发光模块制造方法和显示装置与流程

实施例涉及发光模块、发光模块制造方法、发光机壳和显示装置。

背景技术：

发光器件(LED)是具有其中电能被转换成光能的特性的pn结二极管，可以由周期表上的III族和V族元素的化合物半导体等产生，并且可以通过调节化合物半导体的组成比来表示各种颜色。

在LED中，当施加正向电压时，n层的电子与p层的空穴结合，并且可以产生与导带和价带之间的带隙能量相对应的能量，并且此能量主要以热或光的形式发射，并且当能量以光的形式发射时，LED起作用。

例如，氮化物半导体由于其高热稳定性和宽带隙能量而在光学器件和高输出电子器件的开发领域中受到极大关注。特别地，使用氮化物半导体的蓝色LED、绿色LED和紫外(UV)LED被商业化并广泛使用。

近来，发光二极管的亮度问题已经被显著地改善，使得LED应用于各种装置，诸如液晶显示装置的背光单元、电子标牌、显示装置、以及家用电器等。

一般的液晶显示装置通过控制其中安装LED的多个发光单元的光的透射率和液晶来显示具有穿过滤色片的光的图像或视频。一般的液晶显示装置包括背光单元，该背光单元包括光源模块和光学片；TFT阵列基板；以及液晶显示面板，该液晶显示面板包括滤色片基板和液晶层。一般光源模块包括多个LED封装，其中发光芯片安装在引线框架基板上；以及印刷电路板，在其上安装有多个LED封装，并且还包括驱动基板，该驱动基板包括用于驱动光源模块和液晶显示板的驱动电路。

最近，已经要求高于HD级的高清晰度和超过100英寸的显示器，但是具有通常主要使用的复杂配置的液晶显示装置和有机发光显示装置由于产量和成本已经难以实现具有高清晰度的超过100英寸的显示装置。

技术实现要素：

技术问题

实施例涉及提供一种能够提供全色的发光模块、发光模块的制造方法、发光机壳(light-emitting cabinet)和显示装置。

实施例涉及提供一种能够实现均匀颜色和均匀亮度的发光模块、发光模块的制造方法、发光机壳和显示装置。

实施例涉及提供一种能够简化配置并且以板上芯片(COB)类型实现纤细(slimness)和高亮度的发光模块、发光模块的制造方法、发光机壳和显示装置。

实施例涉及提供一种能够以低功率驱动的发光模块、发光模块的制造方法、发光机壳和显示装置。

实施例涉及提供一种能够提高生产率和产量的发光模块、发光模块的制造方法、发光机壳和显示装置。

实施例涉及提供一种具有优异的图像和视频的线性度(linearity)的显示装置。

实施例涉及提供一种能够实现具有高分辨率的大尺寸显示装置的显示装置。

实施例涉及提供具有优异的颜色纯度和颜色再现的显示装置。

技术解决方案

实施例的显示装置包括：支撑框架；多个发光机壳，所述多个发光机壳包括在支撑框架上布置的多个发光模块，其中多个发光模块可以包括基板、在基板上直接安装的多个发光单元、以及被布置在基板上以围绕多个发光单元中的每个的黑色矩阵(black matrix)。通过设置提供全色的发光模块，实施例可以实现均匀的颜色和均匀的亮度，并且可以通过简化板上芯片(COB)类型的发光模块的配置来实现纤细和高亮度。实施例可以通过简化发光模块的配置来实现低功率驱动并且提高生产率和产量。

