一种用于数字化高压电源的绝缘机箱的制作方法

本发明涉及电子电路技术领域，特别是涉及一种用于数字化高压电源的绝缘机箱。

背景技术：

直流高压电源用途很多，主要包括x光机高压电源，激光高压电源，光谱分析高压电源，无损探伤高压电源，半导体制造设备高压电源，毛细管电泳高压电源，无损检测高压电源，半导体技术中的粒子注入高压电源、物理汽相沉积高压电源(pvd)，纳米光刻高压电源，以及微波加热、射频放大、纳米技术应用、静电技术应用、静电纺丝制备纳米纤维、核仪器用高压电源等。

直流高压电源特点是体积小、重量轻、效率高、功率大、纹波小、储能低和高稳定度、高可靠性。其技术发展方向主要有两个，一是提高电源功率，即高电压、高电流；二是缩小电源体积，即高电压，小体积。

高压绝缘，高转换效率，高负载，高精度，低纹波，是高压电源设计的研究方向。

传统的直流高压电源采用金属质机箱，由于机箱内设置有电路板以及电容、线圈等电子电路元器件，为了避免金属质机箱与电路板和电子元器件发生干涉，需要保留相当的空间和距离，这就不可避免的造成了电源机箱的尺寸较大，难以小型化和微型化。

技术实现要素：

针对现有技术中存在的缺陷和不足，本发明的目的在于提供一种用于数字化高压电源的绝缘机箱。

本发明的技术方案如下：

一种用于数字化高压电源的绝缘机箱，其特征在于：所述机箱的各板壁为复合板结构，至少包括位于内侧的硅胶层和位于硅胶层外侧的改性塑料层。

进一步的技术方案包括，所述硅胶层和改性塑料层通过热压复合为一体化复合板结构。

进一步的技术方案包括，所述改性塑料为聚碳酸酯和聚丙烯腈为主料，在辅料作用下，经加热混合而成。

进一步的技术方案包括，所述聚碳酸酯与聚丙烯腈按照重量配比为50～65：15～30。

进一步的技术方案包括，所述聚碳酸酯与聚丙烯腈按照重量配比为55～65：15～25。

进一步的技术方案包括，所述聚碳酸酯与聚丙烯腈按照重量配比为60～65：15～20。

进一步的技术方案包括，所述聚碳酸酯与聚丙烯腈按照重量配比为62：25。

进一步的技术方案包括，所述辅料包括相容剂mma接枝聚乙烯、增韧剂马来酸酐接枝聚乙烯以及抗氧化剂。

进一步的技术方案包括，所述辅料中，相容剂：增韧剂：抗氧化剂的重量配比为2～10：2～10：1。

进一步的技术方案包括，所述复合板结构还包括设置于最外层的金属质板。

本发明的技术效果在于：

本发明通过采用硅胶层和改性塑料热压复合为一体的板壁结构，用于直流高压电源机箱中，取代传统的金属制机箱，一方面可以保证机箱的结构强度和刚性，另一方面，相对于金属质机箱，硅胶层具有良好的绝缘性能，改性塑料层不但具有很好的强度和阻燃性，还具有一定的绝缘性能，不用担心机箱内电路板以及电容、线圈等元器件与机箱发生相互作用，可以最大限度的缩小机箱的尺寸，有利于直流高压电源小型化、微型化。

本发明还提供制备改性塑料的原料配比方案，制备的改性塑料可塑性良好。

附图说明

图1所示为机箱为双层复合板结构示意图。

图2所示为机箱为三层复合板结构示意图。

具体实施方式

以下结合具体实施例对本发明做进一步说明。

本发明的数字化直流高压电源机箱采用双层或多层的复合板结构。

实施例1

双层复合板结构，如图1所示，包括内层的硅胶层1和外层的改性塑料层2并经热压复合为一体板材结构。

其中，改性塑料采用聚碳酸酯和聚丙烯腈为主料，在辅料作用下，经加热混合而成。

辅料包括相容剂mma接枝聚乙烯、增韧剂马来酸酐接枝聚乙烯以及抗氧化剂。

具体的物料配比为：聚碳酸酯与聚丙烯腈按照重量配比为50～65：15～30，进一步的优化选择为聚碳酸酯与聚丙烯腈按照重量配比为55～65：15～25，再进一步的优化选择为聚碳酸酯与聚丙烯腈按照重量配比为60～65：15～20，最优配比为聚碳酸酯与聚丙烯腈按照重量配比为62：25。

辅料中，相容剂：增韧剂：抗氧化剂的重量配比为2～10：2～10：1。

实施例2

三层复合板结构，如图2所示，包括位于内层的硅胶层1，位于最外层的金属质层3，以及位于硅胶层和金属质层中间的改性塑料层2。

实施例3

多层复合板结构，在实施例2的三层复合板结构的基础上，还可以增设硅胶层或改性塑料层或金属质层，以按照所需的技术参数提高绝缘性能或机箱的刚性或强度。

以上所述仅为本发明的优选实施方式，对于本领域的技术人员而言，依据本发明公开的技术内容和实质，还可以做出其它的变型和改进，但这些变型和改进均将包涵于本发明的保护范围。

技术特征：

技术总结
本发明提供一种用于数字化高压电源的绝缘机箱，其特征在于：所述机箱的各板壁为复合板结构，至少包括位于内侧的硅胶层和位于硅胶层外侧的改性塑料层。本发明可以最大限度的缩小机箱的尺寸，有利于直流高压电源小型化、微型化。

技术研发人员：高永亮;高永明;陆雨;高俊霞
受保护的技术使用者：咸阳威思曼高压电源有限公司
技术研发日：2018.11.20
技术公布日：2019.04.12