技术特征：
1.一种rfid信号的解调电路，其特征在于包括用于设置有电平控制信号输出端的cpu模块、谐振模块、整流模块、电平调节模块、波形合成模块、比较模块和检波模块，所述的谐振模块包括第一电感和第一电容，所述的整流模块包括第一pmos管、第二pmos管和第二电容，所述的电平调节模块包括第一nmos管和第一电阻，所述的波形合成模块包括第三pmos管和第四pmos管，所述的比较模块包括第五pmos管、第二nmos管、第六pmos管和第三nmos管，所述的检波模块包括第七pmos管、第二电阻和第三电容，所述的第一电感的一端、所述的第一电容的一端、所述的第一pmos管的源极、所述的第一电阻的一端、所述的第四pmos管的栅极及所述的第三pmos管的源极连接，所述的第一电感的另一端、所述的第一电容的另一端、所述的第二pmos管的源极、所述的第一nmos管的源极、所述的第三pmos管的栅极及所述的第四pmos管的源极连接，所述的第一pmos管的栅极、所述的第一pmos管的漏极、所述的第二pmos管的漏极、所述的第二pmos管的栅极、所述的第二电容的一端连接并形成内部电源端，所述的第二电容的另一端接地，所述的第一电阻的另一端与所述的第一nmos管的漏极连接，所述的第一nmos管的栅极与所述的cpu模块的电平控制信号输出端连接，所述的第三pmos管的漏极、所述的第四pmos管的漏极、所述的第五pmos管的栅极及所述的第二nmos管的栅极连接，所述的内部电源端、所述的第五pmos管是的源极、所述的第六pmos管的源极及所述的第七pmos管的源极连接，第五pmos管的漏极、所述的第二nmos管的漏极、所述的第六pmos管的栅极及所述的第三nmos管的栅极连接，所述的第六pmos管的漏极、所述的第三nmos管的漏极及所述的第七pmos管的栅极连接，所述的第七pmos管的漏极、所述的第二电阻的一端及所述的第三电容的一端连接并作为调制信号输出端，所述的第二nmos管的源极、所述的第三nmos管的源极、所述的第二电阻的另一端及所述的第三电容的另一端分别接地。
技术总结
本发明公开了一种RFID信号的解调电路，特点是包括用于设置有电平控制信号输出端的CPU模块、谐振模块、整流模块、电平调节模块、波形合成模块、比较模块和检波模块，谐振模块包括第一电感和第一电容，整流模块包括第一PMOS管、第二PMOS管和第二电容，电平调节模块包括第一NMOS管和第一电阻，波形合成模块包括第三PMOS管和第四PMOS管，比较模块包括第五PMOS管、第二NMOS管、第六PMOS管和第三NMOS管，检波模块包括第七PMOS管、第二电阻和第三电容；优点是整体电路通过降低解调时电感线圈的电压，有效缩小解调宽度，从而使解调后的信号较小，不容易超出协议允许的范围，增加了产品使用时的可靠性，并且降低了在RFID芯片内的CPU上设置参数范围的难度，有效减小工作量。有效减小工作量。有效减小工作量。
技术研发人员：王明宇 仝重秀
受保护的技术使用者：宁波宇喆电子科技有限公司
技术研发日：2021.11.02
技术公布日：2022/3/15