述导电层细线采用银浆、铜、MoAlMo，所述导电层连接块采用银浆、铜、MoAlMo。
8.根据权利要求1或2所述的阻值可控的电发热膜，其特征在于：所述电发热膜整体厚度为50μm-300μm。
9.根据权利要求8所述的阻值可控的电发热膜，其特征在于：所述电发热膜整体厚度为100μm-200μm。