信号检测电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电路领域，具体涉及一种信号检测电路。
【背景技术】
[0002]现有技术中的信号检测电路的典型结构如图1所示，输入端输入高电平信号时，切换开关SWl切换到低电平，双向光耦PCl导通，输出端检测到输入信号；输入端输入低电平信号时，切换开关SWl切换到高电平，双向光耦PCl导通，输出端检测到输入信号。
[0003]然而，在如图1所示的现有技术的信号检测电路中，输入端的电路部分和输出端的电路部分需要分别使用不同的电源(图中所示的VCC电源和VDD电源)；并且此电路在应用时，还需要开关器件的切换，因此其使用寿命及检测精度也受到开关器件的影响。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于提供一种克服上述的至少一个缺点的信号检测电路。
[0005]本发明所提供的一种信号检测电路，其具有输入端和输出端，并用于在其输出端检测其输入端是否有输入信号，包括:第一电路部分，其电连接到基准电压源、所述输入端以及检测电路部分，并配置为在所述输入端有低电平信号输入时，产生从基准电压源流向所述输入端的电流，并同时产生从所述基准电压源流向检测电路部分的电流；第二电路部分，其电连接到所述输入端、所述第一电路部分和所述检测电路部分，并配置为在所述输入端有高电平信号输入时，产生从所述输入端流向所述检测电路部分的电流；以及所述检测电路部分，其包括所述输出端，并配置为根据来自所述第一电路部分或所述第二电路部分的输入电流来在所述输出端输出检测信号；其中，在所述输入端有低电平信号输入时，所述第二电路部分的运行被抑制；并且在所述输入端有高电平信号输入时，所述第一电路部分的运行被抑制。
[0006]优选地，所述第一电路部分包括:第一晶体管，其第一端连接到所述基准电压源，其第二端与其第一端通过第一电阻连接且该第二端经由第一单向导通器件连接到所述输入端，并且其第三端经由第三单向导通器件连接到所述检测电路部分，其中，在所述输入端有低电平信号输入时，所述第一单向导通器件导通，所述第一晶体管的第一端与第三端之间导通，且所述第三单向导通器件导通。
[0007]优选地，所述第二电路部分包括:串联的第二单向导通器件和第四导通器件，并且其中，在所述输入端有高电平信号输入时，所述第二单向导通器件导通，并且所述第四导通器件在所述输入端输入的高电平信号高于其击穿电压时反向导通。
[0008]优选地，所述检测电路部分包括:第二晶体管，其第一端为所述输出端，其第二端与其第三端通过第二电阻连接且该第二端连接到所述第一电路部分和所述第二电路部分的输出部分以接收所述输入电流，其第三端接地，并且其中，在接收到所述输入电流时，所述第二晶体管的第一端与第三端之间导通并且其第一端输出所述检测信号。
[0009]优选地，所述第一单向导通器件和所述第三单向导通器件为二极管。
[0010]优选地，所述第二单向导通器件为二极管，所述第四导通器件为齐纳二极管。
[0011]优选地，所述第二晶体管的第一端经电阻连接到所述基准电压源。
[0012]优选地，所述第一电阻内嵌在所述第一晶体管中。
[0013]优选地，所述第二电阻内嵌在所述第二晶体管中。
[0014]本发明提供的信号检测电路，无论输入端是否输入高电平信号还是低电平信号，都能被输出端检测到，并且无需进行开关切换，操作方便。
【附图说明】
[0015]图1是现有技术的信号检测电路的典型结构图。
[0016]图2是本发明实施例的信号检测电路的结构示意图。
[0017]图3是本发明实施例的信号检测电路的变形的结构示意图。
【具体实施方式】
[0018]为使本领域技术人员更好地理解本发明，下面参照附图对本发明的实施例进行详细说明。
[0019]本发明实施例提供的信号检测电路，其具有输入端和输出端，并用于在其输出端检测其输入端是否有输入信号，包括:第一电路部分，其电连接到基准电压源、输入端以及检测电路部分，并配置为在输入端有低电平信号输入时，产生从基准电压源VCC流向输入端的电流，并同时产生从基准电压源VCC流向检测电路部分的电流；第二电路部分，其电连接到输入端、第一电路部分和检测电路部分，并配置为在输入端有高电平信号输入时，产生从输入端流向检测电路部分的电流；以及检测电路部分，其包括输出端，并配置为根据来自第一电路部分或第二电路部分的输入电流来在输出端输出检测信号；其中，在输入端有低电平信号输入时，第二电路部分的运行被抑制；并且在输入端有高电平信号输入时，第一电路部分的运行被抑制。
[0020]本发明实施例提供的信号检测电路，无论输入端是否输入高电平信号还是低电平信号，都能被输出端检测到，并且无需进行开关切换，操作方便。
[0021]参考图2，图2是本发明实施例的信号检测电路的结构示意图。如图2所示，第一电路部分可以包括:第一晶体管Q1，其第一端连接到基准电压源VCC，其第二端与其第一端通过电阻连接且该第二端经由第一单向导通器件Dl连接到输入端，并且其第三端经由第三单向导通器件D3连接到检测电路部分，从图中可以看到，在输入端有低电平信号输入时，第一单向导通器件Dl导通，第一晶体管Ql的第一端与第三端之间导通，且第三单向导通器件D3导通。
[0022]从图中可以看到，第一晶体管Ql中内嵌有电阻，以确保电路稳定运行。第一晶体管Ql可以是PNP型晶体管，也可以是P沟道场效应管。并且，二极管可以用作第一单向导通器件Dl和第三单向导通器件D3。值得说明的是，这里所称的“二极管”为本领域公知的二极管，其在通常情况下具有单向导通特性，在本发明实施例所提供的检测电路中，特指仅具有上述单向导通特性、并且在正常应用该检测电路的情况下不会由于被施加的反向电压过大而击穿的“二极管”。
[0023]具体而言，第二电路部分可以包括:串联的第二单向导通器件D2和第四导通器件D4，并且其中，在输入端有高电平信号输入时，第二单向导通器件D2导通，并且第四导通器件D4在输入端输入的高电平信号高于其击穿电压时反向导通。
[0024]典型地，第二单向导通器件可以是二极管，第四导通器件D4可以是齐纳二极管。齐纳二极管是具有反向导通特性的器件，根据齐纳二极管的击穿电压，该检测电路还可以确定输入高电平信号的最小电压。
[0025]在本发明实施例的信号检测电