一种用于小型化ODU接收通道的本振电路的制作方法

本实用新型属于通信技术领域，特别是涉及一种适用于卫星通信小型化ODU接收通道的本振电路。

背景技术：

在卫星通信设备中，ODU(Out-door Unit)是指室外单元，主要包括频率变换和功率放大，具体又可以分为发射通道和接收通道，发射通道通常是指BUC(Block Up-Converter)，即上变频功率放大器，接收通道主要是指LNB(Low Noise Block down-converter)，即低噪声放大、变频器。

在卫星通信设备中，通常需要本振电路作为振荡信号源，而在接收通道中本振电路产生的振荡频率通常需要能够调整，以满足对不同接收频率的应用需求。另外，由于接收的卫星信号会存在多普勒效应而发生频偏，也希望能够使得本振电路产生的振荡信号源的频率能够适应这种变化的接收信号频率。

并且，随着卫星通信设备小型化发展趋势，也希望其中的各部分组成电路具有占用空间少、功耗低、稳定性高等优势。

技术实现要素：

本实用新型主要解决的技术问题是提供一种用于小型化ODU接收通道的本振电路，解决现有技术中频率不便于调控，以及电路组成复杂、元器件多和功耗大的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是提供一种用于小型化ODU接收通道的本振电路，包括依次串接的频率合成器、本振放大器、本振倍频器和本振滤波器，所述频率合成器与单片机电连接，所述单片机控制所述频率合成器的产生的信号频率，所述本振放大器对所述信号进行功率放大，再由所述本振倍频器对所述信号的频率进行倍频，所述本振滤波器则对倍频后的信号进行滤波输出。

在本实用新型用于小型化ODU接收通道的本振电路另一实施例中，所述频率合成器包括依次串接的鉴相器、环路滤波器和压控振荡器，所述鉴相器的第一参考源输入端用于与外部参考源电连接，所述外部参考源通过所述第一参考源输入端向所述鉴相器输入参考频率信号，所述鉴相器的数控接口对应电连接所述单片机，所述单片机通过所述数控接口向所述鉴相器输入频率控制参数，所述鉴相器的鉴相输出端电连接所述环路滤波器的输入端，所述环路滤波器的输出端电连接所述压控振荡器的电压控制端，所述压控振荡器的振荡信号输出端输出合成信号，并且所述振荡信号输出端还与所述鉴相器的第二参考源输入端电连接，使得所述合成信号通过所述第二参考源输入端进入所述鉴相器。

在本实用新型用于小型化ODU接收通道的本振电路另一实施例中，所述本振放大器包括芯片ECG001F-G。

在本实用新型用于小型化ODU接收通道的本振电路另一实施例中，所述本振倍频器包括芯片HMC369LP3E。

在本实用新型用于小型化ODU接收通道的本振电路另一实施例中，所述本振滤波器为微带滤波器。

在本实用新型用于小型化ODU接收通道的本振电路另一实施例中，所述微带滤波器包括设置在陶瓷基板上的5个U型的微波金属带，所述微波金属带依次间隔排列且呈中心对称分布，其中第一微波金属带开口向上且位于对称中心，所述第二微波金属带和第三微波金属带均开口向下，分别位于所述第一微波金属带的左侧和右侧，第四微波金属带开口向上且位于所述第二微波金属带的左侧，所述第四微波金属带的左分支上横向延伸为第一端口，第五微波金属带开口向上且位于所述第三微波金属带的右侧，所述第五微波金属带的右分支上横向延伸为第二端口。

在本实用新型用于小型化ODU接收通道的本振电路另一实施例中，所述鉴相器包括芯片ADF4106，所述环路滤波器包括运算放大器芯片AD797，所述芯片ADF4106的CP端通过串接第一RC网络与所述芯片AD797的负向输入端电连接，所述芯片AD797的正向输入端则通过第二RC网络接直流5V电压，所述芯片AD797的负向输入端还通过第三RC网络与所述芯片AD797的输出端电连接。

