电子设备的制造方法_4

文档序号:8501437阅读:来源:国知局
部41的电阻值与上述第二负载部42的电阻值之比,为构成上述第二元件列组22的上述元件列221?22η的并联数η与构成上述第一元件列组21的上述元件列211?21m、221?22η的并联数m之比。
[0112]在该电子设备I中,异常检测部4仅通过进行第一电压V21与第二电压V22的大小比较(特别是对第一电压V21与第二电压V 22不同的情况进行检测),就能够检测异常状态。因此,能够简化异常检测部4的结构。
[0113]进一步,在上述的电子设备I中,上述第一负载部41A和上述第二负载部42A各自通过将至少一个电阻器R1、R2并联连接而构成,构成上述第一负载部41A的上述电阻器Rl的并联数与构成上述第二负载部42A的上述电阻器R2的并联数之比,为构成上述第一元件列组21的上述元件列211?21m的并联数m与构成上述第二元件列组22的上述元件列221?22η的并联数η之比。
[0114]在该电子设备I中,能够以电阻器Rl、R2的并联连接电路这样极为简单的电路实现第一负载部41Α和第二负载部42Α。
[0115]进一步,在上述的电子设备I中,上述第一负载部41Β和上述第二负载部42Β各自通过将上述一端为第一电极、上述另一端为第二电极的至少一个晶体管Tl、Τ2并联连接而构成,分别构成上述第一负载部41Β和上述第二负载部42Β的上述晶体管Tl、Τ2的控制电极相互连接,并且构成上述第一负载部41Β的至少一个上述晶体管Tl的上述控制电极与上述第一电极连接,构成上述第一负载部41Β的上述晶体管Tl的并联数与构成上述第二负载部42Β的上述晶体管Τ2的并联数之比,为构成上述第一元件列组21的上述元件列211?21m的并联数m与构成上述第二元件列组22的上述元件列221?22η的并联数η之比。
[0116]在该电子设备I中,第一负载部41Β和第二负载部42Β为以在控制电极与第一电极连接的晶体管Tl中流动的电流为基准的电流镜电路。因此,在正常状态下,能够使第一电流I21与第二电流I22之比高精度地接近m: n,能够在分别构成第一 LED元件列组21和第二 LED元件列组22的LED元件列211?21m、221?22η中稳定地流动相等的电流。进一步,能够使第一电压V21和第二电压V 22高精度地相等。
[0117]另一方面,在异常状态下,虽然第一负载部41Β和第二负载部42Β作为电流镜电路进行动作,但是不至于使第一电流I2I和第二电流I ZE返回至m: η。因此,第一电流121与第二电流I22之比从m: η偏离,第一电压V21与第二电压V22不同。因此,比较部43能够检测异常状态。
[0118]另外,在上述的电子设备I中,上述晶体管是上述第一电极为集电极、上述第二电极为发射极、上述控制电极为基极的NPN型的双极晶体管。
[0119]进一步,在上述的电子设备I中,还包括与上述第一负载部41Α、41Β和上述第二负载部42Α、42Β中的至少一个负载部并联连接的偏置负载部61Α、62Α、61Β、62Β。
[0120]在该电子设备I中,能够通过适当地调整偏置负载部61Α、62Α、61Β、62Β的电阻值来进行设定,使得正常状态下的第一电压V21 ’和第二电压V22’中的任一电压比另一电压稍大。在这样的情况下,比较部43通过使用比较器等进行单纯的大小比较的装置对第一电压V21 ’与第二电压V22’的大小关系反转的情况进行检测,能够检测从正常状态变为异常状态的情况。
[0121]进一步,在上述的电子设备I中,构成上述第一元件列组21和上述第二元件列组22的各个上述元件列211?21m、221?22η的电流电压特性相同,上述异常检测部4在上述第一电流I2I与上述第二电流I 22之比从构成上述第一元件列组21的上述元件列211?21m的并联数m与构成上述第二元件列组22的上述元件列221?22η的并联数η之比偏离超过规定的程度的情况下,检测构成上述第一元件列组21和上述第二元件列组22中的至少一个元件列组的上述元件列211?21m、221?22η的异常。
[0122]在该电子设备I中,能够将在所有的元件列211?21m、221?22η中没有均等地流动电流的状态、即第一电流I21与第二电流I22之比从m: η偏离超过规定的程度(例如,相当于上述的迟滞的大小)的状态作为异常状态进行检测。
[0123]工业上的可利用性
[0124]本发明能够在例如设置有多个LED等元件的电子设备中加以利用。
[0125]附图标记的说明
[0126]1:照明装置
[0127]20: LED (元件)
[0128]21:第一 LED元件列组(第一元件列组)
[0129]211?21m:LED元件列(元件列)
[0130]22:第二 LED元件列组(第二元件列组)
[0131]221?22n:LED元件列(元件列)
[0132]3:电源部
[0133]4:异常检测部