有益效果

通过设置提供全色的发光模块，实施例可以实现均匀的颜色和均匀的亮度。

实施例可以简化发光模块的配置并且以板上芯片(COB)类型实现纤细和高亮度。

实施例可以通过简化发光模块的配置来实现低功率驱动。

实施例可以通过简化发光模块的配置来提高生产率和产量。

由于图像和视频的优异线性，实施例的显示装置可以在超过100英寸的大尺寸显示装置中实现高分辨率。

实施例的显示装置可以通过由提供全色的发光单元实现图像和视频来实现具有优异的颜色纯度和颜色再现的显示装置。

附图说明

图1是图示第一实施例的发光模块的透视图。

图2是图示第一实施例的发光单元的横截面图。

图3是图示沿着图1中的线I-I'截取的发光模块的横截面图。

图4是图示第一实施例的发光模块的发光单元和黑色矩阵的平面图。

图5至图9是图示第一实施例的发光模块的制造方法的视图。

图10至图14是图示第二实施例的发光模块的制造方法的视图。

图15至图18是图示第三实施例的发光模块的制造方法的视图。

图19至图21是图示第四实施例的发光模块的制造方法的视图。

图22至25是图示第五实施例的发光模块的制造方法的视图。

图26是图示第二实施例的发光模块的发光单元和黑色矩阵的平面图。

图27是图示第三实施例的发光模块的发光单元和黑色矩阵的平面图。

图28是图示第四实施例的发光模块的发光单元和黑色矩阵的平面图。

图29是图示实施例的发光机壳的透视图。

图30是图示实施例的发光机壳的下部的透视图。

图31是图示实施例的第一发光机壳和第二发光机壳的下部的平面图。

图32是图示实施例的发光机壳的拐角的下部的视图。

图33是图示其中组合实施例的第一发光机壳和第二发光机壳的状态的视图。

图34是图示实施例的第一发光机壳和第二发光机壳的紧固结构的透视图。

图35是图示另一实施例的第一和第二发光机壳的耦合部分的透视图。

图36是图示实施例的显示装置的透视图。

具体实施例

可以将实施例修改为不同的形式，或者可以将各种实施例彼此组合，并且本发明的范围不限于下面要描述的每个实施例。

尽管在另一个实施例中没有描述在特定实施例中描述的事件，但是可以将其理解为另一实施例的相关描述，除非在另一个实施例中与该事件相反或冲突。

例如，当在特定实施例中描述配置A的特征并且在另一实施例中描述配置B的特征时，应理解的是，即使其中组合配置A和配置B的实施例未明确描述，只要不存在相反或相互矛盾的解释，该实施例落入本发明的范围内。

在下文中，将参考附图描述能够具体实现目的的本发明的实施例。

在根据本发明的实施例的描述中，当被陈述为形成在每个元件的“上”或“下”时，术语“在...上”或“在......下”包括两个元件直接相互(直接地)接触并且在上述两个元件之间(间接地)插入一个或多个其他元件的含义两者。此外，当其被表示为“在......上或下”时，其可以包括参考一个元件的向下方向以及向上方向的含义。

半导体器件可以包括各种电子器件，诸如发光器件和光接收器件，并且发光器件和光接收器件都可以包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。

根据实施例的半导体器件可以是发光器件。

发光器件通过电子和空穴的复合来发射光，并且光的波长由材料的独特能带隙确定。因此，发射的光可以根据材料的成分而变化。

图1是图示第一实施例的发光模块的透视图，图2是图示第一实施例的发光单元的横截面图，图3是图示沿着图1中的线I-I'截取的发光模块的横截面图，并且图4是图示第一实施例的发光模块的发光单元和黑色矩阵的平面图。

如图1至图4中所示，

第一实施例的发光模块10可以实现简化结构、纤细和高亮度，该简化结构、纤细和高亮度实现全色视频或图像。为此，第一实施例的发光模块10可以包括宽度小于500μm的发光单元100。发光单元100可以以板上芯片(COB)类型被直接安装在基板120上。虽然未在附图中示出，但是被配置为驱动发光单元100的驱动电路(未示出)可以被安装在基板120的下表面。

发光单元100可以包括第一至第三发光器件151、152和153以及模制部(molding part)170。

第一至第三发光器件151、152和153中的每个可以具有200μm或更小的宽度。也就是说，第一至第三发光器件151、152和153中的每个可以是宽度为200μm或更小的微发光器件，使得第一至第三发光器件151、152和153中的每个可以提供具有宽度小于500μm的发光单元100。该实施例可以提供0.5×0.5(mm)的单个单体发光模块10以实现能够实现全色视频或图像的简化结构、纤细和高亮度。第一至第三发光器件151、152和153可以布置为彼此隔开预定距离。第一至第三发光器件151、152和153可以在一个方向上彼此平行布置，但是不限于此。第一至第三发光器件151、152和153可以被直接安装在基板120上。例如，第一至第三发光器件151、152和153可以以COB类型被直接安装在基板120上。在第一实施例的发光模块10中，第一至第三发光器件151、152和153以COB类型被直接安装在基板120上，使得配置可以被简化，并且纤细和高亮度可以实现。

第一至第三发光器件151、152和153可以通过表面安装技术(SMT)被安装在基板120上。SMT是通过使用焊膏130将第一至第三发光器件151、152和153安装在基板120上的方法。焊膏130可以是金属膏。例如，焊膏130可以包括诸如AuSn和NiSn的合金，但是不限于此。

第一至第三发光器件151、152和153可以发射不同的颜色。例如，第一发光器件151可以发射红色波长的光，第二发光器件152可以发射绿色波长的光，并且第三发光器件153可以发射蓝色波长的光。作为另一示例，第一至第三发光器件151、152和153可以包括紫外(UV)发光层和荧光层。