在本实用新型用于小型化ODU接收通道的本振电路另一实施例中，所述压控振荡器包括芯片SMV5000E，所述芯片SMV5000E电压输入端与所述芯片AD797的输出端电连接，所述芯片SMV5000E的振荡信号输出端通过电阻网络连接到所述芯片ADF4106的RFin_A端。

在本实用新型用于小型化ODU接收通道的本振电路另一实施例中，所述单片机是芯片ATTINY9，所述芯片ATTINY9的三个I/O端分别对应连接所述芯片ADF4106的使能端、数据端和时钟端，并且三个所述I/O端均并联一个电阻而接地。

在本实用新型用于小型化ODU接收通道的本振电路另一实施例中，所述本振电路还包括电压转换电路，所述电压转换电路将5V直流电压转换为3.3V直流电压，并且分别独立向所述芯片ATTINY9和所述芯片ADF4106提供3.3V直流电压供电。

本实用新型的有益效果是：本实用新型公开了一种用于小型化ODU接收通道的本振电路，包括依次串接的频率合成器、本振放大器、本振倍频器和本振滤波器，频率合成器与单片机电连接，单片机控制所述频率合成器的产生的信号频率，本振放大器对产生的信号进行功率放大，再由本振倍频器对信号的频率进行倍频，本振滤波器则对倍频后的信号进行滤波输出。还进一步公开了上述电路中使用的芯片及接口网络的组成。该本振电路应用于小型化ODU接收通道，能够通过参数配置的方式更改所需的合成信号频率，同时还具有稳定可靠的特点，在节省功耗、减少体积、降低成本方面也具有优势。

附图说明

图1是本实用新型用于小型化ODU接收通道的本振电路一实施例组成框图；

图2是本实用新型用于小型化ODU接收通道的本振电路一实施例中频率合成器组成框图；

图3是本实用新型用于小型化ODU接收通道的本振电路另一实施例中鉴相器电路图；

图4是本实用新型用于小型化ODU接收通道的本振电路另一实施例中有源环路滤波器电路图；

图5是本实用新型用于小型化ODU接收通道的本振电路另一实施例中无源环路滤波器电路图；

图6是本实用新型用于小型化ODU接收通道的本振电路另一实施例的环路滤波器电路图；

图7是本实用新型用于小型化ODU接收通道的本振电路另一实施例的单片机电路图；

图8是本实用新型用于小型化ODU接收通道的本振电路另一实施例的压控振荡器电路图；

图9是本实用新型用于小型化ODU接收通道的本振电路另一实施例的放大器电路图；

图10是本实用新型用于小型化ODU接收通道的本振电路另一实施例的倍频器电路图；

图11是本实用新型用于小型化ODU接收通道的本振电路另一实施例的本振微带滤波器结构图；

图12是本实用新型用于小型化ODU接收通道的本振电路另一实施例的电压转换电路图。

具体实施方式

为了便于理解本实用新型，下面结合附图和具体实施例，对本实用新型进行更详细的说明。附图中给出了本实用新型的较佳的实施例。但是，本实用新型可以以许多不同的形式来实现，并不限于本说明书所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容的理解更加透彻全面。

需要说明的是，除非另有定义，本说明书所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是用于限制本实用新型。

下面结合附图，对本实用新型的各实施例进行详细说明。图1是本实用新型用于小型化ODU接收通道的本振电路一实施例组成示意图。如图1所示，该本振电路包括依次串接的频率合成器P1、本振放大器P2、本振倍频器P3和本振滤波器P4，所述频率合成器还与单片机P0电连接，所述单片机P0控制所述频率合成器的产生的信号频率，所述本振放大器P2对所述信号进行功率放大，再由所述本振倍频器P3对所述信号的频率进行倍频，所述本振滤波器P4则对倍频后的本振信号进行滤波输出。

