1.一种滤波器的新型封装结构，其特征在于，所述滤波器的新型封装结构包括：基板、设置在基板上的叉指换能器和电极、介质层、干膜保护层、锡球以及锡球保护层；
所述电极分别位于所述叉指换能器相对的两侧且所述电极电连接所述叉指换能器，所述介质层上开设有释放孔，所述释放孔的尺寸大于3μm，所述介质层设置在所述基板上并与所述基板之间形成带释放孔的空腔结构，所述叉指换能器位于所述带释放孔的空腔结构内，所述干膜保护层设置在所述介质层上并密封所述介质层上的各个所述释放孔；每个所述电极上分别设置一个所述锡球，所述锡球保护层设置在所述基板上并覆盖所述干膜保护层、所述电极和所述基板上的其他区域，所述锡球保护层的高度低于所述锡球的高度。
2.根据权利要求1所述的新型封装结构，其特征在于，
所述干膜保护层上设置有匹配金属电路层，所述匹配金属电路层上设置有密封介质层；或者，所述干膜保护层上设置有若干层匹配金属电路层，每两层所述匹配金属电路层之间设置有支撑层，最外层的匹配金属电路层上设置有密封介质层；则所述锡球保护层覆盖所述密封介质层。
3.根据权利要求2所述的新型封装结构，其特征在于，所述锡球保护层和所述密封介质层上形成有贯穿至最外层匹配金属电路层的刻蚀孔，所述刻蚀孔位于所述最外层匹配金属电路层上的焊盘处，所述最外层匹配金属电路层上的焊盘通过所述刻蚀孔外露。
4.根据权利要求1-3任一所述的新型封装结构，其特征在于，
所述介质层和所述基板之间形成的所述带释放孔的空腔结构的表面呈弧形。
5.一种滤波器的新型封装方法，其特征在于，所述方法包括：
步骤1、在基板表面制作叉指换能器和电连接所述叉指换能器的电极，所述电极分别位于所述叉指换能器相对的两侧；
步骤2、在所述基板表面制作牺牲层，所述牺牲层覆盖所述叉指换能器；
步骤3、在所述牺牲层的表面淀积介质层并在所述介质层上制作释放孔，所述释放孔的尺寸大于3μm；
步骤4、刻蚀所述牺牲层，在所述介质层和所述基板之间形成带释放孔的空腔结构；
步骤5、用真空贴膜工艺在所述介质层上贴干膜，形成干膜保护层密封所述释放孔；
步骤6、用植球工艺在所述电极上制作锡球；
步骤7、制作锡球保护层，所述锡球保护层覆盖所述干膜保护层、所述电极和所述基板上的其他区域，且所述锡球保护层的高度低于所述锡球的高度。
6.根据权利要求5所述的滤波器的新型封装方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述干膜保护层上制作电连接所述叉指换能器的匹配金属电路层，并在所述匹配金属电路层的表面淀积密封介质层；
或者，在所述干膜保护层上制作若干层匹配金属电路层，所述若干层匹配金属电路层相连并电连接所述叉指换能器，每两层所述匹配金属电路层之间制作支撑层隔开，并在最外层的匹配金属电路层的表面淀积所述密封介质层。
7.根据权利要求6所述的滤波器的新型封装方法，其特征在于，所述方法还包括：
刻蚀所述锡球保护层和所述密封介质层将最外层的匹配金属电路层上的焊盘外露。