第一至第三发光器件151、152和153可以包括蓝宝石基板51、发光层53、以及第一和第二发光器件电极57和59。第一至第三发光器件151、152和153可以具有倒装芯片结构，其中第一发光器件电极57和第二发光器件电极59被布置在基板120的下部处并且被直接安装在基板120上。

在第一实施例的发光模块10中，可以混合从第一至第三发光器件151、152和153发射的光以实现全色。第一至第三发光器件151、152和153的高度可以彼此相等。第一至第三发光器件151、152和153可以具有相同的高度，并且第一至第三发光器件151、152和153的蓝宝石基板51可以是100μm或更大。第一实施例可以改善光混合并且通过100μm或更大的蓝宝石基板51和相同高度的第一至第三发光器件151、152和153来实现体积光发射(volume light emission)。

第一至第三发光器件151、152和153可以以50μm或更大的距离布置。第一至第三发光器件151、152和153可以以50μm或更大的距离布置，以改善在安装工艺中由第一至第三发光器件151、152和153的摩擦引起的损坏。第一至第三发光器件151、152和153可以以50μm或更大的距离布置，以改善由于第一至第三发光器件151、152以及153中的每个的光的相互干涉引起的光损失。

模制部170可以被布置在基板120上。模制部170可以被布置在第一至第三发光器件151、152和153的上部和侧表面上。模制部170可以与基板120和第一至第三发光器件151、152和153直接接触。

模制部170的顶视图可以是方形结构，但不限于此。模制部170的顶视图形状可以对应于显示装置的像素结构。例如，模制部170的顶视图可以以诸如矩形、多边形、椭圆形、圆形等的各种形状被变化。模制部170可以包括黑色填充物171。当发光模块10不发射光时，黑色填充物171可以实现黑色的整个发光表面，使得可以提高外观质量。例如，当发光模块10被包括在显示装置中时，可以在停止驱动显示装置时实现黑色颜色的显示表面，从而可以提高外观质量。

模制部170可以保护第一至第三发光器件151、152和153，并且可以具有能够改善来自第一至第三发光器件151、152和153的光损失的厚度。例如，模制部170的上表面与第一至第三发光器件151、152和153的上表面之间的高度可以低于第一至第三发光器件151、152和153中的每个的蓝宝石基板51的高度。例如，蓝宝石基板51的高度可以是100μm，并且模制部170的上表面和第一至第三发光器件151、152和153的上表面之间的高度可以是100μm或更小。模制部170的上表面与第一至第三发光器件151、152和153的上表面之间的高度可以是50μm或更小。第一至第三发光器件151、152和153上的模制部170的高度可以小于蓝宝石基板51的高度。例如，模制部170在第一至第三光发光器件151、152和153上的高度可以小于蓝宝石基板51的50％。由于第一至第三发光器件151、152和153上的模制部170的高度低于蓝宝石基板51的高度，可以改善光的平直度(straightness)。在第一实施例中，模制部170的上表面与第一至第三发光器件151、152和153的上表面之间的高度可以被形成为低于蓝宝石基板51的高度，使得可以改善光的混合和平直度。这里，100μm的蓝宝石基板51的高度可以是用于来自于第一至第三发光器件151、152和153中的每个的体积光发射的高度，但是不限于此。例如，蓝宝石基板51的高度可以是100μm或更小。

模制部170可以在与第一至第三发光器件151、152和153相邻的侧表面之间具有预定距离。该距离可以在最靠近第一至第三发光器件151、152和153的模制部170的侧表面之间。距离可以是25μm或更大。该距离可以防止第一至第三发光器件151、152和153在其中形成模制部170之后单位发光单元(unit light-emitting unit)100被分离的锯切工艺(sawing process)中被损坏。

黑色矩阵BM可以包括防止漏光和改善外观质量的功能。黑色矩阵BM可以是不透明的有机材料。例如，黑色矩阵BM可以是黑色树脂。黑色矩阵BM可以包括与第一至第三发光器件151、152和153相对应的开口。一个开口可以对应于显示装置的一个像素，并且可以容纳一个发光单元100。黑色矩阵BM的横截面图厚度可以与发光单元100的横截面厚度相同。黑色矩阵BM可以是围绕多个发光单元100的所有外侧表面的矩阵结构。黑色矩阵BM阻挡相邻发光单元100之间的光干扰，并且在停止驱动显示装置时提供黑色颜色的屏幕，从而可以改善外观质量。

在第一实施例中，能够单独驱动的第一至第三发光器件151、152和153并且模制部170可以被直接安装在基板120上，并且可以提供简化结构的发光模块10，在简化结构的发光模块10中围绕每个发光单元100的每个侧表面的矩阵型黑色矩阵BM被布置在基板120上。也就是说，在第一实施例中，可以提供能够通过实现全色来实现视频和图像的发光模块10，并且可以通过简化发光模块10的配置来实现纤细和高亮度。