该本振电路通过单片机可以对频率合成器合成的信号的频率进行设置或更改，使得该本振电路产生的频率值可更改，适应多种应用需求。另外，该本振电路中采用集成电路元器件，减少了外围电路中的分离元器件，能够有更小的体积。

进一步的，如图2所示，该频率合成器10包括依次串接的鉴相器101、环路滤波器102和压控振荡器103，所述鉴相器101的第一参考源输入端1011用于与外部参考源11(如10MHz温补晶振)电连接，所述外部参考源11通过所述第一参考源输入端1011向所述鉴相器101输入参考频率信号(如10MHz信号)，所述鉴相器101的数控接口1013对应电连接单片机12，所述单片机12通过所述数控接口1013向所述鉴相器101输入频率控制参数，所述鉴相器101的鉴相输出端电连接所述环路滤波器102的输入端，所述环路滤波器102的输出端电连接所述压控振荡器103的电压控制端1031，所述压控振荡器103的振荡信号输出端1032输出合成信号，并且所述振荡信号输出端1032还与所述鉴相器101的第二参考源输入端1012电连接，使得所述合成信号通过所述第二参考源输入端1012进入所述鉴相器101。

对于图2所示实施例，其中单片机12通过数控接口1013可以向鉴相器101写入频率控制参数，该频率控制参数主要包括对来自外部参考源11的参考频率信号进行分频的第一分频参数值，由此以该第一分频参数值对参考频率信号进行分频得到第一分频信号；以及对来自压控振荡器103产生的合成信号进行分频的第二分频参数值，由此以该第二分频参数值对合成信号进行分频得到第二分频信号；通过合理设置第一分频参数值和第二分频参数值，能够使得鉴相器101对参考频率信号和合成信号分别分频后得到的第一分频信号和第二分频信号进行相位比较，从而得到这两个分频信号的相位差，该相位差从鉴相器101的鉴相输出端输出，经过环路滤波器102滤波以后得到一个电压值，该电压值再作用到压控振荡器103的电压控制端1031，从而改变压控振荡器103输出的合成信号的频率，而该合成信号又通过第二参考源输入端1012反馈给鉴相器101，如此循环往复，就可以使得合成信号的频率是我们所需的频率，并且保持稳定输出。

这种结构的本振电路具有数控功能，能够通过单片机来合理设置频率控制参数来调整压控振荡器103产生的合成信号的频率，因此具有频率可调整的优点。在实际应用中，可以根据需要在不同的产品中只需要单片机设置的参数不同即可使得该产品产生的合成信号频率不同，而一旦该产品的频率特性确定下来以后就无需再对单片机输出的参数做任何修改或调整，保证了该产品输出频率的稳定性。因此，本实施例所采用的方案在产生合成信号时，具有良好的可控性，同时也具有良好的稳定性。

图2中的鉴相器101可以通过单体芯片来实现，如图3所示，优选的，所述鉴相器包括芯片ADF4106，所述鉴相器的第一参考源输入端对应为所述芯片ADF4106的REFin端，所述鉴相器的第二参考源输入端对应为所述芯片ADF4106的RFin_A端，所述鉴相器的数控接口对应为所述芯片ADF4106的SPI接口，所述SPI接口对应包括使能端LE、数据端DATA和时钟端CLK，所述鉴相器的鉴相输出端对应为所述芯片ADF4106的CP端。

优选的，芯片ADF4106的REFin端还连接有RC滤波网络，可以对输入的参考信号进行滤波。该RC滤波网络包括串接的电容C6、C7，并且在这两个电容之间还电连接有电阻R2，电阻R2的另一端接地。优选的，电容C6、C7的电容值均为10nF，电阻R2的阻值为51Ω。

另外，优选的，芯片ADF4106采用双电压供电，即分别是5V直流电压和3.3V直流电压供电。其中，A_Vdd端、DVdd端和CE端接3.3V，Vp端接5V，并且Vp端还连接有电源滤波网络，由电感L1和电容C1、C2组成。

