一种无人机射频干扰功放电路的制作方法

本实用新型属于无人机功放技术领域，具体涉及一种无人机射频干扰功放电路。

背景技术：

现有无人机干扰射频功放设计中，存在输出功率低，增益低，有效干扰传输距离近等缺点。

技术实现要素：

本实用新型的目的是提供一种无人机射频干扰功放电路，解决现有射频功放设计中的输出功率低，增益低，有效干扰传输距离近的问题。

本实用新型提供了如下的技术方案：

一种无人机射频干扰功放电路，包括依次连接的压控振荡器、一级功放电路、二级功放电路、三级功放电路和射频隔离器，所述压控振荡器用于产生射频小信号源，所述一级功放电路、所述二级功放电路和所述三级功放电路内均包括功率放大器，所述一级功放电路功率放大器采用通用放大器且输出增益为12db，所述二级功放电路功率放大器采用n沟道增强型ldmosfet且单管输出增益18db，所述三级功放电路功率放大器采用ldmos晶体管且单管输出增益18db。

优选的，所述压控振荡器采用fvco2400芯片，所述fvco2400芯片连接有5v电源供电，所述fvco2400芯片的vt端与电源之间连接有调节电阻且vt调谐端电压为0.2-4.5v，所述fvco2400芯片电源端与电源之间设有滤波电容，所述fvco2400芯片的rfout端连接所述一级功放电路。

优选的，所述通用放大器采用sbb5089z放大器，所述sbb5089z放大器的输入端连接所述压控振荡器，所述sbb5089z放大器的输出端连接所述二级功放电路，所述sbb5089z放大器连接有5v电源供电，所述sbb5089z放大器与所述电源之间设有滤波电路。

优选的，所述n沟道增强型ldmosfet采用mw6s004nt1，所述mw6s004nt1栅极连接有5v供电电源，所述mw6s004nt1漏极连接有28v供电电源，所述mw6s004nt1栅极与所述5v供电电源之间设有调节电阻且调节栅极偏置电压为2.7v，所述mw6s004nt1栅极连接所述一级功放电路，所述mw6s004nt1漏极连接所述三级功放电路。

优选的，所述mw6s004nt1栅极与所述5v供电电源之间、所述mw6s004nt1漏极与所述28v供电电源之间均设有滤波电路。

优选的，所述ldmos晶体管采用blf6g27-45，所述blf6g27-45栅极连接有5v供电电源，所述blf6g27-45漏极连接有28v供电电源，所述blf6g27-45栅极与所述5v供电电源之间设有调节电阻且调节栅极偏置电压为1.9v，所述blf6g27-45栅极连接所述二级功放电路，所述blf6g27-45漏极连接所述射频隔离器。

优选的，所述blf6g27-45栅极与所述5v供电电源之间、所述blf6g27-45漏极与所述28v供电电源之间均设有滤波电路。

优选的，所述射频隔离器采用wg2020x-1隔离器，所述隔离器输出接入天线sma接头。

本实用新型的有益效果是：本设计通过三级功放电路设计使射频功放的输出功率高达44dbm，增益45db，有效传输距离可达6km，有效解决现有射频功放设计中的输出功率低，增益低，有效干扰传输距离近的问题。

附图说明

附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。在附图中：

图1是本实用新型原理结构示意图；

图2是本实用新型压控振荡器电路结构示意图；

图3是本实用新型一级功放电路结构示意图；

图4是本实用新型二级功放电路结构示意图；

图5是本实用新型三级功放电路结构示意图。

具体实施方式

如图1-图5所示，一种无人机射频干扰功放电路，包括依次连接的压控振荡器、一级功放电路、二级功放电路、三级功放电路和射频隔离器，压控振荡器用于产生射频小信号源，一级功放电路、二级功放电路和三级功放电路内均包括功率放大器，一级功放电路功率放大器采用通用放大器且输出增益为12db，二级功放电路功率放大器采用n沟道增强型ldmosfet且单管输出增益18db，三级功放电路功率放大器采用ldmos晶体管且单管输出增益18db。

具体的，功放电路利用压控振荡器产生射频小信号源(输出功率5dbm)，射频小信号源通过三级功率放大电路，输出功率达到45dbm，增益48db。三级功放电路中第三级功率放大器采用性价比较高的ldmos管blf6g27-45，单管输出增益18db，最大输出功率45dbm。根据末级放大器输出45dbm去确定前级功率放大器，因此第二级功率放大器输出功率最小应为26dbm，所以，二级功放电路采用mw6s004n，单管输出增益18db，最大输出功率36dbm。第二级、末级放大器确定后，后两级放大器提供了36db的增益，这时应该选择一个增益为12db，输出功率8dbm的放大器作为第一级，由于第一级放大器的输入输出都是射频小信号，所以第一级选用通用放大器sbb5089z作为第一级，它的的工作频段高达4g，性价比高，满足设计要求。射频隔离器采用wg2020x-1隔离器，单向隔离射频信号，防止信号反向输入。

如图2所示，压控振荡器采用fvco2400芯片：输出频率2300-2500mhz射频小信号，输出功率5dbm，电源vcc5v供电，工作电流10ma，vt调谐端电压0.2-4.5v，调谐端用于调节信号的中心频率点到2400mhz，电容c11电源旁路电容，为电源滤除杂波，电阻r22、r23用调节压控振荡器vt端电压。

如图3所示，第一级功放由于输入输出信号均为射频小信号，所以选用性价比较高的通用放大器sbb5089z作为第一级，p1db点20.4dbm，频带内0～4ghz内已经达到绝对稳定，在内部已经将输入输出匹配到50欧姆，不需要外部匹配电路就可以得到良好的端口驻波，工作电压+5v，工作电流75ma，其中c4、c5是电源的旁路电容，为电源滤除杂波，l2电感用于电源滤波，电容c15、c16选取的原则是放大器工作频率处，电路的esr(等效串联电阻)最小。

如图4所示，二级功放电路：mw6s004nt1是一款可以工作在a类或ab类的n沟道增强型ldmosfet，工作频率在2ghz以内具有优良的性能，单管增益18db，最大输出功率36dbm(4w)，输出三阶交调系数-34dbc，可以在高达5:1的电压驻波比vswr下正常工作，mw6s004nt1采用双电源供电，栅极供电5v，漏级供电28v，c23、c24、c27、c28为电源滤波电容，用于滤波电源杂波。电阻r14、r20调节mos管栅极偏置电压为2.7v，ids为50ma，电容c6、c12选取的原则是放大器工作频率处，电路的esr(等效串联电阻)最小。

如图5所示，三级功放电路：blf6g27-45是高功率ldmos晶体管，具有输出功率高，增益大特点。工作频率2500mhz-2700mhz，单管增益18db，输出功率45w，双电源供电，栅极供电5v，漏级供电28v。电容c34、c35、c30、c40是旁路电容，用于电源滤波。电阻r33、r36用于调节栅极偏置电压1.9v，ids为60ma，电容c37、c8选取的原则是放大器工作频率处，电路的esr(等效串联电阻)最小。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。