本实用新型涉及电源技术领域，具体涉及一种新型的高速电源调制器。
背景技术：
在雷达收发导引头中，有许多场合会需要用到高速电源调制器，其中较为典型的一种是给射频脉冲功率放大器的供电电源调制器。随着雷达的灵敏度、反应速度等指标的提高，带来的突出性问题在于电压调制的速度不够快、电压调制的上升沿/下降沿延时较大。对于脉冲功率放大器，为了保证其调制速度及稳定工作，在传统的电源调制器的基础上，需减小其上升沿/下降沿时间。传统的电源调制器一般由脉冲TTL—限流电阻—PMOS管组成。
在该电路中，当TTL信号为低电位(0V)时，PMOS管G极即为0V电位，此时S极和G极之间有5V压差，PMOS管S—D处于开通状态，D极输出所需的+5V电压。当TTL信号为高电位(+5V)时，PMOS管G极为+5V电位，此时PMOS管S极和G极之间没有压差，PMOS管S-D处于关闭状态。该传统电路作为电压调制时，由于PMOS管的开通及关断取决于S极和G极之间的压差以及G极的电流大小。TTL信号驱动能力弱，提供电流的能力较小，一般不足5mA，因此使PMOS管开通及关断时间较长，上升沿时间和下降沿时间较大，难以满足越来越高的需求。
技术实现要素：
鉴于此，本实用新型的目的是提供一种新型的高速电源调制器，提升了 PMOS管的响应速度。
本实用新型采用的技术方案如下：
一种新型的高速电源调制器，包括：PMOS管，相互并联的限流电阻和加速电容组成的作用电路的一端和所述PMOS管的G极串联；所述作用电路的另一端和一个驱动器串联。
进一步的，所述PMOS管的S极为5V电压的输入端；所述PMOS管的 D极为5V电压的输出端。
进一步的，所述加速电容的容量为：680PF。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
驱动器信号为-5V/+5V模拟信号，作用在PMOS管G极的高电位为+5V，低电位为-5V。开通PMOS管时，G极电位直接从+5V电位转换为-5V电位，由正而负，切换时间加快，使得PMOS管速度得到一定程度的提高。同时，驱动器可以提供约40mA的电流，远大于TTL信号可提供的电流，PMOS管的开通和关断时间可以得到很大程度的提升。另外，在限流电阻处并联了一个电容，可以起到加速的作用，使信号转换更为迅速，再一次提高PMOS管的开关速度。
附图说明
图1为本本实用新型的高速电源调制器的结构示意图。
图2为本实用新型的现有技术中高速电源调制器的结构示意图。
具体实施方式
为了使本领域的技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步的详细说明。
实施例1：
如图1所示，一种新型的高速电源调制器，包括：PMOS管，相互并联的限流电阻和加速电容组成的作用电路的一端和所述PMOS管的G极串联；所述作用电路的另一端和一个驱动器串联。
具体的，新电路将0/5V的TTL信号通过驱动器转换为-5V/+5V模拟信号之后，再通过加速电容及限流电阻之后作用在PMOS管的G极。
实施例2：
在实施例1的基础上，所述PMOS管的S极为5V电压的输入端；所述PMOS 管的D极为5V电压的输出端。
实施例3：
在实施例1的基础上，所述加速电容的容量为：680PF。
以上仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出的是，上述优选实施方式不应视为对本实用新型的限制，本实用新型的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型的精神和范围内，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。