本实用新型涉及到音频功率放大技术领域，尤其涉及到一种耳机功率放大器。
背景技术：
甲类功放是重播音乐的理想选择，它能提供非常平滑的音质，音色圆润温暖，高音透明开扬；甲类功放声音上有饱满通透的优点，甲类功放使三极管始终工作于线性区，因此甲类功放几乎无失真，听感上质感特别好，尤其是小信号时，整个声音通透细节丰富。
目前的甲类功放电路结构复杂，造价居高不下。
因此，现有技术存在缺陷，需要改进。
技术实现要素：
本实用新型提供一种耳机功率放大器,解决的上述问题。
为解决上述问题，本实用新型提供的技术方案如下：
一种耳机功率放大器，包括电源VCC、电阻R1-R9、电位器RP1-RP2、电容C1-C6、三极管Q1-Q4、输入接口D1和输出接口D2；所述电源VCC分别与所述电阻R1的第二端、所述电阻R2、R9的第一端、所述电容C2的第一端、所述三极管Q1的集电极连接；所述电阻R1的第一端分别与所述电容C1的第二端、所述电位器RP1的第一端连接；所述电容C1的第一端、所述电容C2的第二端均接地；所述输入接口D1的第一端与所述电容C4的第一端连接；所述电容C4的第二端分别与所述电阻R6的第一端、所述三极管Q2的基极、所述电位器RP1的第二端、滑动端连接；所述三极管Q2的发射极分别与所述电阻R3-R4的第一端连接；所述电阻R3的第二端分别与所述电容C3的第二端、所述三极管Q1的发射极、所述电容C5的第一端、所述三极管Q4的集电极连接；所述电容C3的第一端分别与所述电阻R2、R9的第二端、所述电位器RP2的第一端连接；所述三极管Q3的集电极分别与所述三极管Q1的基极、所述电位器RP2的第二端、滑动端连接；所述电阻R4的第二端与所述电容C6的第一端连接；所述三极管Q2的集电极分别与所述电阻R7的第一端、所述三极管Q3的基极连接；所述三极管Q3的发射极分别与所述电阻R8的第一端、所述三极管Q4的基极连接；所述电容C5的第二端分别与所述电阻R5的第一端、所述输出接口D2的第一端连接；所述电阻R5-R8的第二端、所述电容C6的第二端、所述三极管Q4的发射极、所述输入接口D1的第二端、所述输出接口D2的第二端均接地。
优选的技术方案，所述三极管Q1、Q4均为NPN型三重扩散硅晶体管；所述三极管Q2为PNP型晶体管；所述三极管Q3为NPN型晶体管。
优选的技术方案，所述电阻R1的阻值为39KΩ；所述电阻R2、R4、R9的阻值均为200Ω；所述电阻R3的阻值为2.7KΩ；所述电阻R5的阻值为10KΩ；所述电阻R6的阻值为100KΩ；所述电阻R7的阻值为8.2KΩ；所述电阻R8的阻值为2.2KΩ。
优选的技术方案，所述电容C1、C3、C6的电容量值均为220μF；所述电容C2的电容量值为10000μF；所述电容C4的电容量值为2.2μF；所述电容C5的电容量值为3300μF。
优选的技术方案，所述电源VCC为直流电源。
优选的技术方案，所述三极管Q1、Q4的型号为2SC5200；所述三极管Q2的型号为2N5401；所述三极管Q3的型号为2N5551。
相对于现有技术的有益效果是，采用上述方案，本实用新型电路结构简单，易于调试，所使用元器件数量较少，降低了成本；具有甲类功放的优点，音色温润，工作可靠。
附图说明
为了更清楚的说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需使用的附图作简单介绍，显而易见的，下面描述中的附图仅仅是实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型的一种耳机功率放大器电路原理图。
具体实施方式
为了便于理解本实用新型，下面结合附图和具体实施例，对本实用新型进行更详细的说明。附图中给出了本实用新型的较佳的实施例。但是，本实用新型可以以许多不同的形式来实现，并不限于本说明书所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容的理解更加透彻全面。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本说明书所使用的术语“固定”、“一体成型”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，在图中，结构相似的单元是用以相同标号标示。
除非另有定义，本说明书所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本说明书中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是用于限制本实用新型。
如图1所示，本实用新型的一个实施例是：
一种耳机功率放大器，包括电源VCC、电阻R1-R9、电位器RP1-RP2、电容C1-C6、三极管Q1-Q4、输入接口D1和输出接口D2；所述电源VCC分别与所述电阻R1的第二端、所述电阻R2、R9的第一端、所述电容C2的第一端、所述三极管Q1的集电极连接；所述电阻R1的第一端分别与所述电容C1的第二端、所述电位器RP1的第一端连接；所述电容C1的第一端、所述电容C2的第二端均接地；所述输入接口D1的第一端与所述电容C4的第一端连接；所述电容C4的第二端分别与所述电阻R6的第一端、所述三极管Q2的基极、所述电位器RP1的第二端、滑动端连接；所述三极管Q2的发射极分别与所述电阻R3-R4的第一端连接；所述电阻R3的第二端分别与所述电容C3的第二端、所述三极管Q1的发射极、所述电容C5的第一端、所述三极管Q4的集电极连接；所述电容C3的第一端分别与所述电阻R2、R9的第二端、所述电位器RP2的第一端连接；所述三极管Q3的集电极分别与所述三极管Q1的基极、所述电位器RP2的第二端、滑动端连接；所述电阻R4的第二端与所述电容C6的第一端连接；所述三极管Q2的集电极分别与所述电阻R7的第一端、所述三极管Q3的基极连接；所述三极管Q3的发射极分别与所述电阻R8的第一端、所述三极管Q4的基极连接；所述电容C5的第二端分别与所述电阻R5的第一端、所述输出接口D2的第一端连接；所述电阻R5-R8的第二端、所述电容C6的第二端、所述三极管Q4的发射极、所述输入接口D1的第二端、所述输出接口D2的第二端均接地。
优选的，所述三极管Q1、Q4均为NPN型三重扩散硅晶体管；所述三极管Q2为PNP型晶体管；所述三极管Q2为NPN型晶体管。
优选的，所述电阻R1的阻值为39KΩ；所述电阻R2、R4、R9的阻值均为200Ω；所述电阻R3的阻值为2.7KΩ；所述电阻R5的阻值为10KΩ；所述电阻R6的阻值为100KΩ；所述电阻R7的阻值为8.2KΩ；所述电阻R8的阻值为2.2KΩ。
优选的，所述电容C1、C3、C6的电容量值均为220μF；所述电容C2的电容量值为10000μF；所述电容C4的电容量值为2.2μF；所述电容C5的电容量值为3300μF。
优选的，所述电源VCC为直流电源。
优选的，所述三极管Q1、Q4的型号为2SC5200；所述三极管Q2的型号为2N5401；所述三极管Q3的型号为2N5551。
需要说明的是，上述各技术特征继续相互组合，形成未在上面列举的各种实施例，均视为本实用新型说明书记载的范围；并且，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本实用新型所附权利要求的保护范围。