这里，选用芯片ADF4106，一方面是该芯片具有很宽的工作频率范围，包括最大输出频率带宽为6GHz，通过RFin_A端可以输入的参考信号为20MHz-250MHz，最大鉴相频率为56MHz，工作电压为5V和3.3V，正常工作电流为20mA(3.3V电压条件下)，基底噪声为-223dBc/Hz，并且通过三个接线端口即可实现对该芯片的操控，控制字简单易写，调试方便。

进一步的，图2中的所述环路滤波器是由运算放大器组成的有源环路滤波器，或者是由RC电路组成的无源环路滤波器。如图4和图5所示，分别显示了芯片ADF4106与有源环路滤波器的电路接口关系，以及芯片ADF4106与无源环路滤波器的电路接口关系。

如图4所示，所述有源环路滤波器中的所述运算放大器的正向输入端接入参考电压，所述运算放大器的负向输入端串接第一环路滤波电阻R1后与所述芯片ADF4106的CP端电连接，并且所述CP端还并联第一环路滤波电容C1接地，所述运算放大器的负向输入端还通过串接第二环路滤波电阻R2和第二环路滤波电容C2而连接到所述运算放大器的输出端，所述运算放大器的输出端即为所述有源环路滤波器的输出端，电连接所述压控振荡器的电压控制端。

优选的，图4中的电阻R1的阻值为100Ω，R2的阻值为160Ω，电容C1的电容值是33.0nF，电容C2的电容值是120nF。

这种有源环路滤波器的优点是可驱动较大的电压给后一级的压控振荡器，缺点是会引入一部分噪声，对该本振电路的基底噪声带来一定影响。

如图5所示，所述无源环路滤波器中的RC电路包括与所述芯片ADF4106的CP端电连接的第三环路滤波电阻R2，所述第三环路滤波电阻R2的另一端并联第三环路滤波电容C3而接地，并且作为所述无源环路滤波器的输出端电连接所述压控振荡器的电压控制端，所述芯片ADF4106的CP端还并联第四环路滤波电容C1而接地，第四环路滤波电阻R1的一端也与所述CP端电连接，另一端串接第五环路滤波电容C2而接地。

优选的，图5中的电阻R1的阻值为180Ω，R2的阻值为360Ω，电容C1的电容值是10.0nF，电容C2的电容值是120nF，电容C3的电容值是3.90nF。

这种无源环路滤波器的优点是不会带来噪声，但不足之处是不能提高对后一级的压控振荡器的压控调整电压。

因此，图4和图5两个实施例的均可作为环路滤波器使用，可以根据应用条件不同而合理选择使用。

进一步优选的，如图6所示，所述有源环路滤波器中的所述运算放大器为芯片AD797，所述芯片ADF4106的CP端通过串接第一RC网络与所述芯片AD797的负向输入端电连接，所述芯片AD797的正向输入端则通过第二RC网络接直流5V电压，所述芯片AD797的负向输入端还通过第三RC网络与所述芯片AD797的输出端电连接。

图6显示了鉴相芯片ADF4106与运算放大芯片AD797之间的接口关系，以及这两个芯片在频率合成器中的实际应用情况。

优选的，其中所述第一RC网络包括在所述芯片ADF4106的CP端与所述芯片AD797的负向输入端之间依次串接的第一电阻R4和第二电阻R5，所述第一电阻R4和第二电阻R5之间电连接第一电容C13而接地，以及在所述CP端还并接第二电容C61而接地，并且在所述CP端还电连接第三电阻R35，所述第三电阻R35又电连接第三电容C60而接地。

通过该第一RC网络构建了芯片ADF4106的CP端与所述芯片AD797的负向输入端之间的接口关系，能够使得由CP端输出的鉴相信号经过该第一RC网络后进行平滑过滤，消除其中的不稳定波动，保证了鉴相输出信号的稳定性。

