增强的二阶噪声整形分路和动态元件匹配技术的制作方法_3

文档序号:8491986阅读:来源:国知局
输出中的一个。
[0044]在图5中所示,第一分路电路500可以包括四个支路516.1-516.4、二阶DEM控制器530、动态增强电路540和加法器520.1-520.4和550.1-550.4。5位输入信号可被分路成3个最高有效位512 (它们被提供给四个支路516.1-516.4的每个)和2个最低有效位514 (它们被提供到二阶DEM控制器530)。输入信号也被提供给动态增强电路540。
[0045]第2阶DEM控制器530可以通过使用输入信号的两个最低有效位,以确定是否要添加I或O到每个支路516.1-516.4而执行动态元件匹配。I或O可经由各自加法器520.1-520.4添加到支路516.1-516.4中的字。
[0046]第一分路电路500可包括动态增强器电路540,以增加数据活动。动态增强器电路540被配置为基于输入信号510而确定数据活动是否应通过向两个或多个支路516.1-516.4增加信号。动态增强器电路540可以通过经由相应加法器550.1-550.4向一个或多个支路添加I和向相同数目的支路添加-1而增加数据活动。如上文关于图4所讨论的,动态增强器电路540可以向支路延迟添加值,直到对于预定数量的输入信号检测低数据活动。
[0047]在动态元件匹配和动态增强之后,分路电路500中每个支路516.1-516.4的输出信号560是4位信号。各输出信号560可以被提供到第二分路电路600,如图6所不。
[0048]如图6所示,第二分路电路600可以包括四个支路616.1-616.4、二阶DEM控制器630和加法器620.1-620.4。四位的输入信号可被分路为2个最高有效位612 (它们被提供给每一个四个支路616.1-616.4)以及2个最低有效位614 (它们被提供到二阶DEM控制器630) ο输入信号也被提供给动态增强电路640。
[0049]第2阶DEM控制器630可以通过使用输入信号的两个最低有效位执行动态元件匹配,以确定是否要添加I或O到每个支路616.1-616.4。I或O可经由相应加法器620.1-620.4 添加到支路 616.1-616.4 的字。
[0050]第二分路电路600可以包括可选的动态增强器电路640,以增加数据活动。动态增强器电路640被配置为基于输入信号610确定数据活动是否应通过增加信号到两个或多个支路616.1-616.4来提供。动态增强器电路640可以通过经由相应加法器650.1-650.4添加I至一个或多个支路和添加-1至相同数目分的支而增加数据活动。
[0051]图7示出图5和6所示的分路电路500、600所处理的输入信号的树图。的输入信号710可以被提供到第一层,其中DEM DAC电路720 (其可以是图5所示的分路电路500)执行输入信号710的噪声整形分路。5位输入信号可被分成四个支路,并在动态元件匹配和/或动态增强之后,在每一个输出产生四位信号。第一层的输出可被提供给第二层,其中第一层的每个支路的输出被提供给第二层中的DEM DAC电路730.1-730.4。每个DEM DAC电路730.1-730.4可以是图6所示的分路电路600。在每个DEM DAC电路730.1-730.4中,4位输入信号可被分成四个支路。在动态元件匹配和/或动态增强之后,在每个输出端760产生两位的信号。DEM DAC电路730.1-730.4的每两位输出信号可以是提供给三电平单位元件的元件选择信号,该三电平单位元件可以是正选择、负选择或未选中。
[0052]图8示出根据本公开的示例性实施例可应用的多层DEM DAC电路的架构。该多层DEM DAC电路800可以包括在多个层(例如,X层)中的一个或多个DEM DAC电路400,如图4中所示。在每一层中,DEM DAC电路可以提供输出的集群,其每一个被提供作为下层中多个DEM DAC电路的不同DEM DAC电路的输入。最后一层的X输出850的集群可以是两位的字,代表三电平信号(例如,-1,0,1)ο
[0053]多层的DEM DAC电路800中的第一层可以包括分配器812,其接收多位输入信号810。分配器812可以提供输入信号到DEM和/或动态增强器电路814。以执行分配器812中每个支路的动态元件匹配和/或动态增强。
[0054]在分配器812中每个支路的输出816可提供到第二层中的不同分配器822。在第二层中的每个分配器822可以具有DEM和/或动态增强器电路824。分配器822可以提供输入信号到DEM和/或动态增强器电路824,以执行分配器822的每个支路上的动态元件匹配和/或动态增强。
[0055]最后层X、分配器、DEM和动态增强器电路可以从前面的层接收输出信号,并执行输入信号的噪声整形分路和每个支路上的动态元件匹配和/或动态增强。最后一层X的输出850可以是两位的字,代表三电平信号(例如,-1,0, l)o最后一层X的输出850可以是提供到三电平单位元件的元件选择信号,所述三电平单位元件可正选择、负选择或不选择。
[0056]图9不出根据本发明实施例对输入信号执行噪声整形分路的方法。如图9所不,该方法可以包括将输入信号分配到多个支路(方框910)。所述输入信号的最高有效位可以分配到多个支路。该方法可以基于输入信号执行动态元件匹配(方框920)。该输入信号的最低有效位(例如,两个最低有效位)可用于执行动态元件匹配。基于动态元件匹配,值的结果(例如,O或I)可添加到多个支路的字(方框930)。
[0057]该方法可包括执行动态增强(方框950)。如果确定在输入信号中存在数据活动不足,可执行动态增强(方框940)。动态增强(框950)可以增加数据活动,并同时保持所述数字值不变。例如,在动态增强(方框950)中,I可被添加到电路中的一个支路,-1可被添加到电路的另一支路以保持数字值不变(方框960)。+1可被添加到具有最高排名字的支路,和-1可被添加到具有排名最低字的支路。在另一个实施例中,为了最大化数据活动,I可被添加到一半的支路,以及-1可被添加到该支路的另一半。
[0058]该方法900可以通过在多个层分析信号进行。在第一层中,方法800可对输入信号执行。在接下来的层中,该方法800可以从第一层对每个输出信号执行。在最后的层中,该方法可以执行,使得输出信号是表示三电平信号的双位信号(例如,_1,0,1)。从最后层的每个输出信号可以是提供给三电平单位元件的元件选择信号,所述三电平单位元件可以正选择、负选择或不选择。
[0059]另外,在上述的说明中,出于解释的目的,许多具体细节被阐述以便提供彻底理解本发明的概念。作为本说明书的一部分,一些结构和设备可已被示于框图的形式,以免模糊本发明。在说明书中参考“一个实施例”或“实施例”意味着结合在至少一个本发明实施例中包括的实施例所述的特定特征、结构或特性,描述特性被包括,并且对于“一个实施例”或“实施例”的多个引用不应被理解为必然都指同一实施例。
[0060]本文所描述方法的一个或多个示出操作可以在计算机程序中实现,该计算机程序可存储在具有指令来编程系统以执行操作的存储介质上。存储介质可以包括(但不限于)任何类型的盘,包括软盘、光盘、压缩盘只读存储器(⑶-ROM)、可擦写光盘(⑶-RW)和磁光盘、半导体器件,诸如只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、诸如动态和静态RAM、可擦除可编程只读存储器(EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、闪存、磁或光卡,或任何类型的适于存储电子指令的介质。其他实施例可以被实现为由可编程控制装置执行的软件模块。
[0061]如在本公开内容中的任何实施例所用,“电路”可以包括例如单独地或以任何组合地模拟电路、数字电路、硬连线电路、可编程电路、状态机电路和/或固件,其存储由可编程电路执行的指令。另外,在本文中的任何实施例中,电路可以被体现为和/或一个或多个集成电路
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