在第一实施例中，可以通过COB类型的发光模块10的结构简化电连接配置，从而可以降低功耗。

图5至图9是图示用于制造第一实施例的发光模块的方法的视图。

参考图5，在制造第一实施例的发光模块的方法中，多个第一至第三发光器件151、152和153可以被布置在第一载体膜(first carrier film)101上。

多个第一至第三发光器件151、152和153可以被布置为彼此隔开预定距离。第一至第三发光器件151、152和153可以发射不同的颜色。例如，第一发光器件151可以发射红色波长的光，第二发光器件152可以发射绿色波长的光，并且第三发光器件153可以发射蓝色波长的光。作为另一示例，第一至第三发光器件151、152和153可以包括UV发光层和荧光层。第一至第三发光器件151、152和153可以是倒装芯片，其中电极被布置在与第一载体膜101接触的下表面上，但是不限于此。第一至第三发光器件151、152和153的高度可以彼此相等。第一至第三发光器件151、152和153可以以50μm或更大的距离被布置。

第一载体膜101可以在其一个表面处包括粘合剂层。第一载体膜101可以是硅酮基(silicone-based)，但是不限于此。

参考图6，可以在第一载体膜101和多个第一至第三发光器件151、152和153上形成模制层170a。模制层170a可以包括诸如环氧(epoxy)或硅酮(silicone)的透光树脂材料。模制层170a可以与第一载体膜101和第一至第三发光器件151、152和153直接接触。模制层170a可以包括黑色填充物。当发光模块不发射光时，黑色填充物可以以黑色颜色实现整个发光表面，从而可以改善外观质量。例如，黑色填充物可以改善标牌、室内和室外电子显示板以及公共显示器中使用的发光模块的外观质量。

参考图7，单位发光单元100可以通过切割工艺(cutting process)形成。切割工艺可以通过蚀刻或物理地去除模制层来形成模制部170。然后，发光单元100可以包括与第二载体膜103的对准。发光单元100可以与第一载体膜分离并且可以在第二载体膜103上对准。对准可以是将经由第一载体膜上的切割工艺分离的发光单元100布置在第二载体膜103上以块单元实现。

参考图8，可以在第二载体膜103上形成黑色矩阵BM，以制造发光器件黑色100-1。黑色矩阵BM可以被形成为围绕第一至第三发光单元151、152和153的外侧表面。黑色矩阵BM可以通过丝网印刷工艺(screen printing process)、分配工艺(dispensing process)或注射工艺(injection process)形成，但不限于此。包括第一至第三发光单元151、152和153的发光器件块100-1可以通过改善制造发光模块的后续工艺中的可加工性来提高产量，并且因为多个发光单元100被对准，所以可以改善有缺陷的对准。

参考图9，在第一实施例的发光模块中，发光器件块100-1可以以COB类型被直接安装在基板100上。例如，发光器件块100-1可以与第二载体膜分离并且通过SMT被安装在基板120上。SMT可以使用焊膏。焊膏可以是金属膏。例如，焊膏可以包括诸如AuSn和NiSn的合金，但不限于此。

在制造图5至图9的第一实施例的发光模块的方法中，可以通过使用第一载体膜101和第二载体膜103来制造发光器件块100-1，发光器件块100-1可以通过以COB类型被直接安装在基板120上来改善加工性和产量，可以改善发光单元100的有缺陷的对准。

在第一实施例的发光模块中，不仅可以通过简化COB类型的配置来实现纤细和高亮度，而且还可以通过简化电连接配置来降低功耗。

图10至图14是图示用于制造第二实施例的发光模块的方法的视图。

参考图10和11，制造第二实施例的发光模块的方法可以采用制造图5和6的第一实施例的发光模块的方法的技术特征。

参考图12，单位发光单元100可以通过切割工艺被形成在第一载体膜101上。切割工艺可以通过蚀刻或物理地去除模制层来形成模制部170。

参考图13，单位发光单元100可以以COB类型被直接安装在基板120上。例如，发光单元100可以与第一载体膜分离并且通过SMT被安装在基板120上。SMT可以使用焊膏。焊膏可以是金属膏。例如，焊膏可以包括诸如AuSn和NiSn的合金，但不限于此。

参考图14，可以在基板120上形成黑色矩阵BM，以制造发光器件黑100-1。黑色矩阵BM可以被形成为围绕第一至第三发光单元151、152和153的外侧表面。黑色矩阵BM可以通过丝网印刷工艺、分配工艺或注射工艺形成，但不限于此。