进一步优选的，在图6中，所述第二RC网络包括在所述直流5V电压与所述芯片AD797的正向输入端之间依次串接的磁珠电感L4、第四电阻R8、第五电阻R9和第六电阻R10；在所述磁珠电感L4与第四电阻R8之间还分别并联有电容第四电容C15和第五电容C16，所述第四电容C15和第五电容C16的另一端均接地；在所述第四电阻R8与第五电阻R9之间还分别并联有第七电阻R11和第六电容C17，第七电阻R11和第六电容C17的另一端均接地；在所述第五电阻R9与第六电阻R10之间还并联有第八电容C18，所述第八电容C18的另一端接地；在所述第六电阻R10与所述芯片AD797的正向输入端之间还并联有第八电阻R12，所述第八电阻R12的另一端串接第九电容C19而接地。

通过该第二RC网络可以对接入的直流5V电压进行稳压滤波，使得进入芯片AD797的正向输入端的直流5V电压相对稳定，另外就是通过设置这些电阻的阻值，使得在芯片AD797的正向输入端的电压设置在合适电压值上，从而有利于芯片AD797在对正向输入端和负向输入端之间进行电压比较时，具有稳定的并且适宜的电压参考依据。因此，第二RC网络具有稳压和分压的双重作用。

优选的，在图6中的第二RC网络中，电阻R8的阻值为1kΩ，R9的阻值为10Ω，R10的阻值为100Ω，R11的阻值为1kΩ，R12的阻值为10Ω，电容C15的电容值是100nF，电容C16的电容值是100pF，电容C17的电容值是1uF，电容C18的电容值是10nF，电容C19的电容值是10nF。

进一步优选的，所述第三RC网络包括依次串接的第十电容C11和第九电阻R3。

通过该第三RC网络在所述芯片AD797的输出端于芯片AD797的负向输入端之间建立了反馈连接，能够对芯片AD797在对正向输入端和负向输入端之间压差信号进行放大和滤波后，通过该芯片AD797的输出端输出一个电压信号给后一级的压控振荡器。

进一步优选的，在图7中，所述单片机对应是芯片ATTINY9，所述芯片ATTINY9的三个I/O端(图7显示为PB2_LE端、PB1_CLK端和PB0_DAT端)分别对应连接所述芯片ADF4106的使能端、数据端和时钟端，并且三个所述I/O端均并联一个电阻而接地。

芯片ATTINY9是一款体积小且引脚少的小型单片机，其中包括的三个I/O引脚均应用到与芯片ADF4106的使能端、数据端和时钟端电连接。使用该芯片ATTINY9还具有功耗低的优势。

进一步优选的，如图8所示，压控振荡器包括芯片SMV5000E4,所述芯片SMV5000E电压输入端(图8显示为Vt端)与所述芯片AD797的输出端电连接，所述芯片SMV5000E的振荡信号输出端(图8显示为RFOUT端)通过电阻网络连接到所述芯片ADF4106的RFin_A端。优选的，该电阻网络包括电阻R6、R7和R13，阻值均为18Ω，这三个电阻呈T型设计，其中电阻R6一端接芯片SMV5000E的振荡信号输出端，另一端分别电连接R7和R13，R7的另一端可以作为合成的振荡信号输出，而R13的另一端则反馈给所述芯片ADF4106的RFin_A端。该电阻网络实现了对合成信号的分路作用，同时也起到了前后阻抗匹配的作用。

进一步的，如图9所示，所述本振放大器包括芯片ECG001F-G。芯片ECG001F-G的工作频段为0-6GHz，增益是20dB，噪声系数3.4dB，输出1dB压缩功率12.5dBm，+5V供电，工作电流30mA。该芯片采用6脚封装，外形小且电路简单易用。