[0134]41、41A、41B:第一负载部
[0135]42、42A、42B:第二负载部
[0136]43、43a、43b:比较部
[0137]5:驱动控制部
[0138]61A、61B、62A、62B:偏置负载部
[0139]I21:第一电流
[0140]I22:第二电流
[0141]V21:第一电压
[0142]V22:第二电压
[0143]R1、R2、R11、R12、R21、R22:电阻器
[0144]T1、T2:晶体管
[0145]C1、C2:比较器
[0146]G:OR 电路
[0147]S:输出信号
[0148]D:控制信号
【主权项】
1.一种电子设备,其特征在于,包括: 至少一个元件列并联连接而构成的第一元件列组,该元件列由至少一个元件串联连接而构成; 至少一个所述元件列并联连接而构成的第二元件列组;和 异常检测部,其基于第一电流与第二电流是否满足规定的关系,对构成所述第一元件列组和所述第二元件列组中的至少一个元件列组的所述元件列的异常进行检测,该第一电流为构成所述第一元件列组的所述元件列中流动的电流的合计,该第二电流为构成所述第二元件列组的所述元件列中流动的电流的合计。
2.如权利要求1所述的电子设备,其特征在于: 所述异常检测部包括: 第一负载部,其一端与所述第一元件列组连接,从该一端输出作为与所述第一电流相应的电压的第一电压; 第二负载部,其一端与所述第二元件列组连接,从该一端输出作为与所述第二电流相应的电压的第二电压;和 比较部,其通过进行所述第一电压与所述第二电压的大小比较,对属于所述第一元件列组和所述第二元件列组中的至少一个元件列组的所述元件列的异常进行检测, 所述第一负载部的另一端与所述第二负载部的另一端连接, 所述第一负载部的电阻值与所述第二负载部的电阻值之比,为构成所述第二元件列组的所述元件列的并联数与构成所述第一元件列组的所述元件列的并联数之比。
3.如权利要求2所述的电子设备,其特征在于: 所述第一负载部和所述第二负载部各自通过将至少一个电阻器并联连接而构成,构成所述第一负载部的所述电阻器的并联数与构成所述第二负载部的所述电阻器的并联数之比,为构成所述第一元件列组的所述元件列的并联数与构成所述第二元件列组的所述元件列的并联数之比。
4.如权利要求2所述的电子设备,其特征在于: 所述第一负载部和所述第二负载部各自通过将所述一端为第一电极、所述另一端为第二电极的至少一个晶体管并联连接而构成, 分别构成所述第一负载部和所述第二负载部的所述晶体管的控制电极相互连接,并且构成所述第一负载部的至少一个所述晶体管的所述控制电极与所述第一电极连接, 构成所述第一负载部的所述晶体管的并联数与构成所述第二负载部的所述晶体管的并联数之比,为构成所述第一元件列组的所述元件列的并联数与构成所述第二元件列组的所述元件列的并联数之比。
5.如权利要求4所述的电子设备,其特征在于: 所述晶体管是所述第一电极为集电极、所述第二电极为发射极、所述控制电极为基极的NPN型双极晶体管。
6.如权利要求2?5中任一项所述的电子设备,其特征在于: 还包括偏置负载部,其与所述第一负载部和所述第二负载部中的至少一个负载部并联连接。
7.如权利要求1?6中任一项所述的电子设备,其特征在于: 构成所述第一元件列组和所述第二元件列组的各个所述元件列是电流电压特性相同的元件列, 所述异常检测部在所述第一电流与所述第二电流之比从构成所述第一元件列组的所述元件列的并联数与构成所述第二元件列组的所述元件列的并联数之比偏离超过规定程度的情况下,对构成所述第一元件列组和所述第二元件列组中的至少一个元件列组的所述元件列的异常进行检测。
【专利摘要】本发明提供能够以简易的结构检测出元件的异常的电子设备。电子设备(1)包括:至少一个元件列(211~21m)并联连接而构成的第一元件列组(21),该元件列(211~21m)由至少一个元件串联连接而构成;至少一个元件列(221~22n)并联连接而构成的第二元件列组(22);和异常检测部(4),其基于第一电流(I21)与第二电流(I22)是否满足规定的关系,对构成第一元件列组(21)和第二元件列组(22)中的至少一个组的元件列(211~21m、221~22n)的异常进行检测,该第一电流(I21)为构成第一元件列组(21)的元件列(211~21m)中流动的电流的合计,该第二电流(I22)为构成第二元件列组(22)的元件列(221~22n)中流动的电流的合计。
【IPC分类】H01L33-00, H05B37-02
【公开号】CN104823526
【申请号】CN201380062962
【发明人】井川祐太, 隅谷宪, 小野刚史
【申请人】夏普株式会社
【公开日】2015年8月5日
【申请日】2013年11月27日
【公告号】WO2014103598A1
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