在制造图10至图14中所示的第二实施例的发光模块的方法中，在第一载体膜101上制造单位发光单元100以形成黑色矩阵BM之后，单位发光单元100可以以COB类型被直接安装在基板120上。

在第二实施例的发光模块中，不仅可以通过简化COB类型的配置来实现纤细和高亮度，而且还可以通过简化电连接配置来降低功耗。

图15至图18是图示用于制造第三实施例的发光模块的方法的视图。

参考图15，多个第一至第三发光器件151、152和153可以以COB类型被直接安装在基板120上。第一至第三发光器件151、152和153可以通过SMT被安装在基板120上。SMT可以使用焊膏。焊膏可以是金属膏。例如，焊膏可以包括诸如AuSn和NiSn的合金，但不限于此。

参考图16，模制层170a可以被形成在基板120和多个第一至第三发光器件151、152和153上。模制层170a可以包括诸如环氧或硅酮的透光树脂材料。模制层170a可以与基板120和第一至第三发光器件151、152和153直接接触。模制层170a可以包括黑色填充物。当发光模块不发射光时，黑色填充物可以以黑色颜色实现整个发光表面，从而可以改善外观质量。

参考图17，可以通过切割工艺在基板120上形成单位发光单元100。切割工艺可以通过蚀刻或物理地去除模制层来形成模制部170。

参考图18，黑色矩阵BM可以被形成在基板120上。黑色矩阵BM可以形成为围绕发光单元100的外侧表面。黑色矩阵BM可以由丝网印刷工艺、分配工艺或注射工艺形成，但不限于此。

在制造图15至图18的第三实施例的发光模块的方法中，第一至第三发光器件151、152和153可以以COB类型被直接安装在基板120上，以形成模制部170和黑色矩阵BM，从而可以简化制造工艺。

在第三实施例的发光模块中，不仅可以通过简化COB类型的配置来实现纤细和高亮度，而且还可以通过简化电连接配置来降低功耗。

图19至图21是图示用于制造第四实施例的发光模块的方法的视图。

参考图19，多个第一至第三发光器件151、152和153可以以COB类型被直接安装在基板120上。第一至第三发光器件151、152和153可以通过SMT被安装在基板120上。SMT可以使用焊膏。焊膏可以是金属膏。例如，焊膏可以包括诸如AuSn和NiSn的合金，但不限于此。

参考图20，黑色矩阵BM可以被形成在基板120上。黑色矩阵BM可以与多个第一至第三发光器件151、152和153隔开预定距离。黑色矩阵BM可以形成包括第一至第三发光器件151、152和153中的每个的腔体131。黑色矩阵BM可以形成矩阵型的分隔壁(partition wall)以形成腔体131。黑色矩阵BM可以通过丝网印刷工艺、分配工艺或注射工艺形成，但不限于此。

参考图21，模制部170可以被形成在由黑色矩阵BM形成的腔体中。可以通过传递模制(transfer molding)、分配模制(dispensing molding)、压缩模制和丝网印刷方法中的一种在基板120上形成模制部170。模制层170a可以与黑色矩阵BM、基板120和第一至第三发光器件151、152和153直接接触。模制层170a可以包括黑色填充物。当发光模块不发射光时，黑色填充物可以以黑色颜色实现整个发光表面，从而可以改善外观质量。

在制造图19至图21的第四实施例的发光模块的方法中，在将第一至第三发光器件151、152和153以COB类型被直接安装在基板120上并且形成黑色矩阵BM以消除制造第三实施例的发光模块的方法的切割工艺之后形成模制部170，从而可以简化制造工艺。

在第四实施例的发光模块中，不仅可以通过简化COB类型的配置来实现纤细和高亮度，而且还可以通过简化电连接配置来降低功耗。

图22至25是图示用于制造第五实施例的发光模块的方法的视图。

参考图22，黑色矩阵BM可以被形成在基板220上。黑色矩阵BM可以以预定距离彼此隔开。黑色矩阵BM可以通过丝网印刷工艺、分配工艺或注射工艺形成，但不限于此。黑色矩阵BM可以以矩阵类型形成分隔壁。

参考图23，可以通过使用黑色矩阵BM作为掩模蚀刻基板220来形成腔体231。尽管未在附图中示出，但是基板垫(substrate pad)(未示出)可以暴露在腔体231的底表面上。

参考图24，多个第一至第三发光器件151、152和153可以以COB类型被直接安装在腔体231的底表面上的基板220上。第一至第三发光器件151、152和153可以通过SMT被安装在基板220上。SMT可以使用焊膏。焊膏可以是金属膏。例如，焊膏可以包括诸如AuSn和NiSn的合金，但不限于此。