从图8所示的电阻网络中的R7一端与图9中的电容C14电连接，C14再与芯片ECG001F-G的RFI端电连接，芯片ECG001F-G对由压控振荡器芯片SMV5000E输出的合成信号进行功率放大。可以看出芯片ECG001F-G所需的外围电路少，除了在RFO端电连接电源滤波网络电路外，该芯片的其它引脚均接地。该电源滤波网络主要包括电感L5、L18，电容C21、C22，电阻R14、R15，其中电感L18一端接5V直流电压，另一端电连接电容C21、C22和电阻R14、R15，其中电容C21、C22并联接地，而电阻R14、R15并联后共同连接到电感L5，电感L5的另一端连接芯片ECG001F-G的RFO端。

优选的，在芯片ECG001F-G的RFO端还连接有匹配电阻网络，该匹配电阻网络包括电阻R48、R49、R50，其中R49接RFO端，电阻R48、R50分别电连接电阻R49的两端后接地。该匹配网络能够使得芯片ECG001F-G的输出端，即RFO端能够与后一级的倍频器进行良好的阻抗匹配。

进一步的，如图10所示，所述本振倍频器包括芯片HMC369LP3E。该芯片输入频率4.5GHz-8GHz，输出频率9-16GHz，输出功率可达16dBm。基波、三次谐波隔离度18dB，5V电压工作，静态工作电流75mA。该芯片也是单芯片即可实现倍频，从图10可以看出，该芯片除了电源端VCC接电源滤波网络外，其它端口主要就是接地。该电源滤波网络包括电感L14以及电容C29和C41，5V电压连接到电感L14，L14的另一端接电容C29和C41，这两个电容的另一端均接地，并且L14的另一端接芯片HMC369LP3E的VCC端。

进一步的，如图11所示，所述本振滤波器为微带滤波器。该微带滤波器的结构包括设置在陶瓷基板上的5个U型的微波金属带，所述微波金属带依次间隔排列且呈中心对称分布，其中第一微波金属带P41开口向上且位于对称中心，所述第二微波金属带P42和第三微波金属带P43均开口向下，分别位于所述第一微波金属带P41的左侧和右侧，第四微波金属带P44开口向上且位于所述第二微波金属带P42的左侧，所述第四微波金属带P44的左分支上横向延伸为第一端口P46，第五微波金属带P45开口向上且位于所述第三微波金属带P43的右侧，所述第五微波金属带P45的右分支上横向延伸为第二端口P47。

优选的，所述第一微波金属带P41的宽度是0.13mm，左侧分支和右侧分支的长度和相同，均为2.5mm，下部连接分支长度为1.21mm，并且所述下部连接分支的左右端部的两个拐角被等腰切除，得到的左切边和右切边的长度是0.18mm，所述第一微波金属带P41与所述第二微波金属带P42、第三微波金属带P43的间隔均为0.14mm。

进一步优选的，所述第二微波金属带P42和第三微波金属带P43具有相同的结构，其中所述第二微波金属带P42的左侧分支和所述第三微波金属带P43的左侧分支长度相同，均为2.5mm，所述第二微波金属带P42的右侧分支和所述第三微波金属带P43的右侧分支长度相同，均为2.5mm，所述第二微波金属带P42上部连接分支与第三微波金属带P43上部连接分支长度相同均为1.21mm，并且所述上部连接分支与上部连接分支的左右端部的两个拐角被等腰切除，得到的切边的长度相同，均为0.18mm。

所述第二微波金属带P42的右侧分支与所述第一微波金属带P41的左侧分支等高平齐，即第二微波金属带P42的右侧分支的下边缘与所述第一微波金属带P41的左侧分支下端所对应的连接分支的上边缘平齐，同时所述第一微波金属带P41的左侧分支的上边缘与所述第二微波金属带P42的右侧分支上端所对应的连接分支的下边缘平齐。同样，所述第三微波金属带P43的左侧分支与所述第一微波金属带P41的右侧分支等高平齐。

所述第二微波金属带P42与所述第四微波金属带P44的间隔为0.1mm，并且所述第三微波金属带P43与所述第五微波金属带P45的间隔与相同且为0.1mm。

优选的，所述第四微波金属带P44的右侧分支的长度是2.5mm，宽度是0.13mm，左侧分支的长度是1.65mm，宽度是0.24mm，底部连接分支分为两段，其中，位于左侧的第一连接段的长度是1.05mm，宽度是0.24mm，并且所述第一连接段的左侧拐角被等腰切除，得到的切边的长度是0.34mm，位于右侧的第二连接段的长度是0.56mm，宽度是0.13mm，并且所述第二连接段的右侧拐角被等腰切除，得到的切边的长度是0.18mm.

