双向电子开关以及供电电路的制作方法

文档序号:21074108发布日期:2020-06-12 15:09阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种双向电子开关,其特征在于,所述双向电子开关包括:第一mosfet、第二mosfet、第三mosfet、第一降压组件、第二降压组件以及第一二极管、第二二极管;

所述第一mosfet的源极与直流输入端或直流输出端连接,所述第二mosfet的源极、漏极分别与所述第一mosfet的漏极、直流输出端或直流输入端连接,所述第一二极管的正极与所述第一mosfet的漏极连接,负极与所述第一mosfet的源极连接,所述第二二极管的正极与所述第二mosfet的漏极连接,负极与所述第二mosfet的源极连接;

所述第一降压组件的一端与所述第一mosfet的正极连接,另一端分别与所述第三mosfet的漏极、第二mosfet的栅极以及第一晶体管的栅极连接,所述第二降压组件的一端与所述第二mosfet的源极连接,另一端与所述第二mosfet的栅极连接,所述第一降压组件导通时两端的电压差绝对值大于所述第二二极管的正向导通电压,所述第二降压组件导通时两端的电压差绝对值大于所述第一二极管的正向导通电压;

所述第三mosfet的源极接地,栅极与驱动信号输入端连接,其中,所述第一mosfet和第二mosfet为p沟道耗尽型mosfet,第三mosfet为n沟道增强型mosfet,所述第三mosfet通过所述驱动信号输入端接收驱动信号,并根据所述驱动信号导通或截止,进而控制所述直流输入端或直流输出端与所述直流输出端或直流输入端之间导通或断开。

2.如权利要求1所述的双向电子开关,其特征在于,所述第一降压组件包括第三二极管、第四二极管,所述第三二极管的负极与所述第一mosfet的源极连接,正极与所述第四二极管的正极连接,所述第四二极管的负极与所述第一mosfet的栅极连接。

3.如权利要求1所述的双向电子开关,其特征在于,所述第二降压组件包括第五二极管、第六二极管,所述第五二极管的负极与所述第二mosfet的源极连接,正极与所述第六二极管的正极连接,所述第六二极管的负极与所述第二mosfet的栅极连接。

4.如权利要求1所述的双向电子开关,其特征在于,所述双向电子开关还包括第一三极管、第二三极管,所述第一三极管的发射极、集电极分别与所述直流输入端或直流输出端、第一mosfet的栅极连接,所述第二三极管的发射极、集电极分别与所述直流输出端或直流输入端、第二mosfet的栅极连接,所述第一三极管的基极与所述第二三极管的基极连接。

5.如权利要求4所述的双向电子开关,其特征在于,所述双向电子开关还包括第一电容、第一电阻,所述第一电容与所述第一电阻并联,所述第一电容的一端与所述第一三极管的集电极连接,另一端与所述第一三极管的基极连接。

6.如权利要求4所述的双向电子开关,其特征在于,所述双向电子开关还包括第二电阻,所述第二电阻的一端与所述第一三极管的基极连接,另一端与所述第三mosft的漏极连接。

7.如权利要求1所述的双向电子开关,其特征在于,所述双向电子开关还包括第三电阻,所述第三电阻的一端与所述第三mosfet的栅极连接,另一端与所述驱动信号输入端连接。

8.如权利要求1所述的双向电子开关,其特征在于,所述双向电子开关还包括第四电阻,所述第四电阻的一端与所述驱动信号输入端连接,另一端与所述第三mosft的栅极连接。

9.一种供电电路,其特征在于,所述供电电路包括第一双向电子开关、第二双向电子开关、负载、电池以及控制电路,第一双向电子开关和/或第二双向电子开关包括如权利要求1-8任一项所述的双向电子开关;

所述第一双向电子开关的第一端与电源输入端连接,第二端与所述第二双向电子开关的第一端连接,所述第二双向电子开关的第二端与电池的正极连接,所述负载一端与所述第一双向电子开关的第二端连接,另一端与所述电池的负极、第一双向电子开关的接地端以及第二双向电子开关的接地端连接,所述控制电路分别与所述第一双向电子开关的驱动信号输入端、第二双向电子开关的驱动信号输入端连接,第一双向电子开关、第二双向电子开关根据所述驱动信号输入端输入的驱动信号闭合或断开,以控制电源输入端向所述电池供电或所述电池向所述负载供电。

10.如权利要求9所述的供电电路,其特征在于,所述供电电路还包括电阻,所述电阻的一端与所述第二双向电子开关的第二端连接,另一端与所述电池的正极连接;

所述控制电路与所述第二双向电子开关的第二端连接以检测电池电量、充电电流。


技术总结
本实用新型提供一种双向电子开关以及供电电路,该双向电子开关的第一MOSFET的源极与直流输入端或直流输出端连接,第二MOSFET的源极、漏极分别与第一MOSFET的漏极、直流输出端或直流输入端连接,第一二极管的正负极分别与第一MOSFET的漏极、源极连接,第二二极管的正负极分别与第二MOSFET的漏极、源极连接;第一降压组件的一端与第一MOSFET的正极连接,另一端分别与第三MOSFET的漏极、第二MOSFET的栅极以及第一晶体管的栅极连接,第二降压组件的一端与第二MOSFET的源极连接,另一端与第二MOSFET的栅极连接;第三MOSFET的源极接地,栅极与驱动信号输入端连接。本实用新型通过MOSFET控制电路的闭合与断开,开关时间短,工作频率高,可靠性好,而且减小了开关的体积,增加了应用范围。

技术研发人员:王中于
受保护的技术使用者:广州中逸光电子科技有限公司
技术研发日:2019.10.21
技术公布日:2020.06.12
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