参考图25，模制部170可以被形成在由黑色矩阵BM形成的腔体中。可以通过传递模制、分配模制、压缩模制和丝网印刷方法中的一种在基板220上形成模制部170。模制部170可以与黑色矩阵BM、基板220和第一至第三发光器件151、152和153直接接触。模制部170可以包括黑色填充物。当发光模块不发射光时，黑色填充物可以以黑色颜色实现黑色的整个发光表面，从而可以改善外观质量。

在图22至图25中，在制造第五实施例的发光模块的方法中，可以在基板220上形成黑色矩阵BM，可以蚀刻基板220以形成腔体231，然后第一至第三发光器件151、152和153可以以COB类型被直接安装在腔体231的底表面上的基板220上，并且可以形成模制部170，从而制造第三实施例的发光模块的制造方法的切割过程可以被去除，由此简化制造工艺。

在第五实施例的发光模块中，不仅可以通过简化COB类型的配置来实现纤细和高亮度，而且还可以通过简化电连接配置来降低功耗。

图26至28是图示第二至第四实施例的发光单元和黑色矩阵的平面图。

参考图26，除了第一至第三发光器件251、252和253之外，第二实施例的发光单元200可以采用图1至图4的第一实施例的发光单元100的技术特征。

第一至第三发光器件251、252和253可以被布置在与第一实施例的第一至第三发光器件151、152和153正交的方向上。

参考图27，除了第一至第三发光器件351、352和353之外，第三实施例的发光单元300可以采用图1至图4的第一实施例的发光单元100的技术特征。

第一至第三发光器件351、352和353可以具有在一个方向上重叠的重叠区域，或者可以不具有重叠区域。例如，当第一至第三发光器件351、352和353在一个方向上具有重叠区域时，重叠区域可以是第一至第三发光器件351、352和353中的每个的宽度的1/3或更小。重叠区域可以是第一至第三发光器件351、352和353中的每个的宽度的1/4或更小。重叠区域可以是第一至第三发光器件351、352和353中的每个的宽度的10％或更小。当重叠区域较小时，可以改善光干扰和光效率。当第一至第三发光器件351、352和353在一个方向上具有重叠区域时，可以减小第一至第三发光器件351、352和353之间的光干扰，从而可以提高光效率。

第一发光器件351可以被布置为与发光单元300的第一拐角相邻，并且第二发光器件352可以被布置为与发光单元300的第二拐角相邻。第一和第二拐角可以在一个方向上被平行布置。第三发光器件353可以被布置为相邻于连接与第一和第二拐角对称的第三和第四拐角的发光单元300的侧部。

参考图28，除了第一至第三发光器件451、452和453之外，第四实施例的发光单元400可以采用图1至图4的第一实施例的发光单元100的技术特征。

第一发光器件451可以是垂直型，其中电极被布置在上部和下部处。第一发光器件451可以发射具有红色波长的光。第一发光器件451可以是垂直型，以提高红光提取效率和可靠性。第一发光器件451还可以包括将基板连接到在其上部处暴露的发光器件电极(未示出)的导线451W。

尽管在参考图26至图28的第二至第四实施例的发光单元200、300和400中，限制性地描述发光器件的形状、排列和类型，但是不限于此，并且可以不同地改变发光器件的形状和排列结构。

图29是图示实施例的发光机壳的透视图，图30是图示实施例的发光机壳的下部的透视图，图31是图示实施例的第一和第二发光机壳的下部的平面图，图32是图示实施例的发光机壳的拐角的下部的图，图33是图示其中组合实施例的第一发光机壳和第二发光机壳的状态的图，并且图34是图示实施例中的第一发光机壳和第二发光机壳的紧固结构的透视图。

如图29和图30中所示，实施例的发光机壳1000可以包括多个发光模块10a和10b。在实施例中描述包括两个第一和第二发光模块10a和10b的结构，但是不限于此。发光机壳1000可以是最小单元的显示装置。

发光机壳1000可以包括第一和第二发光模块10a和10b以及用于支撑第一和第二发光模块10a和10b的下表面的支撑框架1010。这里，第一发光模块10a和第二发光模块10b的上表面可以是其中布置有发光单元的显示区域，并且其下表面可以是其中安装有驱动电路的非显示区域。

第一发光模块10a和第二发光模块10b中的每个可以采用图1至图28的发光模块的技术特征。

支撑框架1010可以支撑第一发光模块10a和第二发光模块10b，并且可以包括散热的功能。支撑框架1010可以包括多个开口1015。开口1015可以减小支撑框架1010的重量，并且不仅防止第一发光单元10a和第二发光单元10b与暴露于下表面的驱动电路接触，而且提高散热效率。