进一步优选的，所述第一端口P46的长度是0.76mm，宽度是0.25mm，所述第一端口P46的下边到所述底部连接分支的所述第一连接段的上边的距离是0.1mm。

优选的，所述第四微波金属带P44与第五微波金属带P45具有相同的结构，二者关于该微带天线中心呈左右对称分布，所述第五微波金属带P45的左侧分支长度是2.5mm，宽度是0.13mm，右侧分支的长度是1.65mm，宽度是0.24mm，底部连接分支分为两段，其中，位于右侧的第一连接段的长度是1.05mm，宽度是0.24mm，并且所述第一连接段的右侧拐角被等腰切除，得到的切边的长度是0.34mm，位于左侧的第二连接段的长度是0.56mm，宽度是0.13mm，并且所述第二连接段的左侧拐角被等腰切除，得到的切边的长度是0.18mm。

进一步优选的，所述第一端口P46与第二端口P47具有相同的结构，二者关于微带中心呈左右对称分布，所述第二端口P47的长度是0.76mm，宽度是0.25mm，所述第二端口P47的下边到所述底部连接分支的所述第一连接段的上边的距离是0.1mm，这里距离为0.1mm，在不同实施例中，该距离可为多种数值，如0.2mm，0.3mm，并不仅限于本实施例。所述第一端口P46与第二端口P47之间的距离，也即是该本振微带滤波器的长度是8.85mm。

进一步优选的，所述第一微波金属带P41至第五微波金属带P45的厚度均为0.13mm，所述陶瓷基板的厚度是0.254mm。

进一步优选的，所述本振微带滤波器的带通滤波范围是9.75GHz-10.6GHz，通带插入损耗≤3dB，VSWR≤1.3，带外抑制是：在5GHz-6.56GHz范围内，抑制比≥55dBc，在15GHz-16.95GHz范围内，抑制比≥55dBc。

进一步优选的，所述本振电路还包括电压转换电路，所述电压转换电路将5V直流电压转换为3.3V直流电压，并且分别独立向所述芯片ATTINY9和所述芯片ADF4106提供3.3V直流电压供电。如图12所示，该电压转换电路包括芯片LP5907-3.3，该芯片体积小、引脚少，从图中可以看出，5V电压连接到该芯片的输入端，即IN端，旁路一电容C44接地，该芯片的输出端，即OUT端，也旁路一电容C20接地，同时还电连接电感L7后转换输出3.3V直流电压。优选的，为了保证3.3V供电的独立性，该本振电路中使用了两片芯片LP5907-3.3，分别对芯片ATTINY9和所述芯片ADF4106独立提供3.3V直流电压。

基于以上实施例，本实用新型公开了一种用于小型化ODU接收通道的本振电路，包括依次串接的频率合成器、本振放大器、本振倍频器和本振滤波器，频率合成器与单片机电连接，单片机控制所述频率合成器的产生的信号频率，本振放大器对产生的信号进行功率放大，再由本振倍频器对信号的频率进行倍频，本振滤波器则对倍频后的信号进行滤波输出。还进一步公开了上述电路中使用的芯片及接口网络的组成。该本振电路应用于小型化ODU接收通道，能够通过参数配置的方式更改所需的合成信号频率，同时还具有稳定可靠的特点，在节省功耗、减少体积、降低成本方面也具有优势。

以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均包括在本实用新型的专利保护范围内。