支撑框架1010可以包括平坦结构的一个表面1011，并且一个表面1011可以与第一发光模块10a和第二发光模块10b的下表面直接接触。

支撑框架1010可以包括四个外侧表面1013和多个突起1018，并且多个容纳槽(accommodating groove)1019可以被布置在四个外侧表面1013上。例如，支撑框架1010具有多个突起1018，所述多个突起1018被布置在彼此对称的第一外侧表面上，并且多个容纳槽1019可以被布置在与第一外侧表面正交并且彼此对称的第二外侧表面上。多个突起1018和容纳槽1019可以具有主要固定相邻支撑框架的功能。

支撑框架1010可以包括沿着边缘突出的多个紧固部1017。

例如，参考图30和31，当第一发光机壳1000a和第二发光机壳1000b彼此连接时，第一发光机壳1000a的支撑框架1010的多个突起1018可以插入到第二发光机壳1000b的支撑框架1010的多个容纳槽1019中。可以改变容纳槽1019的深度和突起1018的突出长度，使得第一发光模块10a和第二发光模块10b的侧部可以彼此接触而没有翘曲。这里，第一发光模块10a和第二发光模块10b的彼此接触的侧部可以是分别被包括在第一发光模块10a和第二发光模块10b中的基板。

将参考图30至图33更详细地描述。

参考图30至图33，发光模块10的四个边缘的侧部可以向外突出超过支撑框架1010的四个边缘的侧部。发光模块10的一个侧部和支撑框架1010的相应侧部之间的距离W可以是0.5至2.0mm。当彼此相邻的第一发光机壳1000a和第二发光机壳1000b被连接时，向外突出超过支撑框架1010的侧部的发光模块10的侧部可以与第一发光模块10a和第二发光模块10b的侧表面直接接触。彼此相邻的第一发光机壳1000a和第二发光机壳1000b可以布置成使得突起1018和容纳槽1019沿着其外侧表面彼此面对。可以改变突起1018的长度和容纳槽1019的深度，使得彼此相邻的第一发光模块10a和第二发光模块10b的侧部可以彼此接触而没有翘曲。例如，当距离W为0.5mm时，突起1018的长度可以比容纳槽1019的深度大1.0mm。参考图33，突起1018可以被暴露了1.0mm。本实施例的突起1018的长度和容纳槽1019的深度可以根据距离W而改变，使得彼此相邻的第一发光模块10a和第二发光模块10b的侧部可以接触彼此而没有翘曲。

也就是说，向外突出超过支撑框架1010的发光模块10可以通过相邻的第一发光模块10a和第二发光模块10a的侧表面接触来无缝地实现相邻的第一发光模块10a和第二发光模块10b。

参考图33和34，实施例可以包括连接彼此相邻的第一和第二发光机壳1000a和1000b的第一紧固部1017a和第二紧固部1017b。第一紧固部1017a和第二紧固部1017b可以采用图30中的紧固部1017的技术特征。

第一紧固部1017a和第二紧固部1017b可以彼此面对。

通过插入穿过第一紧固部1017a和第二紧固部1017b的紧固孔的紧固构件1100，可以二次地固定第一发光机壳1000a和第二发光机壳1000b。

图35是图示另一实施例的第一发光机壳和第二发光机壳的耦合部分的透视图。

参考图35，另一示例的第一发光机壳1000a和第二发光机壳1000b可以包括沿其外侧表面的突起(未示出)和狭槽(slit groove)1014。与在图30的实施例的发光机壳100中设置的多个容纳槽1019和多个突起1018相比较，狭槽1014和突起(未示出)可以通过加宽接触面积来实现相邻的第一发光机壳1000a和第二发光机壳1000b的稳定固定。

图29至图35中所示的发光机壳1000支撑多个发光模块10a和10b，并且限制性地描述用于在相邻的第一发光机壳1000a和第二发光机壳1000b之间稳定固定的耦合结构，但是不限于此，并且耦合结构可以不同地改变。

通过包括能够提供全色的发光模块10，本实施例的发光机壳1000可以实现均匀的颜色和均匀的亮度。

通过包括COB类型的发光模块10，本实施例的发光机壳1000可以简化配置并实现纤细和高亮度，并且可以通过简化电连接结构来降低功耗。

通过包括COB类型的发光模块10，实施例的发光机壳1000可以提高生产率和产量。

实施例的发光机壳1000可以包括能够提供全色的发光模块10，从而可以提供具有优异的图像和视频的线性度的显示装置。

实施例的发光机壳1000可以包括能够提供全色的发光模块10，从而可以提供具有优异的颜色纯度和颜色再现的视频或图像。

图36是图示实施例的显示装置的透视图。

如图29至图36中所示，该实施例的显示装置2000可以包括多个发光机壳1000。实施例的显示装置2000将被描述为诸如电子显示板的超过100英寸的大显示装置的示例。

多个发光机壳1000可以包括发光模块10a和10b，在发光模块10a和10b中全色发光单元被布置在黑色矩阵的容纳部中，在发光单元中多个发光器件以COB类型被直接安装在驱动基板上。发光模块10a和10b可以采用图1至图28的技术特征。

实施例的显示装置2000不仅可以简化显示装置的配置，还可以通过包括可以提供全色的包括发光单元的发光模块来同时实现纤细。

实施例的显示装置2000通过包括提供全色的发光器件来实现视频和图像，并且因此具有优异的颜色纯度和颜色再现的优点。

实施例的显示装置2000可以通过包括COB类型的发光模块来简化配置并且实现纤细和高亮度，并且可以通过简化电连接的配置来降低功耗。

通过包括COB类型的发光模块，实施例的显示装置2000可以提高生产率和产量。

实施例的显示装置2000可以提供显示装置，其通过包括能够提供全色的发光模块10a和10b而具有优异的图像和视频线性。

实施例的显示装置2000可以通过包括能够提供全色的发光模块10a和10b来提供在颜色纯度和颜色再现中优异的图像和视频。

实施例的显示装置2000通过具有优异线性度的发光器件实现视频和图像，并且因此可以实现超过100英寸的清晰的大显示装置。

实施例可以以低成本实现具有高分辨率的超过100英寸的大显示装置。

发光器件封装可以显示图像和视频，但不限于此，可以应用于照明单元、背光单元、指示装置、灯、路灯、车辆照明装置、车辆显示装置、智能手表等，但不限于此。

当用作图像显示装置的背光单元时，当用作照明装置的光源时，发光器件封装可以被用作边缘型背光单元(edge type back light unit)或直下型背光单元(direct type back light unit)，可以用作灯装置或灯泡类型，并且可以用作移动装置的光源。

除了上述发光二极管之外，半导体器件还具有激光二极管。

与半导体器件类似，激光二极管可以包括上述结构的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。另外，激光二极管使用当在p型第一导电类型半导体和n型第二导电类型半导体的接合之后电流流动时发射光的电致发光现象，但是其在被发射的光的方向和相位中具有差异。也就是说，激光二极管可以通过使用受激发射现象和增强干涉现象以相同的相位和相同的方向发射具有一个特定波长的光(单色光束)，并且因此由于这种特性可以被用于光通信或医疗设备和半导体工艺设备。

光接收装置的示例可以包括光电检测器(photodetector)，其是一种变换器(transducer)，其将检测到的光的强度转换成电信号。这种光电探测器可以包括光电池(硅、硒)、光电导器件(硫化镉、硒化镉)、光电二极管(PD)(例如，在可见盲光谱区域(visible blind spectral region)或真盲光谱区域(true blind spectral region)具有峰值波长的PD)、光电晶体管、光电倍增管、光电管(真空、气体密封)、红外(IR)检测器等，但实施方案不限于此。

另外，可以通过使用具有优异光转换效率的直接带隙半导体来制造像光电探测器那样的半导体器件。可替选地，存在各种光电探测器的结构，并且光电探测器的最一般结构包括使用p-n结的pin型光电探测器、使用肖特基结的肖特基型光电探测器和金属半导体金属(MSM)型光电探测器。

与半导体器件类似，光电二极管可以包括上述结构的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，并且配置有p-n结或pin结构。通过施加反向偏压或零偏压来操作光电二极管，并且当光入射到光电二极管上时，产生电子和空穴并且电流流动。在这种情况下，电流的大小几乎与入射在光电二极管上的光的强度成比例。

光电池或太阳能电池是一种光电二极管，并且可以将光转换成电流。与半导体器件类似，太阳能电池可以包括上述结构的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。

另外，其可以用作通过使用p-n结对通用二极管的特性进行整流的电子电路的整流器，并且可以通过应用于非常高频电路来被应用于振荡电路等。

此外，上述半导体器件不仅由半导体实现，并且在一些情况下还可以包括金属材料。例如，像光接收器件的半导体器件可以用Ag、Al、Au、In、Ga、N、Zn、Se、P和As中的至少一种来实现，并且可以用掺杂有p型或n型掺杂剂的半导体材料或本征半导体材料来实现。

在上面主要描述了实施例。然而，它们仅是示例并且不限制本发明。本领域技术人员可以理解，在不脱离实施例的本质特征的情况下，可以进行上面未呈现的若干变形和应用。例如，可以改变实施例中具体表示的每个组件。另外，应理解，与这种变化和这种应用相关的差异包括在以下权利要求中限定的本发明的范围内。